nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。红外热像仪无需外界光源补光，距离远，拥有更好的穿透力。国产红外热像仪电话
铅盐探测器一般指基于PbS和PbSe等IV-VI族半导体材料制作的PC探测器,它们中的PbS探测器早在二战期间就已经投入到***的实际应用之中｡直至现在,红外热像仪因其低廉的生产成本与室温下优良的灵敏度等优势,这类探测器仍占据着一定比例的商用市场,许多**制造商对此均有涉足,如美国CalSensors､NewEngland Photodetectors､Thorlabs､TJT,西班牙New Infrared Technologies以及日本滨松(Hamamatsu)等｡然而,由于银盐材料的介电常数很高,这类探测器的响应速度比一般的光子探测器都要慢,这一劣势很大程度上限制了相应的大规模FPA探测器的发展,截至2014年,铅盐FPA探测器像元达到了320x256中等规模｡原装进口红外热像仪电话红外热像仪可安装在全天候壳体内，置于方位／俯仰云台之上，以检测变电站大片区域。
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但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能｡BIB探测器是解决以上困境的比较好解｡BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平｡不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围｡关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿，对半导体感兴趣的同学，欢迎阅读其他文章！红外热像仪无需光线即可生成图像，能够在设备过热或隔热层。国产红外热像仪电话
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