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高耐压线性充电管理与较少的外部元件数目使得XC3071 XC3101成为便携式应用的理想选择。 可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时， 将自动终止充电循环。当输入电压 （交流适配器或USB电源）被拿掉时， 自动进入一个低电流状态，将电池漏电流降至2uA 以下。也可将 置于停机模式，以而将供电电流降至45uA。 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。芯片内部集成了高精度的电压检测和电流检测模块。点思DSEMI

当同时连接充电电源和用电设备时，自动进入边充边放模式。在该模式下，芯片会自动关闭内部快充输入请求。为保证用电设备的正常充电，DS5036B会将充电欠压环路提高到4.8V以上，以保证优先给用电设备供电。在VSYS电压只有5V的情况下，开启放电路径给用电设备供电；为了安全考虑，如果VSYS电压大于5.6V，不会开启放电路径。在边充边放过程中，如果拔掉充电电源，DS5036B会关闭充电功能，重新启动放电功能给用电设备供电。为了安全考虑，同时也为了能够重新使能用电设备请求快充，转换过程中会有一段时间输出电压掉到0V。在边充边放过程中，如果拔掉用电设备、用电设备充满持续15s时，DS5036B会自动关闭对应的放电路径。当放电路径都关闭，状态回到单充电模式时，会重新给移动电源快充。XB3306IR电源管理IC二合一锂电保护电流采样，连接 USB-C口采样电阻的正端。

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。

DS5136B是点思针对单节移动电源市场推出的一颗移动电源SOC。DS5136B单串移动电源+EPP无线充方案：单串电池，C口输出22.5W功率，无线充15W（苹果7.5W）；DS5136B单串移动电源+MPP无线充方案（QI2.0）：单串电池，C口输出22.5W功率，无线充15W（苹果15W）；支持3口+W输出方式，单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换，支持PD3.1/PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。点思DS5136无线充15W带载效率高达80%。边充边放（无线充放电、适配器给移动电源充电）由电源输入功率决定，优先提供无线充15W，剩余部分提供给电池。移动电源和无线充供电共用一路升降压节约成本。我们的产品优势：效率高，温度底；可实现双C输入输出；无线充边充边放为快充；性价比高，成本优；支持在线烧录；无需外加升压芯片，可直接升压至18V。太阳能充电管理方案芯片。

按应用领域分类：手机和移动设备：手机和移动设备的电源管理IC通常具有高效率、小尺寸和低功耗的特点。它们可以提供稳定的电源供应，并实现快速充电和智能电池管理等功能。电脑和服务器：电脑和服务器的电源管理IC通常具有高功率和高可靠性的特点。它们可以提供稳定的电源供应，并实现电源管理、故障保护和节能管理等功能。汽车和工业设备：汽车和工业设备的电源管理IC通常具有高温和高压的特点。它们可以提供稳定的电源供应，并实现电源管理、故障保护和电池管理等功能。移动电源 SOC高度集成多种功能模块。XB4321A电源管理IC二合一锂电保护

内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。点思DSEMI

保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。点思DSEMI