山东集中式光伏电站除草

组件清扫维护清扫条件：光伏方阵输出低于初始状态（上一次清洗结束时）输出的85%。

清洗标准：组件清洗后，表面无肉眼可见的油污、斑点及附着物，用白手套或白纱布擦拭组件表面，无灰尘覆盖现象。1.组件清洗条件光伏发电系统的光伏组件清洗工作应选择在清晨、傍晚、夜间或阴雨天（辐照度低于200W/㎡的情况下）进行，严禁选择中午前后或阳光比较强烈的时段进行清洗工作。在早晚清洗时，也要选择在阳光暗弱的时间段内进行。2.组件清洗方法组件清洗方法可分为常规清洗及雨天清洗，其中常规清洗包含普通清扫和冲洗清洁。 光伏电站运维过程中，注重节能减排，降低运维过程中的能耗和排放。山东集中式光伏电站除草

1、运维人员配备及介入时间光伏电站运维人员配置根据电站容量一般按10MW配置1.2~1.5个运维员，比较低不低于4人，实行两班倒机制。一个电站按站长1人、副站长1人、值长2~4人、电气专工、普通运维人员的组织架构进行人员配备。所有人员需取得特种作业证（高压电工）及调度颁发的运维证书。运维人员的比较好介入时间是电站建设期中开始进行电气调试的时候，此时运维人员可以跟着厂家、调试单位工程师一起参与各电力设备的调试，熟悉电站电力设备的配置情况，对电站电气设备配置有个更清晰的了解，同时进行设备材料、设备安装质量。尤其是监控后台的调试，调试期间运维人员要多与厂家沟通监控后台的制作细节，方便今后自己的使用。对于电站内的通讯线要及时要求调试单位或自己做好标签，也是为了方便后期设备维护。调试期间介入对今后电站投运后接手运维工作能做到知根知底，得心应手。镇江屋顶光伏电站管理光伏电站运维注重技术创新和研发，不断提升运维水平和服务质量。

Imp，最大功率点的电流。它表示太阳能电池板在最大功率点工作时产生的电流。其值总是小于短路电流（ISC）。它的测量单位是安培（A）或毫安（mA）。Vmp，最大功率点的电压。它**了太阳能电池板在最大功率点工作时产生的电压。它的测量单位是伏特（V）或毫伏（mV）。FF（%），填充因子，它以百分比（%）表示，填充系数越高，电池就越好。填充因子被定义为（在MPP时）产生的最大功率除以ISC和VOC的乘积。我们可以看到，填充因子总是小于1。由于快速测量转换效率的困难，通常用测量填充因子来代替。通常用以下公式表示：FF = Pm / (Isc ×Voc)

光伏发电逆变系统的拓扑结构通常单相电压型逆变器主要分为推挽式、半桥和全桥逆变电路三种。这三种方式根据其不同的特点应用于不同的场合。推挽式逆变电路的电路结构比较简单。其上电路只需要两个晶闸管，基极驱动电路不需要隔离，驱动电路比较简单，但是晶闸管需要承受2倍的线路峰值电压，所以适合于低输入电压的场合应用。同时变压器存在偏磁现象，初级绕组有中心抽头，流过的电流有效值和铜耗较大，初级绕阻两部分应紧密藕合，绕制工艺复杂。因为推挽式逆变电路对于晶闸管的耐压要求比较高，不适合作为光伏发电的.逆变系统主回路。相比于推挽式逆变电路，单相半桥式逆变电路中所使用的晶闸管的耐压要求就相对较低，不会有线电压峰值2倍这么多，***不会超过线电压峰值。其逆变出来的波形也相对推挽式比较接近于正弦波，所以滤波的要求也相对较低。由于晶闸管的饱和压降减小到了**小，所以不是**重要的影响因素之一。但是由于半桥式逆变电路的结构决定其集电极电流在晶闸管导通时会增加一倍，使得在晶闸管选型的过程中，要考虑大电流、承受高压的情况，就难免会因为其价格昂贵，所以不适合作为光伏发电的逆变系统主回路。通过对光伏电站性能数据的实时监测和分析，运维团队能够优化电站运行策略，提高发电效益。

组串型逆变器组串逆变器是基于模块化概念基础上的，每个光伏组串（1-5kw）通过一个逆变器，在直流端具有最大功率峰值跟踪，在交流端并联并网，已成为现在国际市场上当下流行的逆变器。许多大型光伏电厂使用组串逆变器。优点是不受组串间模块差异和遮影的影响，同时减少了光伏组件比较好工作点与逆变器不匹配的情况，从而增加了发电量。技术上的这些优势不仅降低了系统成本，也增加了系统的可靠性。同时，在组串间引人“主-从”的概念，使得系统在单串电能不能使单个逆变器工作的情况下，将几组光伏组串联系在一起，让其中一个或几个工作，从而产出更多的电能。定期巡检，及时维护，光伏电站运维工作不容忽视。河北分布式光伏电站方案

光伏电站运维需要专业技能和严谨态度，确保电站安全稳定运行。山东集中式光伏电站除草

技术路线TOPCon电池的**工序存在多条技术路线。TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃（BSG）和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。其中，氧化层钝化接触制备为TOPCon在PERC的基础上增加的工序，也是TOPCon的**工序，目前主要有4种技术路线：①LPCVD本征+磷扩：利用LPCVD设备生长氧化硅层并沉积多晶硅，再利用扩散炉在多晶硅中掺入磷制成PN结，形成钝化接触结构后进行刻蚀。LPCVD+磷扩目前行业占比66.3%，设备成熟度高但存在绕镀问题。②LPCVD离子注入：利用LPCVD设备制备钝化接触结构，再通过离子注入机精细控制磷在多晶硅中的分布实现掺杂，随后进行退火处理，***进行刻蚀。③PECVD原位掺杂：利用PECVD设备制备隧穿氧化层并对多晶硅进行原位掺杂。PECVD路线目前行业占比约为20.7%，PECVD优势在于绕镀问题小，单台产能大。同时PECVD也可结合PEALD达到较好均匀性和致密性的氧化硅层。④PVD原位掺杂：利用PVD设备，在真空条件下采用溅射镀膜，使材料沉积在衬底表面。行业占比约13%。山东集中式光伏电站除草