半导体探测器是60年代以来迅速发展起来的一种新型的射线探测器。它经常被应用于各个领域，不同类型的半导体探测器在不同的方面都有其自身的特点。按形成半导体探测器PN结的方法，可将其分为两种：离子注入型和表面位垒型。离子注入半导体探测器在我国尚未被普遍使用，其辐射剂量特性正在开发当中，因而有很大的研究空间。钝化离子注入平面硅 (Pas-sivated Implanted Planar Silian，简称PIPS) 探测器，是半导体钝化离子注入的新工艺产品。 **alpha谱仪规格型号新漫实验室分析设备四大件在国内目前是少有的能够提供四大件产品整体解决方案的厂家。
在此科普一下α谱仪的相关术语。例如，半高宽（分辨率）是指在获得的能谱图上，单峰峰值一半处两点横坐标间的距离。常用FWHM表示。探测效率是指仪器对标准源的测量净计数率与标准源的α粒子的发射率之比。能量刻度是指采用具备单能或多能的标准源对仪器的能量响应和能量坐标格式化。放射性活度是指给定时刻下，处于特定能态的一定量的放射性核素在单位时间内发生自发核跃迁的次数。本底是指待测样品外的其它因素（探测器、环境的放射性核宇宙射线，噪音等）引起的测量贡献。单能源是指具备单一能量粒子的放射性核素平面源，如：239pu(5.157MeV)、241Am(5.485MeV)、210Po(5.305MeV)。多能源：天然铀(4.2-7.688MeV)、天然钍(4.01-8.785MeV)。
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