普通的锂电池供电电子产品(如锂电池供电的超声波电动牙刷)都需要外置充电管理电路+电机正反转驱动电路+控制芯片三个分立的控制电路芯片组合。普通的分立充电管理电路不能耐高压,不能支持无线充电,只能支持usb充电。普通的分立马达正反驱动电路没有过流保护功能,常规方案有三种方式: 3.1》采用外置充电管理电路+电机正反转驱动电路+单片机控制芯片三个分立芯片组合的控制电路方案。 4.2》采用分立的器件搭建的无线充充电路+四个mos组成的电机正反转电路+单片机控制芯片 5.3》采用定制asic(集成电路),模式功能固定,不可更改。XL1507、XL1509、XL2596、XL2576。XB4087电源管理ICNTC充电管理

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器,用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V,驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET),LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元,误差放大器,330KHz振荡器,斜坡补偿发生器,电流模式PWM控制单元,电感过流保护电路,LED亮度调整单元,芯片关断单元,软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制,改善了瞬态响应特性,简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能,过压保护,LED亮度调整,内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。XB4321A电源管理IC赛芯微xysemi即使在大电流负载条件下,仍然可以实现很低的输出纹波。

DS5036B集成的KEY管脚内置上拉电阻,用于检测按键的输入,支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应,无效操作。按键持续时间长于100ms,但小于2s,即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s,即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键,会关闭升压输出、电量显示,进入休眠模式。DS5036B 自动检测手机插入,手机插入后即刻从待机状态唤醒,开启升压给手机充电,省去按键操作, 可支持无按键模具方案。
保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。为了补偿因负载电流在线缆上产生的线压降。

4054是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/ 恒压线性充电器。4054采用SOT23-5L/sot23-6封装,配合较 少的元器件使其非常适用于便携式产品,并且适 合给USB电源以及适配器电源供电。 基于特殊的内部MOSFET架构以及防倒充电路, 4054不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时,热反馈可以调节充 电电流以降低芯片温度。充电电压固定在4.2V/4.35V/4.4V,而充 电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值的1/10,芯片将终止充电循环。当输入电压断开时,4054进入睡眠状态,电池漏电流将降到1uA以下。4054还可以被设置于停机模式。4054还包括其他特性:欠压锁定,自动再充电和充电状态标志。高精度 ADC 用于检测充电电流,高速 ADC 用于检测电压信号。XB4321A电源管理IC赛芯微xysemi
正极保护的锂电池保护方案。XB4087电源管理ICNTC充电管理
DS2730 的测温管脚 TS 集成了电流源,结合外部的温敏电阻(NTC),用于监测应用系统中关键元件的温度,并根据温度动态调整输出功率。实际应用中,NTC 热敏电阻通常置于 PCB 上发热元件附近,例如,芯片SW 开关节点、功率 MOS 或电感附近。选择不同阻值的 Rs 电阻,可以微调过温阈值。 内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于检测精度要求高的信号(例如,负载电流),高速 ADC 用于检测响应速度要求高的信号(例如,输出电压),并配置了窗口比较功能,可以根据检测结果做出快速反应。XB4087电源管理ICNTC充电管理
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...