锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路),IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。即使在大电流负载条件下,仍然可以实现很低的输出纹波。XB5152J2SZR电源管理IC赛芯微xysemi

XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS、XB6097IS、XB6156G、XB6166IS、XB6166ISA、XB6206AE、XB6366D、XB6706A、XB6706AHY、XB6706H2、XB6706U0、XB7608A、、XB7608AF、XB7608AJ、XB7608AJL、XB7608AR、XB7608G、XB7608GF、XB7608GJ、XB7608MF、磷酸铁锂保护芯片XF5131是赛芯退出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。

DS2730是一款面向65-100W快充应用的降压型 PD3.0 C+CA双路分离多口快充的电源管理SOC,集成了微处理器、降压型电压变换器、快充协议控制器、高精度 ADC、安全保护模块等功能单元,支持 PD3.0、QC3.0、QC2.0、SCP、FCP、AFC 等主流快充协议。搭载极少的外部元件,即可组成 C+CA 的双路分离的65-100W多口快充应用方案。内置环路补偿电路,支持低功耗模式、支持功率动态分配、直通模式。DS2730 集成了5 路 GPIO,可以用作常规的输入/输出端口驱动 LED 灯、选择前级电源的输出电压以及I2C 通讯接口。
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。支持自动识别电源的快充模式,匹配合适的充电电压和充电电流。

锂电池充电管理XA4246:丝印:2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印:55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058;丝印:58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057;丝印:57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059;丝印:59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017:丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印:5056 、XA4217丝印:HXN-WL高耐压带OVP线性充电管理。XB8089D0
VBUS 输出短路时,自动关闭放电通路。XB5152J2SZR电源管理IC赛芯微xysemi
DS3056B 集成 LED 显示功能。GPIO10、GPIO11 管脚可以直接驱动 LED1,LED2,用于显示 IC 的工作状态、电池的充电状态等信息。集成 i2C 功能,外部芯片可直接读取当前芯片的工作状态。内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于检测充电电流,高速 ADC 用于检测电压信号,并配置了窗口比较功能,可以根据检测结果做出快速反应。DS3056B的测温管脚TS集成了电流源,结合外部的温敏电阻(NTC),用于监测电池的温度。温度高于高温保护门限或低于低温保护门限、且持续预定时间后,关闭充放电路径。温度从高温降至高温保护解除门限之下或从低温升至低温保护解除门限之上时,恢复充电或放电。PVDD部分的供电:2串可通过电池直接给内部PVDD供电,3串可通过外部LDO给PVDD供电,4-6串可通过外部DC给PVDD供电。XB5152J2SZR电源管理IC赛芯微xysemi
DS3056B集成LED显示功能。GPIO10、GPIO11管脚可以直接驱动LED1,LED2,用于显示IC的工作状态、电池的充电状态等信息。集成i2C功能,外部芯片可直接读取当前芯片的工作状态。内置16-bit的高精度ADC和12-bit的高速ADC。高精度ADC用于检测充电电流,高速ADC用于检测电压信号,并配置了窗口比较功能,可以根据检测结果做出快速反应。DS3056B的测温管脚TS集成了电流源,结合外部的温敏电阻(NTC),用于监测电池的温度。温度高于高温保护门限或低于低温保护门限、且持续预定时间后,关闭充放电路径。温度从高温降至高温保护解除门限之下或从低温升至低温保护解除...