珠海DS5136赛芯集成MOS 两节锂保

 电量计芯 片是一种用于监测和计算锂电池电量的集成电路。其原理通常是通过测量一个特定电阻两端的电压，将电压除以该电阻的阻值得到即时电流值，芯片内集成的取样电阻在流过不同电流时会产生不同压差，芯片对这个电压和时间进行积分，从而得到用户使用时的正确电量，常采用库仑计数法实现这一功能\应用场景随着各类智能移动终端的普及，电量计芯片的应用越发***，除了常见的手机、充电宝、无线耳机充电盒等设备，还包括电动汽车、储能系统等领域。例如，手机需要准确显示电池电量，电动汽车需要精确估算续航里程，这些都离不开电量计芯片。市场趋势目前电子产品往小型化、智能化发展，电量计量功能已被多种协议芯片、电源管理芯片所集成，很多产品出于成本及集成度考虑采用协议芯片中集成的电量计功能进行电量显示。但**的电量计芯片测量效果往往更好芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3215MDA 现货供应，满足客户即时生产需求。珠海DS5136赛芯集成MOS 两节锂保

XR4981A，深圳市芯纳科技为电子雾化设备企业供应赛芯  在供电系统场景中发挥重要作用。对供电模块的安全性和稳定性要求严苛，赛芯XR4981A的输出电压范围为VIN-36V，能精细匹配雾化器的工作电压，确保烟雾量稳定。实际测试表明，搭载该控制器的，在连续使用1000次后，输出电压波动不超过±2%，避免了因电压不稳导致的雾化芯损坏。其高效的能量转换能力，使电池电量利用率提升6%，单次充电可支持更多次使用，减少了用户充电频率。此外，该控制器具备过流保护功能，当电路出现异常电流时会自动切断输出，降低了的安全隐患。采用QFN封装后，其抗振动性能增强，适应日常携带中的颠簸场景，确保的长期稳定运行，为电子雾化设备的安全使用提供了有力保障。韶关2m1EAB赛芯集成MOS 两节锂保芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商，在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高，赛芯 XR4981A 采用超小封装设计，能完美适配智能手表、手环等紧凑空间，同时低功耗特性可有效延长设备续航时间，满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障，作为官方授权代理商，芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源，可避免因原厂供货波动导致的断供风险，确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。

芯纳科技针对物联网传感器行业的特点，提供定制化的技术服务，比如为客户提供赛芯 XR4981A 与传感器主板的集成方案指导，协助客户进行功耗测试和优化，帮助客户进一步提升传感器设备的续航能力。此外，芯纳科技还为客户提供完善的售后保障，若客户在使用赛芯 XR4981A 过程中出现质量问题，可享受 7 天无理由退换货服务，同时专业售后团队会全程跟进问题解决，确保客户的生产经营不受影响。另外，作为代理商，芯纳科技还能为客户提供更优惠的采购价格，相比非代理渠道，可为客户降低 10%-15% 的采购成本，帮助物联网传感器厂商提升产品竞争力。芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM3204JFG 型号现货在售，保障供应链稳定。

3或4串电池组的  二级保护芯片   主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。XBM4X30系列产品、芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM4551 型号当前现货，可满足客户即时采购。南京XBM5770 赛芯内置MOS 两节锂保

带电池正负极反接保护的充电管理。珠海DS5136赛芯集成MOS 两节锂保

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。珠海DS5136赛芯集成MOS 两节锂保