韶关DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574   级联功能/集成均衡/NTC/Sense  保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能多节锂电池保护电路， XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。韶关DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

XBM4X30系列产品、3或4串电池组的二级保护芯片主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。江门3T1FAA赛芯现货多串锂保应用注意事项布局。

XBM2138QFA    2串锂电池保护芯片介绍  35W以内      XBM2138QFA     内置MOS  2串锂保   内置均衡   ：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节 ，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

XBM2138内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积） 内置MOS，集成均衡功能线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。

XBM2138QFA    两串锂电池保护芯片介绍  35W以内      XBM2138QFA    2串锂保集成MOS     内置均衡   ：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节 ，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能3串 集成Sense锂电池保护IC XBM3360.南京6096J9赛芯厂家

带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。韶关DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

    主要描述XBM4530系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。 韶关DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保