企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

芯纳科技针对物联网传感器行业的特点,提供定制化的技术服务,比如为客户提供赛芯 XR4981A 与传感器主板的集成方案指导,协助客户进行功耗测试和优化,帮助客户进一步提升传感器设备的续航能力。此外,芯纳科技还为客户提供完善的售后保障,若客户在使用赛芯 XR4981A 过程中出现质量问题,可享受 7 天无理由退换货服务,同时专业售后团队会全程跟进问题解决,确保客户的生产经营不受影响。另外,作为代理商,芯纳科技还能为客户提供更优惠的采购价格,相比非代理渠道,可为客户降低 10%-15% 的采购成本,帮助物联网传感器厂商提升产品竞争力。高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片,具有功能全、集成度高,外部电路简单。北京6096J9m赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

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2串锂保集成MOS船运模式XBM325两串锂电池保护芯片介绍35W以内2串锂保集成MOS内置均衡船运模式:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节:保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能南京DS3730赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保芯纳科技提供赛芯芯片代理服务,XBM325 现货在售,保障客户生产需求。

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 4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能

ICXBM7102系列是一种高度集成的保护芯片,多节锂电保护产品功能-全保护7〜10串锂离子/锂聚合物电池二级保护推挽,次级保护IC7〜10串锂离子/锂聚合物电池保护   旨在保护7至10串锂离子或锂聚合物电池。它可以降低电池损坏或寿命缩短的。XBM7102系列可提供过度充电,过度放电,开放线和充电/discharge过度保护。充电/放电低温保护。可以通过外部电阻**设置XBM7102系列的超高保护阈值/过度保护阈值和放电阈值。XBM7102系列可以直接驱动。多节锂电保护产品功能-全保护7〜10串锂离子/锂聚合物电池二级保护推挽,次级保护IC7〜10串锂离子/锂聚合物电池保护ICXBM7102系列是一种高度集成的保护芯片,旨在保护7至10串锂离子或锂聚合物电池。它可以降低电池损坏或寿命缩短的。XBM7102系列可提供过度充电,过度放电,开放线和充电/discharge过度保护。充电/放电低温保护。可以通过外部电阻**设置XBM7102系列的超高保护阈值/过度保护阈值和放电阈值。XBM7102系列可以直接驱动。多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30。

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移动电源应用两串锂电池保护芯片介绍、35W以内、XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节:保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能、XBM2138QFA芯纳科技代理赛芯芯片,XBM3215JFG 现货充足,作为代理可保障快速供货。惠州XBM5773赛芯方案公司

芯纳科技是赛芯芯片代理服务商,XBM7101 型号当前现货,为客户提供可靠货源。北京6096J9m赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计,锂电保护的GND接电池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的,VT脚通常可接芯片GND(B-),或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与,滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰,使得VDD电压尽量稳定,该电阻和电容缺一不可,缺少任何一个都会有少烧芯片的可能,增加生产的不良率(XB5432不加电容)。不同IC的电阻取值有差异,请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等,可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个,可以增强锂电保护电路的系统级ESD,增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用,减小内阻,增强持续电流,多芯片并联使用时,芯片VDD的RC网络,电阻可共用,但电容须要一个保护芯片配一个电容。北京6096J9m赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

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