北京XBM2138赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

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芯纳科技还配备专业的技术团队，针对智能穿戴设备的特殊需求，能为客户提供从产品选型到方案优化的全流程技术支持，比如协助客户解决 IC 与设备主板的兼容性问题、优化充电效率参数等。同时，在供货周期上，芯纳科技凭借与原厂的深度合作关系，可实现快速响应，客户下单后 48 小时内即可安排发货，大幅缩短客户的采购周期，帮助客户加快产品上市节奏，在激烈的智能穿戴设备市场竞争中抢占先机。 IC 集成过压、过流、过温等多重保护机制，可有效保障医疗设备在充电过程中的安全，符合医疗行业的严格标准。作为代理商，深圳市芯纳科技的优势进一步强化了客户合作信心。首先，芯纳科技拥有完善的品质管控体系，所有赛芯 XR4981A 均直接从原厂采购，每一批次产品都经过严格的质量检测，确保产品 100% 质量且性能达标，为医疗设备的安全运行筑牢道防线。扬州DS5136赛芯厂家芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM3215DGB 现货在售，助力客户高效采购。

 4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM7102 型号现货供应，可及时响应采购订单。

XBM2138QFA2串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA内置MOS2串锂保内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能多节锂电保护产品详细介绍。扬州XBM3204BCA赛芯原厂

多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30。北京XBM2138赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积）内置MOS，集成均衡功能  XBM2138北京XBM2138赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保