电容基本参数
  • 品牌
  • 芯声
  • 型号
  • 齐全
  • 介质材料
  • 高频瓷介,半导体瓷,低频瓷介
  • 工作电压
  • 高压,中压,低压
  • 用途
  • 谐振,温度补偿,旁路,滤波,隔直流,耦合,放大信
  • 调节方式
  • 固定,微调,可变
  • 厂家
  • 江苏芯声微电子科技有限公司
电容企业商机

电容与直流偏置电压的关系:***类型电介质电容器的电容与DC偏置电压无关。第二类型电介质电容器的电容随DC偏压而变化,陶瓷电容器允许负载的交流电压与电流和频率的关系主要受电容器ESR的影响;相对来说,C0G的ESR比较低,所以可以承受比较大的电流,对应的允许施加的交流电压也比较大;X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比较大,可以承受C0G以下。同时由于电容远大于C0G,所以施加的电压会比C0G小很多。1类介质电容器允许电压、电流和频率的解释当负载频率较低时,即使负载的交流电压为额定交流电压,当流经电容器的电流低于额定电流时,允许电容器负载额定交流电压,即平坦部分;液态电解电容采用的介电材料为电解液,而固态电容采用的是导电性高分子。浙江电容批发

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当负载频率上升到电容器中流动的交流电流的额定电流值时,即使负载电压没有达到额定交流电压,也需要降低电容器的负载交流电压,以保证流经电容器的电流不超过额定电流值,即左图曲线开始下降;但是,负载频率不断上升,电容器损耗因数引起的发热成为电容器负载电压的主要限制因素,即负载电压会随着频率的增加而急剧下降,即左中图中曲线的急剧下降部分与负载交流电压相反。当电容器加载的交流电流频率较低时,即使电流没有达到额定电流,电容器上的交流电压也已经达到其额定值,即加载交流电流受到电容器额定电压的限制,加载交流电流随着频率的增加而增加。徐州X7R电容生产厂家常用陶瓷电容容量范围:0.5pF~100uF。

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电容量与体积由于电解电容器多数采用卷绕结构,很容易扩大体积,因此单位体积电容量非常大,比其它电容大几倍到几十倍。但是大电容量的获取是以体积的扩大为代价的,开关电源要求越来越高的效率,越来越小的体积,因此,有必要寻求新的解决办法,来获得大电容量、小体积的电容器。在开关电源的原边一旦采用有源滤波器电路,则铝电解电容器的使用环境变得比以前更为严酷:(1)高频脉冲电流主要是20kHz~100kHz的脉动电流,而且大幅度增加;(2)变换器的主开关管发热,导致铝电解电容器的周围温度升高;(3)变换器多采用升压电路,因此要求耐高压的铝电解电容器。这样一来,利用以往技术制造的铝电解电容器,由于要吸收比以往更大的脉动电流,不得不选择大尺寸的电容器。结果,使电源的体积庞大,难以用于小型化的电子设备。为了解决这些难题,必须研究与开发一种新型的电解电容器,体积小、耐高压,并且允许流过大量高频脉冲电流。另外,这种电解电容器,在高温环境下工作,工作寿命还须比较长。

高扛板弯电容的定义:高扛板弯电容是一种专为‌高耐压场景‌设计的电容器,其中心特性在于能够承受‌高压电场‌和‌机械应力‌(如电路板弯曲或振动)。这类电容通常采用‌多层陶瓷介质‌或‌特殊加固结构‌,通过优化极板与介质的组合方式,提升抗电压击穿能力和抗形变性能。高扛板弯电容的‌工作原理‌:与常规电容类似,其通过两极板间电场存储电荷,遵循公式Q=C×V(电荷量=电容值×电压)。极板面积越大、间距越小(介质介电常数高),容量越大。‌‌介质强化‌:采用高介电强度的陶瓷材料(如钛酸钡基介质),降低高压下的击穿风险。‌结构加固‌:通过分层堆叠极板或使用柔性封装材料,减少机械应力引发的内部裂纹。‌在电路板弯曲或振动环境中,电容通过‌低应力焊接工艺‌(如柔性端接)或‌分立式安装设计‌,分散外部应力,避免内部介质开裂导致短路或容量衰减。固态和液态电解电容,二者的本质区别在于介电材料的不同。

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MLCC电容1.成分:陶瓷粉、粘合剂、溶剂等。按一定比例球磨一定时间,形成陶瓷浆料。2.流延:将陶瓷浆料通过流延机的浇注口,涂在旁通的PET膜上,使浆料形成均匀的薄层,然后通过热风区(挥发掉浆料中的大部分溶剂),干燥后即可得到陶瓷膜。通常,膜的厚度在10um和30um之间。3.印刷:根据工艺要求,将内电极糊印刷通过丝网印刷板涂在陶瓷隔膜上。4.层压:根据设计位错要求将具有内部电极的印刷陶瓷隔膜层压在一起以形成MLCC棒。5.制作盖子:制作电容器的上下保护片。层压时,在底部和顶部表面添加陶瓷保护片,以增加机械强度并提高绝缘性能。想使电容容量大,有三种方法: ①使用介电常数高的介质 ②增大极板间的面积 ③减小极板间的距离。苏州陶瓷电容器

钽电容在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。浙江电容批发

叠层印刷技术(多层介质薄膜叠层印刷),如何在零八零五、零六零三、零四零二等小尺寸基础上制造更高电容值的MLCC一直是MLCC业界的重要课题之一,近几年随着材料、工艺和设备水平的不断改进提高,日本公司已在2μm的薄膜介质上叠1000层工艺实践,生产出单层介质厚度为1μm的100μFMLCC,它具有比片式钽电容器更低的ESR值,工作温度更宽(-55℃-125℃)。表示国内MLCC制作较高水平的风华高科公司能够完成流延成3μm厚的薄膜介质,烧结成瓷后2μm厚介质的MLCC,与国外先进的叠层印刷技术还有一定差距。当然除了具备可以用于多层介质薄膜叠层印刷的粉料之外,设备的自动化程度、精度还有待提高。浙江电容批发

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