选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快很多，它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。基本内容：高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料（刻蚀到恰当的深度时停止）并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在较先进的工艺中为了确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。刻蚀较简单较常用分类是：干法刻蚀和湿法刻蚀。物理刻蚀是利用物理过程来剥离材料表面的方法，适用于硬质材料。上海干法刻蚀
刻蚀，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。厦门化学刻蚀刻蚀技术可以通过选择不同的刻蚀气体和压力来实现不同的刻蚀效果。
刻蚀可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。有图形刻蚀采用掩蔽层（有图形的光刻胶）来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。有图形刻蚀可用来在硅片上制作多种不同的特征图形，包括栅、金属互连线、通孔、接触孔和沟槽。无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩模的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩模层。反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。广东省科学院半导体研究所。同样的刻蚀条件，针对不同的刻蚀暴露面积，刻蚀的速率会有所不一样。
材料刻蚀是一种通过化学或物理方法将材料表面的一部分或全部去除的技术。它在许多领域都有广泛的应用，以下是其中一些应用：1.微电子制造：材料刻蚀是微电子制造中重要的步骤之一。它用于制造集成电路、微处理器、存储器和其他微电子器件。通过刻蚀，可以在硅片表面形成微小的结构和电路，从而实现电子器件的制造。2.光刻制造：光刻制造是一种将图案转移到光敏材料上的技术。刻蚀是光刻制造的一个关键步骤，它用于去除未暴露的光敏材料，从而形成所需的图案。3.生物医学：材料刻蚀在生物医学领域中也有广泛的应用。例如，它可以用于制造微型生物芯片、生物传感器和生物芯片。这些器件可以用于检测疾病、监测药物治疗和进行基因分析。4.光学：材料刻蚀在光学领域中也有应用。例如，它可以用于制造光学元件，如透镜、反射镜和光栅。通过刻蚀，可以在材料表面形成所需的形状和结构，从而实现光学元件的制造。5.纳米技术：材料刻蚀在纳米技术中也有应用。例如，它可以用于制造纳米结构和纳米器件。通过刻蚀，可以在材料表面形成纳米级别的结构和器件，从而实现纳米技术的应用。干法刻蚀是一种使用气体或蒸汽来刻蚀材料的方法，通常用于制造微电子器件。
材料刻蚀是一种通过化学或物理手段将材料表面的一部分或全部去除的过程。它在微电子制造、光学器件制造、纳米加工等领域得到广泛应用。其原理主要涉及化学反应、物理过程和表面动力学等方面。化学刻蚀是通过化学反应将材料表面的原子或分子去除。例如，酸性溶液可以与金属表面反应，产生氢气和金属离子，从而去除金属表面的一部分。物理刻蚀则是通过物理手段将材料表面的原子或分子去除。例如，离子束刻蚀是利用高能离子轰击材料表面，使其原子或分子脱离表面并被抛出，从而去除材料表面的一部分。表面动力学是刻蚀过程中的一个重要因素。表面动力学涉及表面张力、表面能、表面扩散等方面。在刻蚀过程中，表面张力和表面能会影响刻蚀液在材料表面的分布和形态，从而影响刻蚀速率和刻蚀形貌。表面扩散则是指材料表面的原子或分子在表面上的扩散运动，它会影响刻蚀速率和刻蚀形貌。总之，材料刻蚀的原理是通过化学或物理手段将材料表面的一部分或全部去除，其原理涉及化学反应、物理过程和表面动力学等方面。在实际应用中，需要根据具体的材料和刻蚀条件进行优化和控制，以获得所需的刻蚀效果。等离子体刻蚀是一种高效的刻蚀方法，可以在较短的时间内实现高精度的加工。广州荔湾刻蚀设备
材料刻蚀是一种重要的微纳加工技术。上海干法刻蚀
温度越高刻蚀效率就越高，但是温度过高工艺方面波动就越大，只要通过设备自带温控器和点检确认。刻蚀流片的速度与刻蚀速率密切相关喷淋流量的大小决定了基板表面药液置换速度的快慢，流量控制可保证基板表面药液浓度均匀。过刻量即测蚀量，适当增加测试量可有效控制刻蚀中的点状不良作业数量管控：每天对生产数量及时记录，达到规定作业片数及时更换。作业时间管控：由于药液的挥发，所以如果在规定更换时间未达到相应的生产片数药液也需更换。首片和抽检管控：作业时需先进行首片确认，且在作业过程中每批次进行抽检（时间间隔约25min）。1、大面积刻蚀不干净：刻蚀液浓度下降、刻蚀温度变化。2、刻蚀不均匀：喷淋流量异常、药液未及时冲洗干净等。3、过刻蚀：刻蚀速度异常、刻蚀温度异常等。上海干法刻蚀
