发光二极管(LED)将电能直接转化为光能,颠覆了传统照明模式。早期 GaAsP 红光 LED(光效 1lm/W)用于仪器指示灯,而氮化镓蓝光 LED(20lm/W)的诞生,配合荧光粉实现白光照明(光效>100lm/W),能耗为白炽灯的 1/10。Micro-LED 技术将二极管尺寸缩小至 10μm,在 VR 头显中实现 5000PPI 像素密度,亮度达 3000nit,同时功耗降低 70%。UV-C LED(275nm)在期间展现消杀能力,99.9% 病毒灭活率使其成为电梯按键、医疗设备的标配。LED 从单一指示灯发展为智能光源,重塑了显示与照明的技术格局。二极管并联使用时要注意均流问题,串联时要考虑均压问题。北仑区稳压二极管报价

材料创新始终是推动二极管性能提升与应用拓展的动力。传统的硅基二极管正不断通过优化工艺,提升性能。而以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为的宽禁带半导体材料,正二极管进入全新发展阶段。SiC 二极管凭借高击穿场强、低导通电阻,在高压、大功率应用中优势;GaN 二极管则以其高电子迁移率、超高频性能,在 5G 通信、高速开关电源等领域大放异彩。此外,新兴材料如石墨烯、黑磷等,也展现出在二极管领域的应用潜力,有望催生性能更、功能更独特的二极管产品,打开新的市场空间。禅城区LED发光二极管稳压二极管是特殊类型,能在反向击穿时保持电压稳定不变。

在射频领域,二极管承担着信号调制、放大与切换的关键功能。砷化镓肖特基势垒二极管(SBD)在 5G 基站的 28GHz 毫米波电路中,以 0.15pF 寄生电容实现低损耗混频,变频损耗<8dB,助力基站覆盖半径扩大 50%。变容二极管(如 BB181)通过反向电压调节结电容(变化率 10:1),在手机调谐电路中支持 1-6GHz 频段切换,实现 5G 与 Wi-Fi 6 的无缝连接。雷达系统中,雪崩二极管产生的纳秒级脉冲(宽度<10ns),使测距精度达米级,成为自动驾驶激光雷达(LiDAR)的信号源。高频二极管以的频率特性,推动通信技术向更高频段突破。
发光二极管基于半导体的电致发光效应,当 PN 结正向导通时,电子与空穴在结区复合,释放能量并以光子形式发出。半导体材料的带隙宽度决定发光波长:例如砷化镓(带隙较窄)发红光,氮化镓(带隙较宽)发蓝光。通过荧光粉转换技术(如蓝光激发黄色荧光粉)可实现白光发射,光效可达 150 流明 / 瓦(远超白炽灯的 15 流明 / 瓦)。量子阱结构通过限制载流子运动范围,将复合效率提升至 80% 以上,倒装焊技术则降低热阻,延长寿命至 5 万小时。Micro-LED 技术将芯片尺寸缩小至 10 微米级,像素密度可达 5000PPI,推动超高清显示技术发展。整流桥由多个二极管巧妙组合而成,高效实现全波整流,为设备供应平稳的直流电源。

1907 年,英国科学家史密斯发现碳化硅晶体的电致发光现象,虽亮度 0.1mcd(烛光 / 平方米),却埋下 LED 的种子。1962 年,通用电气工程师霍洛尼亚克发明首只红光 LED(GaAsP),光效 1lm/W,主要用于仪器面板指示灯;1972 年,惠普推出绿光 LED(GaP),光效提升至 10lm/W,使七段数码管显示成为可能,计算器与电子表从此拥有清晰读数。1993 年,中村修二突破氮化镓外延技术,蓝光 LED(InGaN)光效达 20lm/W,与红绿光组合实现全彩显示 —— 这一突破使 LED 从 “指示灯” 升级为 “光源”,2014 年中村因此获诺贝尔奖。 21 世纪,LED 进入爆发期:2006 年,白光 LED(荧光粉转换)光效突破 100lm/W,替代白炽灯成为主流照明;2017 年,Micro-LED 技术将二极管尺寸缩小至 10μm,像素密度达 5000PPI电子玩具中的二极管为其增添发光、发声等有趣功能。浦东新区MOSFET场效应管二极管哪里有卖的
碳化硅二极管耐高压高温,适配新能源汽车与光伏。北仑区稳压二极管报价
光电二极管基于内光电效应实现光信号到电信号的转换。当 PN 结受光照射,光子激发电子 - 空穴对,在结区电场作用下形成光电流,反向偏置时效应更。通过减薄有源层与优化电极,响应速度可达纳秒级。 硅基型号(如 BPW34)在可见光区量子效率超 70%,用于光强检测;PIN 型增大耗尽区宽度,在光纤通信中响应度达 0.9A/W;雪崩型(APD)利用倍增效应,可检测单光子信号,用于激光雷达。 车载 ADAS 系统中,近红外光电二极管(850-940nm)夜间可捕捉 200 米外目标,推动其向高灵敏度、低噪声发展,满足自动驾驶与智能传感需求。北仑区稳压二极管报价