红外热像仪光子探测器的探测机理是光电效应，依据工作模式的不同，它又可进一步分为光电导(photoconductive,PC)探测器、光伏(photovoltaic,PV)探测器、光电子发射(photoemissive,PE)探测器、光电磁(photoelectromagnetic,PEM)探测器和丹倍(Dember)探测器等子类型，其中前两个子类型探测器的发展**强劲、应用*****。常见的IR光子探测器有InGaAs探测器、InSb探测器、HgCdTe探测器、QWIP、QDIP、T2SLS探测器、铅盐探测器以及非本征探测器(主要指BIB探测器)等，不同材料体系工作波长及响应率范围如下图所示：红外热像仪是如何工作的？PYROLINE 128N/256N红外热像仪操作
红外热像仪的图像可以进行后期处理。红外热像仪通常会输出热图或热图像，这些图像可以通过专门的软件进行后期处理和分析。常见的红外热像仪后期处理功能包括：温度测量和标定：可以通过软件测量图像中不同区域的温度，并进行标定，以便更准确地分析热分布情况。图像增强：可以通过调整亮度、对比度、色彩等参数来增强图像的清晰度和可视化效果。图像滤波：可以使用滤波算法对图像进行去噪处理，以减少图像中的噪点和干扰。图像合成：可以将红外热像仪的热图与可见光图像进行合成，以获得信息。图像分析和报告生成：可以使用软件进行图像分析，如检测异常区域、绘制温度曲线等，并生成相应的报告。testo 885红外热像仪供应商手持红外热像仪为例，一手拿着热像仪，就能完成电路检测、和电力、设备维护等人工巡检的工作。
红外热像仪可以检测各种类型的物体，包括但不限于以下几种：人体：红外热像仪可以检测人体的热量分布，用于人体热成像、体温检测、医学诊断等应用。建筑和设备：红外热像仪可以检测建筑物和设备的热量分布，用于建筑热效率评估、电气设备故障检测、机械设备运行状态监测等。自然环境：红外热像仪可以检测自然环境中的热量分布，用于气象观测、环境监测、火灾预警等应用。动物：红外热像仪可以检测动物的热量分布，用于野生动物观测、动物行为研究、猎物追踪等应用。汽车和交通：红外热像仪可以检测汽车和交通工具的热量分布，用于车辆故障检测、交通监控、夜视驾驶等应用。
美国**高空区域防御系统(Theatre High Altitude Area Defense, THAAD)即萨德系统,其拦截导弹的IR导引头就采用了RVS生产的AE194 InSb FPA探测器｡RVS生产的小型InSb FPA探测器还大量地应用到了美国第四代空-空导弹的制导系统中｡由美国SBRC(Santa Barbara Research Center)主持､美国国家光学天文台(National Optical Astronomy Observatories, NOAO)和美国海军天文台(U.S.Naval Observatory, USNO)协同参与的ALADDIN(advanced large area detector development in lnSb)计划,其研制的1024x1024像元规模的InSb FPA探测器应用到了天文观测中。作为ALADDIN的升级产品,ORION将InSb FPA的像元规模提升至2Kx2K,该计划在RVS､NOAO和USNO的共同努力下也已经顺利完成,其红外热像仪产品在美国天文事业的发展中发挥着重要作用｡红外热像仪自动报警，发现目标设备温度异常自动报警，存储设备工作状态热图，提示工作人员具**置。
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料｡与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段｡HgCdTe探测器在NIR､MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主｡然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位｡***款手持式红外热像系统诞生起，科学家们就前赴后继地致力于研发更加便携、好用的热像仪器。PYROLINE 128N/256N红外热像仪操作
实时显示：实时显示全辐射红外热图，值班人员可通过红外热像仪查看任意位置的温度。PYROLINE 128N/256N红外热像仪操作
nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。PYROLINE 128N/256N红外热像仪操作
