赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案XB430X系列产品。该系列产品采用传统的N型开关管,与传统方案的负极保护原理一致,保护板厂商或电池厂商无需更换任何测试设备或理念。该系列芯片本身就是一个完整的锂电池保护方案,无需外接任何元器件即可实现锂电池保护的功能。为了防止Vcc线上的噪声,建议在使用XB430X系列芯片时在VCC和电池负端之间外接一个电容,如图5所示。助听器集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片XF5131。XBGL6034QS电源管理IC两串两节保护

XLD6031M18、XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案XBGL6034QS电源管理IC两串两节保护高耐压带OVP线性充电管理。

DS5036B自动检测手机插入,手机插入后即刻从待机状态唤醒,开启升压给手机充电,省去按键操作,可支持无按键模具方案。DS5036B通过内部ADC模块采样每个端口的输出电流,当单个口的输出电流小于约80mA(MOSRds_ON@15mΩ)且持续15s时,会将该输出口关闭。当输出总功率小于约350mW且持续为所有输出口手机已经充满或者拔出,会自动关闭升降压输出。DS5036B 内置电量计功能,可准确实现电池电量计算。 DS5036B 支持 3 线 5 灯、 支持 188 数码管显示电量、支持 IIC 显示电量,支持设置电池的初始化容量,利用电池端电流和时间的积分来管理电池的剩余容量。当电池端电流检测 CSP1 和 CSN1 引脚采用 5mΩ 检测电阻时,可以准确显示当前电池的容量。同时 DS5036B 支持电量从0%到 100%一次不间断的充电过程自动校准当前电池的总容量,更新显示百分比,更合理地管理电池的实际容量。
XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关(FET或二极管)使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关(二极管)构成,节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电,所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时,经常使用时钟信号(DC/DC的开关节点等)和二极管的二极管电荷泵。在此,介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。高PSRR-LDO完全没凸波40V耐压LDO。

DS3056B支持电池串数的选择功能、电池充满电压的选择功能、充电功率的选择功能。变更连接在CNSEL管脚的下拉电阻R14的阻值,可以配置应用方案为2-6串电池的充电管理(NC-2串、620K-串、180K-串、100K-串、39K-串)。变更连接在BFSEL管脚的下拉电阻R13的阻值,可以匹配不同规格的电池、即选择电池的充满电压(NC-4.2V、620K-4.3V、180K-4.4V、100K-4.45)。变更连接在CCSEL管脚的下拉电阻R15的阻值,可以配置应用方案为不同的充电功率(NC-30W、620K-45W、180K-60W、100K-65W、39K-100W)。耐高压二合一锂电保护。XB4908M电源管理IC磷酸铁锂充电管理
DS6036B 2~6串30~100W方案:支持 2~6节电池串联,支持 30~100W 功率选择。XBGL6034QS电源管理IC两串两节保护
DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。
过压/欠压保护:放电过程中,DS2730实时监测输入/输出电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭放电通路。
过流保护:放电过程中,利用内部的高精度ADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,首先降低输出功率;如果降低功率后仍然持续过流,则触发过流保护,芯片自动关闭放电通路。
过温保护:放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度(例如,MOS管)。当温度超出预设的保护门限时,降低放电功率。
短路保护:放电过程中,实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时,自动关闭放电通路。 XBGL6034QS电源管理IC两串两节保护
芯纳方案 DS2730 集成了 2 路高效 DC-DC 电压变换器和 CV/CC 补偿电路。结合外置的 NMOS 功率管,实现 2 路分离的 DC-DC 降压变换功能,支持 100%占空比输出和直通模式,并根据设备的插入/移除状态,控制放电通路的自动导通或关闭。在放电过程中,实时监测放电通路的输出电压、负载电流和系统温度。当有异常发生时,启动执行相应的保护机制。 内置的同步降压变换器,允许 5V~30V 的输入电压和 3.3V~20V 的输出电压,上限输出效率可达 98%(VIN=20V,VBUS=20V@5A)。芯纳科技提供适用于快充设备的电源管理芯片,兼容主流快充协议标准。XB5350...