高耐压线性充电管理与较少的外部元件数目使得XC3071 XC3101成为便携式应用的理想选择。 可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构,加上防倒充电路,所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定4.2V,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时, 将自动终止充电循环。当输入电压 (交流适配器或USB电源)被拿掉时, 自动进入一个低电流状态,将电池漏电流降至2uA 以下。也可将 置于停机模式,以而将供电电流降至45uA。 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。赛芯微一级代理商、锂电池保护IC。XB5608A电源管理IC芯纳科技

型号:XA3106关键字:同步升降压IC同时升压降压功能升压转换器印字:HXN-AA功能概述:XA3106是一款高效、固定频率的降压-升压DC/DC转换器,能在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下操作。从而成为输出电压处于电池电压范围内的单节锂离子电池、多节碱性电池或NiMH电池应用的理想选择。可利用一个外部电阻对高至1.5MHz的开关频率进行设置,并能使振荡器与外部时钟同步。静态电流300uA,因而大限度的延长了便携式应用中的电池使用寿命。该转换器的其他特点还包括电流1uA的停机模式、软起动控制、热停机和电流限值。XA3106采用热特性增强型10引脚MSOP封装。应用数码相机/无线电话XB8886I电源管理IC上海芯龙正极保护的锂电池保护方案。

XLD6031M18、XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案
保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。适用范围:适用于标称电压3.7V,充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!

一个是防止充电器的浪涌,与10uF电容一起做RC滤波,保护充电管理. 对充电器频繁热插拔的高压浪涌、对目前市场上的各种参差不齐的手机充电器,加这个电阻对产品的可靠性增加,从某种程度上说有一点系统TVS的效果。 所以这个电阻的功率稍微留点点余量。 二个是可以起到分压的作用,因为是线性充电,如果电池电压3.3V,这时充电处于快充阶段(设定450mA),如果输入5V,芯片自身将产生(5-3.3)*0.45=765mW的热量,芯片太烫,充电电流就会变得小些。而如果加0.5ohm电阻,该电阻将产生0.225V的压降,将能降低一些芯片的功耗,进而降低芯片温度,使得芯片可以保证以设定的450mA持续快速充电。但这个电阻不能大,因为如果大,上面产生的压差大,会影响电池电压4V以上时的快速充电,也会影响充电器输入电压偏低时仍然能以较大电流快速充电。耐高压内置MOS锂电保护小封装、低功耗。XB5153J2S电源管理IC上海芯龙
XySemi 锂电保护板生产操作注意事项2。XB5608A电源管理IC芯纳科技
同步 异步 指的是芯片的整流方式!一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管,由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。XB5608A电源管理IC芯纳科技
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芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...