电容基本参数
  • 品牌
  • 芯声
  • 型号
  • 齐全
  • 介质材料
  • 高频瓷介,半导体瓷,低频瓷介
  • 工作电压
  • 高压,中压,低压
  • 用途
  • 谐振,温度补偿,旁路,滤波,隔直流,耦合,放大信
  • 调节方式
  • 固定,微调,可变
  • 厂家
  • 江苏芯声微电子科技有限公司
电容企业商机

陶瓷电容器品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器;按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器;按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。陶瓷电容器的温度特性应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性;不同材料的陶瓷介质,其温度特性有极大的差异。钽电容的容值的温度稳定性比较好。常州陶瓷电容批发

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电容类型由于同一种介质的极化类型不同,其对电场变化的响应速度和极化率也不同。相同体积下,容量不同,导致电容器的介质损耗和容量稳定性不同。材料的温度稳定性按容量可分为两类,即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。NPO属于一级陶瓷,其他X7R、X5R、Y5V、Z5U都属于二级陶瓷。陶瓷电容器的特性5.1电容器的实际电路模型电容器作为基本元件之一,在实际生产中并不理想。会有寄生电感和等效串联电阻。同时,由于电容器两极板之间的介质不是相对绝缘的,所以存在较大的绝缘电阻。常州陶瓷电容批发钽电容在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。

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一般来说,它是一个去耦电容。或者数字电路通断时,对电源影响很大,造成电源波动,需要用电容去耦。通常,容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz,选择1/1M,即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容,电源处应该有,用的量还是蛮大的。在一般设计中,提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们?根据不同的功率输出或后续电路?通常并联两个电容就够了,但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内,电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内,这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。

当电容器的内部连接性能恶化或失效时,通常会出现开路。电气连接的恶化可能是由腐蚀、振动或机械应力引起的。铝电解电容器在高温或湿热环境下工作时,阳极引出箔可能因电化学腐蚀而断裂。阳极引出箔与阳极箔接触不良也会造成电容器间歇性开路。1)在工作初期,铝电解电容器的电解液在负载工作过程中会不断修复和增厚阳极氧化膜(称为填形效应),导致电容下降。2)在使用后期,由于电解液损耗大,溶液变稠,电阻率增大,增加了等效串联电阻和电解液损耗。同时,随着溶液粘度的增加,铝箔表面不均匀的氧化膜难以充分接触,减少了电解电容器的有效极板面积,导致电容量下降。此外,在低温下工作时,电解液的粘度也会增加,导致电解电容损耗增加,电容下降。想使电容容量大,有三种方法: ①使用介电常数高的介质 ②增大极板间的面积 ③减小极板间的距离。

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I类陶瓷电容器按照美国电工协会(EIA)的标准,是C0G(数字0,不是字母O,部分文件笔误COG)或NP0(数字0,不是字母O,部分文件笔误NPO),以及中国标准CC系列等各类陶瓷介质(温度系数为030ppm/),极其稳定,温度系数极低,不会出现老化现象和损耗因子。这种介质非常适用于高频(特别是用于工业高频感应加热、高频无线传输等应用的高频电力电容器)、超高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境。这种介质电容的缺点就是电容不能做得很大(因为介电系数比较小)。通常情况下,1206表贴C0G介质电容的电容范围为0.5pf至0.01f。铝电解电容是电容中非常常见的一种。江苏片式电容批发

电容的基本单位是:F(法),此外还有μF(微法)、nF、pF(皮法)。常州陶瓷电容批发

用于开关稳压电源输出整流的电解电容器,要求其阻抗频率特性在300kHz甚至500kHz时仍不呈现上升趋势。电解电容器ESR较低,能有效地滤除开关稳压电源中的高频纹波和尖峰电压。而普通电解电容器在100kHz后就开始呈现上升趋势,用于开关电源输出整流滤波效果相对较差。笔者在实验中发现,普通CDII型中4700μF,16V电解电容器,用于开关电源输出滤波的纹波与尖峰并不比CD03HF型4700μF,16V高频电解电容器的低,同时普通电解电容器温升相对较高。当负载为突变情况时,用普通电解电容器的瞬态响应远不如高频电解电容器。常州陶瓷电容批发

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