测量表面温度一般采用非接触红外高温计，必须注意在测量时需要调整红外热像仪所使用的发射率ε，发射率是材料及其表面状况的特性，采用不正确的发射率会产生明显的测量误差。有两种方法可以在静态表面上校准发射率，***个方法是使用接触式高温计测量温度，然后将红外高温计指向同一点并调整发射率，直到温度读数与接触式温度计的读数相同；第二个方法是在被测表面粘上黑胶布，或者涂上黑漆，然后用测得的温度校准红外高温计。常用特定温度下水泥窑系统表面发射率见表1。红外热像仪能在苛刻的条件下指出材料特性并进行非接触式的温度测量。testo 858红外热像仪
nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物，它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器，其响应截止波长可达到3μm以上，响应范围完全覆盖NIR波段，是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下，其他化合物性能如下图所示：与其它的常用IR探测器相比，InGaAs探测器的兴起较晚，在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来，得益于NIR成像的强势崛起，InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中，一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上，红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。电力测温专用红外热像仪代理商红外热像仪在工业检测中扮演着关键角色，能够快速识别设备过热问题。
(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟｡在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位｡下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减｡InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商｡
在同一个温度，测温的红外波长越大，发射率就越小，反之，测量的波长越小，发射率就越大。(注意，这个规律只是针对金属或钢铁来说的，不适合其它材料，其它材料有其它材料的发射率规律，比如玻璃则反之)。发射率表提供的往往是一个发射率范围，你无法准确确认发射率的值，也就是发射率设置经常会有误差，而且有时误差还特别大而且，**重要的一点就是：除了黑体以外，实际物体的发射率值往往在一个范围里，而不是一个固定的值，比如上图中的哈氏合金在1μm时，发射率值是；同样，铁、钢材，也是如此，比如不锈钢在1μm时发射率为，而在8-14μm时发射率是。换言之，在这个范围里，提供的发射率表很多都是一个范围，而不是一个确定的值，在这个范围里，谁也弄不清到底具体发射率值是多少，所以你如何确切地设定发射率呢？又如何确保发射率没有误差呢？所以，发射率误差1%~10%是应用红外测温仪、红外热像仪中非常常见的、经常发生的。红外热像仪可以检测物体发出的红外线，并且转化成物体表面的温度。
但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能｡BIB探测器是解决以上困境的比较好解｡BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平｡不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围｡关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿，对半导体感兴趣的同学，欢迎阅读其他文章！红外热成像仪能够接收红外线，生成红外图像或热辐射图像，并且能够提供精确的非接触式温度测量功能。DIAS红外热像仪推荐货源
红外线热像仪灵敏度高，如保温杯、热饭盒等都能监测出来，并将具**置定位在发热点，监测精度高。testo 858红外热像仪
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料｡与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段｡HgCdTe探测器在NIR､MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主｡然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位｡testo 858红外热像仪
