电容允许偏差：这个上期我们讲安规电容的作用时又提起过，顾名思义，这就是电容的较大允许偏差范围。常用的容量误差为：J表示允许偏差±5%,K表示允许偏差±10%,M表示允许偏差±20%。额定工作电压：在电路中能长时间稳定、可靠地工作，并能承受较大直流电压，也叫耐压。对结构、容量一样的电子器件，耐压越高，体积越大。损耗：贴片陶瓷电容在电场的作用下，由于每单位时间产生热量而消耗能量。这种损失主要来源于介质损失和金属损失。一般都是以损耗角正切值表示的。上述就是关于贴片陶瓷电容的一些基本常识，想要了解更多电容相关咨询的，可关注江苏芯声微电子科技。MLCC可适用于各种电路，如振荡电路、定时或延时电路、耦合电路、往耦电路、平滤滤波电路、抑制高频噪声等。无锡高容电容批发
为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向发展。MLCC也随之迅速向前发展：种类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。其应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。移动通信设备更是大量采用片式元件。随着世界电子信息产业的迅速发展，MLCC的发展方向呈现多元化：1、为了适应便携式通信工具的需求，片式多层电容器也正在向低压大容量、超小超薄的方向发展。2、为了适应某些电子整机和电子设备向大功率高耐压的方向发展（通信设备居多），高耐压大电流、大功率、超高Q值低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。3、为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器（LTCC）正成为技术研究热点。盐城车规软端电容规格想使电容容量大，有三种方法： ①使用介电常数高的介质 ②增大极板间的面积 ③减小极板间的距离。
DC偏置特性陶瓷电容器的另一个特性是其DC偏置特性。对于在陶瓷电容器中被归类为高电感系列的电容器(X5R、X7R特性),由于DC电压的施加，静电电容有时会与标称值不同，因此应特别注意。例如，施加到具有高介电常数的电容器的DC电压越大，其实际静电容量越低。6.常见问题6.1机械应力导致电容器故障陶瓷电容器较坑的故障是短路。陶瓷电容一旦短路，产品无法正常使用，危害很大。那么短路故障的原因是什么呢？答案是机械应力，机械应力会产生裂纹，导致电容变小或者短路。
BUCK电感的饱和电流选择不当。降压电感可能会增加输出电流，从而误触发电源进入过流保护。电源在正常工作模式和过流保护模式之间反复切换，称为打嗝模式，也可能造成一定程度的啸叫。电感器的选择必须适当。开关电源本身纹波大，多相开关电源具有纹波小，电流大的优点。通过错开相位，可以有效降低电源的纹波，抑制啸叫。要抑制啸叫，除了修改上述软件、参数和架构外，典型的方案是使用抗啸叫电容，如村田KRM系列和ZRB系列。其特殊的结构可以减少电容器的啸叫现象，吸收热量和机械冲击产生的应力，实现高可靠性。与Ta电容相比，抗啸叫MLCC的电压变化V比初始阶段小722%。在布局上也可以优化布局，电容相互交错，抑制振动。甚至有人提出在电容器旁边挖一个凹槽来缓解啸叫的方案。以上是电容器啸叫的原理和避免建议。贴片陶瓷电容较主要的失效模式断裂（封装越大越容易失效）。
叠层印刷技术(多层介质薄膜叠层印刷)，如何在零八零五、零六零三、零四零二等小尺寸基础上制造更高电容值的MLCC一直是MLCC业界的重要课题之一，近几年随着材料、工艺和设备水平的不断改进提高，日本公司已在2μm的薄膜介质上叠1000层工艺实践，生产出单层介质厚度为1μm的100μFMLCC，它具有比片式钽电容器更低的ESR值，工作温度更宽(-55℃-125℃)。表示国内MLCC制作较高水平的风华高科公司能够完成流延成3μm厚的薄膜介质，烧结成瓷后2μm厚介质的MLCC，与国外先进的叠层印刷技术还有一定差距。当然除了具备可以用于多层介质薄膜叠层印刷的粉料之外，设备的自动化程度、精度还有待提高。钽电容的容值的温度稳定性比较好。广东车规软端电容哪家便宜
陶瓷电容的另外一个特性是其直流偏压特性。无锡高容电容批发
片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容)MLCC的优点：1、由于使用多层介质叠加的结构，高频时电感非常低，具有非常低的等效串联电阻，因此可以使用在高频和甚高频电路滤波无对手；2、无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路；3、使用在低阻抗电路不需要大幅度降额；4、击穿时不燃烧，安全性高。所有都用陶瓷为介质的电容器都叫陶瓷电容，绝大部分的人都是根据贴片、插件来称呼，但是这个称呼不是很统一，还有很多人是根据形状来称呼，如片状陶瓷电容、圆形陶瓷电容、管形陶瓷电容等。对于半导体设备而言，贴片陶瓷电容非常重要，否则，那些采用较新微细加工技术制造的微处理器、DSP、微机、FPGA等半导体器件，将会失去正常工作，所以我们在选择贴片陶瓷电容的时候要慎重，无锡高容电容批发
