吉林半导体光电探测器批发

    【原理】非制冷型红外探测器采用红外辐射的吸收来产生电信号，其探测元件通常是一种半导体材料，例如硅和锗等。当红外辐射照射到探测元件上时，将会激发探测元件中的载流子，进而产生电信号。由于探测元件的电阻随温度的变化而变化，因此可以通过测量探测元件的电阻来实现对红外辐射的探测。【特性】非制冷型红外探测器具有体积小、重量轻、价格低廉等特点，相较于制冷型红外探测器来说，更加便于制造和使用。同时，非制冷型红外探测器还具有响应速度快、适用于宽波段的特点，因此在一些特定的应用场景中具有优势。【应用场景】非制冷型红外探测器广泛应用于热成像、火灾报警、工业检测、安防监控等领域。例如，在热成像领域，非制冷型红外探测器可以用于检测建筑物和设备的热分布，从而提高能源利用效率和安全性。此外，非制冷型红外探测器还可以用于火灾报警，可以及时发现火灾并进行报警处理。在工业检测中，非制冷型红外探测器可以检测工业设备的异常热量，从而及时发现设备故障。在安防监控领域，非制冷型红外探测器可以用于监测人员和车辆等移动目标的热分布，从而提高监控的精度和准确性。 品质光电探测器供应，就选宁波宁仪信息技术有限公司，需要请电话联系我司哦。吉林半导体光电探测器批发

    噪声等效功率：NoiseEquivalentPower当输入光功率小于**小探测光功率时，探测器会无响应信号输出。这是因为探测器是存在本底噪声的，微弱光功率输出的电信号完全被淹没在噪声里面，导致探测器无法感知目标光信号。探测器输出的信号等于噪声电流所需的入射光功率时即为噪声等效功率（NEP），常以此来衡量光电探测器接收弱光信号的能力。NEP越小，**此型号PD的探测下限越低，也就越适合于弱光探测，这个值也被用作**小可检测的入射光功率。上述基本参数对于光电探测器的选型和使用具有重要的参考意义，了解如何在系统应用中规范使用光电探测器对于确保系统测量的准确性和提高系统的探测性能至关重要。结合本文的介绍，仔细比较各型号产品的特点，助力客户精细选型，快去挑选**适合你的那个”它”吧！ 四川半导体光电探测器供应商品质光电探测器供应就选宁波宁仪信息技术有限公司，需要请电话联系我司哦！

    碲镉汞探测器(Mercurytelluridedetector)是指用碲镉材料制备的光电转换器件。该探测器属本征探测器，有光导。碲镉汞的电子有效质量小而本征载流子浓度低，吸收系数大，量子效率高，因而制成的探测器噪声低，探测率高。电子迁移率高，响应谱带宽。光伏型时间常数约为1μm、光导型的约为1μm，适合于激光架测。对于μm的应用，即带顶下一个谱带宽度处存在分裂带。利用这特性可获得高性能二级管。碲镉汞探测器具有本征激发，高吸收系数、高量子效率、高探测率和响应波段等优点，因而被广泛应用于各民用及科研领域。应用播报编辑激光对红外探测器的辐照效应及损伤机理的研究已经成为科学研究的一项重要课题。国外在本领域的研究工作起于20世纪70年代。对于激光破坏光电探测器的长久性效应做了较深入的研究。

    红外探测器是红外系统的关键，是探测、识别和分析物体红外信息的关键部件。据具体的需求和应用，红外探测器会有不同的分类方式来强调某一方面的特性。根据能量转换方式，红外探测器可以分为热探测器和光子探测器两大类；根据工作温度和制冷需求，分为制冷红外探测器和非制冷红外探测器。热探测器的工作机理就是基于入射辐射的热效应引起探测器材料温度变化。探测器材料某些物理性质会随着温度变化发生改变，通过测量这些物理性质的变化就可以测出材料吸收辐射的大小。热探测器利用的热效应，热吸收与入射辐射的波长无关，热敏单元的温度变化较慢，室温环境下就可以观测到热敏单元的温度变化。光子探测器是基于入射光子流与探测器材料的相互作用产生光电效应。探测器通过测量光电效应的大小可以计算得到吸收辐射的大小。光电效应是半导体中电子吸收光子而产生的效应，通常情况下，必须将半导体冷却到较低温度才能够观测到光电效应。同时，入射光子能量要大于一定值时才能产生光电效应，所以光子探测器具有截止波长。 需要品质光电探测器供应可以选宁波宁仪信息技术有限公司！

    近十年来，面阵碲镉汞红外焦平面器件发展所采用的主要技术路线为CdZnTe基、GaAs基和硅基HgCdTe焦平面技术，面阵规模从320×256的面阵发展到中大规模的640×512、1k×512和1k×1k焦平面器件，以及2k×512和2k×2k焦平面器件。与此同时，面阵焦平面像元尺寸从30、25、18μm发展到15μm。随红外焦平面阵列规模不断扩大，传统CdZnTe衬底尺寸限制，使Si基HgCeTe成为突破衬底尺寸的限制、发展大规格面阵焦平面的一条有效途径，为此，在GaAs碲镉汞分子束外延技术的基础上，SITP重点发展了3in/4in硅衬底上分子束外延生长的碲镉汞材料制备技术，在芯片工艺中采用芯片级应力释放结构设计，精确控制了pn结耗尽区位置，降低了芯片表面处理对pn结漏电的影响，还同时采用了硅基碲镉汞材料组分缓变结构、精确控制芯片腐蚀深度等措施，降低了耗尽区漏电，从而改善了pn结特性，获得了25~30μm中心距的640×512红外焦平面器件和18μm中心距1024×1024红外焦平面器件，短波/中波红外焦平面平均探测率分别大于1×1012cmHz1/2/W、5×1011cmHz1/2/W，噪声等效温差小于15mK，响应非均匀性小于5%。图4为640×512碲镉汞中波红外焦平面组件和成像。 品质光电探测器供应选择宁波宁仪信息技术有限公司，需要可以电话联系我司哦！安徽光电探测器供应商

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    光电探测器的关键参数主要有响应波长范围、带宽、响应时间、响应度以及入射光功率范围等，它们是光电探测器选型的重要依据，同时也是评估器件性能的指标。下面我们就一起来了解下光电探测器的关键参数吧！01.波长响应范围：WavelengthResponseRange当入射光的能量（hv）大于材料的禁带宽度时，价带电子跃迁到导带形成光电流，从而形成有效响应，其对光信号响应的波长范围即为光电探测器的工作波长。因此，探测器的工作波长主要取决于探测器材料类型。光电探测器中的光芯片通常由半导体材料制成，丰富的半导体材料使得探测器工作波长覆盖紫外至红外波段。其中，紫外波段(200-400nm)的探测器材料包括氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)和碳化硅(SiC)等；可见光波段主要使用硅(Si)基材料，硅基探测器工作波长分布在可见波段到近红外波段(400-1100nm)；而近红外波段常用的材料主要是铟镓砷(InGaAs，900-1700nm)和锗(Ge，800-1800nm)，目前铟镓砷材料经过扩展探测范围可以达到2700nm；在中红外波段常用材料包括铟砷锑(InAsSb，μm)和碲镉汞(MCT，μm)。不同材料的探测器工作波长范围不同，响应度比较高的波长被称为峰值相应波长。如果波长选择不匹配，光电探测器将对探测信号无响应。 吉林半导体光电探测器批发