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nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物,它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器,其响应截止波长可达到3μm以上,响应范围完全覆盖NIR波段,是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下,其他化合物性能如下图所示:与其它的常用IR探测器相比,InGaAs探测器的兴起较晚,在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来,得益于NIR成像的强势崛起,InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中,一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上,红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。便携式红外热像仪附件红外热像仪的工作距离有限制吗?

但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能。BIB探测器是解决以上困境的比较好解。BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平。不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围。关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿,对半导体感兴趣的同学,欢迎阅读其他文章!
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料。与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段。HgCdTe探测器在NIR、MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主。然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位。红外热像仪可以用于夜视吗?

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红外热像仪是否可以用于安全检查和故障排查?上海市红外热像仪价格优惠
红外热像仪的电池寿命因设备型号、使用条件和电池容量等因素而异。一般来说,红外热像仪的电池寿命可以在几个小时到几十个小时之间。红外热像仪通常使用可充电电池,如锂离子电池或镍氢电池。电池寿命取决于多个因素,包括红外热像仪的功耗、工作模式、环境温度和使用频率等。在高功耗模式下,红外热像仪的电池寿命可能较短,而在低功耗模式下,电池寿命可能更长。此外,低温环境也可能影响电池的性能和寿命。为了延长红外热像仪的电池寿命,可以采取以下措施:在不使用时,关闭红外热像仪以节省电池能量。根据需要选择合适的工作模式,避免不必要的功耗消耗。在低温环境下使用红外热像仪时,保持电池温暖,可以使用保温套或加热装置。定期检查电池的状态和健康状况,及时更换老化或损坏的电池。上海市红外热像仪价格优惠