分布式光伏电站运维

集中型逆变器集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的IGBT功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的质量，使它非常接近于正弦波电流，一般用于大型光伏发电站（>10kW）的系统中。比较大特点是系统的功率高，成本低，但由于不同光伏组串的输出电压、电流往往不完全匹配（特别是光伏组串因多云、树荫、污渍等原因被部分遮挡时），采用集中逆变的方式会导致逆变过程的效率降低和电户能的下降。同时整个光伏系统的发电可靠性受某一光伏单元组工作状态不良的影响。***的研究方向是运用空间矢量的调制控制以及开发新的逆变器的拓扑连接，以获得部分负载情况下的高效率。逆变器的作用———逆变器能够将直流的功率经过转换，变成所要求的交流功率。分布式光伏电站运维

污染增加的**重要风险因素包括：屋顶或面板倾斜：随着模块倾斜度的减小，尽管下雨，但灰尘和灰尘颗粒在表面抵抗的风险也会增加。因此，当倾斜角度变小时，边缘和框架上的污垢积聚得更快，长期存在积聚在模块内表面上的风险。增加边缘的宽度可以加快对其他灰尘颗粒的吸收。太阳能电池板框架：如前所述，灰尘和颗粒经常堆积在光伏组件的框架上。沉淀物把这些灰尘和碎片带到车架上，在那里沉淀下来，有助于形成苔藓和煤烟。在这个意义上，无框架模块可能是一个优势（例如薄膜），尽管它们被认为更不稳定。太阳能组件的横向安装：安装太阳能组件的另一种方法是所谓的横向安装：太阳能电池板的较长一侧向下/向上安装。横向安装增加了暴露于灰尘的表面积，因为模块的较长一侧暴露于雨水中。在大多数太阳能电池板中，框架和模块较长一侧的太阳能电池之间的距离也较小。因此，污垢和苔藓堆积得更快，降低了模块的产量。上海分布式工业光伏电站导水器安装储能系统所使用的能量型电池与功率型电池是有所区别的。

目前单晶硅太阳能电池光电转换效率的比较高纪录，是新南威尔士大学PERL结构太阳电池创造的24.7%。其技术特点包括：硅表面磷掺杂的浓度较低，以减少表面的复合和避免表面“死层”的存在；前后表面电极下面局部采用高浓度扩散，以减小电极区复合并形成好的欧姆接触；通过光刻工艺使前表面电极变窄，增加了吸光面积；前表面电极采用更匹配的金属如钛、钯、银金属组合，减小电极与硅的接触电阻；电池的前后表面采用SiO2和点接触的方法以减少电池的表面复合。但是，该技术目前还没有实现产业化。除了PERL技术以外，还可以采用其它技术提高转换效率。如BPSolar的表面刻槽绒面电池和背电极（EWT）穿越技术。前者主要是通过激光刻槽工艺减小正面电极的宽度，增加太阳光的吸收面积，规模化生产已能实现18.3%的效率；后者通过在电池上进行激光打孔，将正面的电极引到背面，从而增大了正面的吸光面积，能够实现21.3%的效率。

太阳能电池片的简要介绍太阳能电池片是一种对光有响应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，整个过程的实质是：光子能量转换成电能的过程。太阳能电池片主要作用就是发电，发电主体市场上主流的是晶体硅太阳电池片、薄膜太阳能电池片，两者各有优劣。晶体硅太阳能电池片，设备成本相对较低，但消耗及电池片成本很高，但光电转换效率也高，在室外阳光下发电比较适宜。薄膜太阳能电池，相对设备成本较高，但消耗和电池成本很低，但光电转化效率相对晶体硅电池片多一点。通过优化光伏电站运维管理，降低运维成本，提高电站整体经济效益。

太阳能光伏发电的优缺点在哪里与常用的发电系统相比优点太阳能发电被称为**理想的新能源。①无枯竭危险；②安全可靠，无噪声，无污染排放外，***干净（***）；③不受资源分布地域的限制，可利用建筑屋面的优势；④无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电；⑤能源质量高；⑥使用者从感情上容易接受；⑦建设周期短，获取能源花费的时间短。缺点①照射的能量分布密度小，即要占用巨大面积；②获得的能源同四季、昼夜及阴晴等气象条件有关。以如今的科学技术来讲，利用太阳能来发电，设备成本高，太阳能利用率却较低，不能广泛应用，主要用在一些特殊环境下，如卫星等。储能系统由电池、电器元件、机械支撑、加热和冷却系统、双向储能变流器、能源管理系统及电池管理系统组成。集中式农光互补光伏电站导水器报价

光伏电站运维需要专业技能和严谨态度，确保电站安全稳定运行。分布式光伏电站运维

技术路线TOPCon电池的**工序存在多条技术路线。TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃（BSG）和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。其中，氧化层钝化接触制备为TOPCon在PERC的基础上增加的工序，也是TOPCon的**工序，目前主要有4种技术路线：①LPCVD本征+磷扩：利用LPCVD设备生长氧化硅层并沉积多晶硅，再利用扩散炉在多晶硅中掺入磷制成PN结，形成钝化接触结构后进行刻蚀。LPCVD+磷扩目前行业占比66.3%，设备成熟度高但存在绕镀问题。②LPCVD离子注入：利用LPCVD设备制备钝化接触结构，再通过离子注入机精细控制磷在多晶硅中的分布实现掺杂，随后进行退火处理，***进行刻蚀。③PECVD原位掺杂：利用PECVD设备制备隧穿氧化层并对多晶硅进行原位掺杂。PECVD路线目前行业占比约为20.7%，PECVD优势在于绕镀问题小，单台产能大。同时PECVD也可结合PEALD达到较好均匀性和致密性的氧化硅层。④PVD原位掺杂：利用PVD设备，在真空条件下采用溅射镀膜，使材料沉积在衬底表面。行业占比约13%。分布式光伏电站运维