赛芯微XBL6015-SM二合一锂电保护,集成MOS,支持船运模式,关机电流低至1nA。 XB6015-SM的特点: 1.低功耗,工作电流0.4uA,关机电流1nA; 2.更贴近应用的保护电流,充电过流300mA,放电过流150mA,短路电路450mA; 3.高集成度,集成MOS,支持船运模式,集成虚焊保护功能; 4.高可靠性,支持充电器反接功能,支持带负载电芯防反接功能,ESD 8KV; 5.更好的匹配性,锂电保护无管压降,可以支持不同类型的充电芯片; 6.系列化,支持4.2-4.5V的电芯平台。根据接入设备的功率请求,自动匹配极限的电压和电流输出。电源管理ICXC3106AN

DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。过压/欠压保护:放电过程中,DS2730实时监测输入/输出电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭放电通路。过流保护:放电过程中,利用内部的高精度ADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,首先降低输出功率;如果降低功率后仍然持续过流,则触发过流保护,芯片自动关闭放电通路。过温保护:放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度(例如,MOS管)。当温度超出预设的保护门限时,降低放电功率。短路保护:放电过程中,实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时,自动关闭放电通路。XB4902A电源管理IC两串两节保护XL1507、XL1509、XL2596、XL2576。

当同时连接充电电源和用电设备时,自动进入边充边放模式。在该模式下,芯片会自动关闭内部快充输入请求。为保证用电设备的正常充电,DS5036B会将充电欠压环路提高到4.8V以上,以保证优先给用电设备供电。在VSYS电压只有5V的情况下,开启放电路径给用电设备供电;为了安全考虑,如果VSYS电压大于5.6V,不会开启放电路径。在边充边放过程中,如果拔掉充电电源,DS5036B会关闭充电功能,重新启动放电功能给用电设备供电。为了安全考虑,同时也为了能够重新使能用电设备请求快充,转换过程中会有一段时间输出电压掉到0V。在边充边放过程中,如果拔掉用电设备、用电设备充满持续15s时,DS5036B会自动关闭对应的放电路径。当放电路径都关闭,状态回到单充电模式时,会重新给移动电源快充。
电源管理芯片的工作原理:以开关稳压器中的降压型(Buck)芯片为例,其工作原理基于电感和电容的储能特性。当开关管导通时,输入电源给电感充电,电流逐渐上升,同时向电容和负载供电。当开关管关断时,电感中的电流通过二极管续流,继续向负载供电,同时电容维持输出电压的稳定。通过控制开关管的导通时间和关断时间的比例(即占空比),可以调节输出电压的大小。这种方式能够实现高效率的电压转换,尤其在处理大电流和高功率的应用中表现出色。电池电源管理芯片,包括锂离子电池(Li-ion)、锂聚合物电池(Li-Po)以及镍氢电池(Ni-MH)等。

DS3056B集成了USBType-C接口、PDPHY以及协议层解析功能,支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别,支持PD、QC、BC1.2DCP快充协议。充电时,上限充电效率为98%。集成了高效的锂电池充电管理模块,根据输入电源电压和电池电压自动匹配较佳的充电方式。涓流充电:电池电压<涓流截止电压时,执行涓流充电。恒流充电:当涓流充电使得电池电压>涓流截止电压时,进入恒流充电。恒压充电:当恒流充电使电池电压接近电池充满电压时,进入恒压充电;充电电流降至停充电流时,停止充电。如果电池电压低于复充门限值,则重新开启电池充电。充电电流降至停充电流时,停止充电。XC3098
按进入小电流模式,双击关闭输出。电源管理ICXC3106AN
XLD6031M18、XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案电源管理ICXC3106AN
芯纳科技: ESD(ElectrostaticDischarge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-bodyModel)、机器放电模式(MM:MachineModel)、元件充电模式(CDM:Charge-DeviceModel)、电场感应模式(FIM:Field-InducedModel),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD;芯片级ESD:HBM大于2KV,较高的是8KV。系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15K...