光刻工艺就是将光学掩膜版的图形转移至光刻胶中。掩膜版按基板材料分为树脂和玻璃基板，其中玻璃基板又包含石英玻璃，硅硼玻璃，苏打玻璃等，石英玻璃硬度高，热膨胀系数低但价格较高等主要用于高精度领域；按光学掩膜版的遮光材料可分为乳胶遮光模和硬质遮光膜，硬质遮光膜又细分为铬，硅，硅化钼，氧化铁等。在半导体领域，铬-石英版因其性能稳定，耐用性，精度高等在该领域被广泛应用。我国的光学掩膜版制作始于20世纪60年代，当时基板主要进口日本“樱花”玻璃及美国柯达玻璃。1978年，我国大连玻璃厂当时实现制版玻璃的产业化，成品率10%左右。80年代后期，基板主要采用平拉玻璃。到90年代，浮法玻璃技术技术较为成熟，开始使用浮法玻璃作为基板，2005年使用超白浮法玻璃作为基板。2010年以后，光掩模基板石英玻璃开始投产，其质量能基本满足IC产业光掩模版基板的高精度需求。随着市场对大直径硅片的需求，大尺寸玻璃基板也同时趋向于大型化，对光掩模石英玻璃基板也提出了更高的要求。匀胶机的转速精度是一项重要的指标。佛山光刻
当图形尺寸大于3μm时，湿法刻蚀广用于半导体生产的图形化过程。湿法刻蚀具有非常好的选择性和高刻蚀速率，这根据刻蚀剂的温度和厚度而定。比如，氢氟酸（HF）刻蚀二氧化硅的速度很快，但如果单独使用却很难刻蚀硅。因此在使用氢氟酸刻蚀硅晶圆上的二氧化硅层时，硅衬底就能获得很高的选择性。相对于干法刻蚀，湿法刻蚀的设备便宜很多，因为它不需要真空、射频和气体输送等系统。然而当图形尺寸缩小到3μm以下时，由于湿法刻蚀为等向性刻蚀轮廓（见图2），因此继续使用湿法刻蚀作为图形化刻蚀就变得非常困难，利用湿法刻蚀处理图形尺寸小于3μm的密集图形是不可能的。由于等离子体刻蚀具有非等向性刻蚀轮廓，在更精密的图形化刻蚀中，等离子体刻蚀就逐渐取代了湿法刻蚀。湿法刻蚀因高选择性被用于剥除晶圆表面的整面全区薄膜。微纳光刻实验室光刻误差校正技术明显提高了芯片制造的良品率。
光源的稳定性对于光刻工艺的一致性和可靠性至关重要。在光刻过程中，光源的微小波动都可能导致曝光剂量的不一致，从而影响图形的对准精度和终端质量。为了确保光源的稳定性，光刻机通常采用先进的控制系统，实时监测和调整光源的强度和波长。这些系统能够自动补偿光源的波动，确保在整个光刻过程中保持稳定的输出功率和光谱特性。此外，对于长时间连续工作的光刻机，还需要对光源进行定期维护和校准，以确保其长期稳定性和可靠性！
光刻（Photolithography)是一种图形转移的方法，在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念，其实它是有多步工序所组成的。1.清洗：清洗衬底表面的有机物。2.旋涂：将光刻胶旋涂在衬底表面。3.曝光。将光刻版与衬底对准，在紫外光下曝光一定的时间。4.显影：将曝光后的衬底在显影液下显影一定的时间，受过紫外线曝光的地方会溶解在显影液当中。5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘，以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。光刻机常用光源介绍。
在光学光刻中，光致抗蚀剂通过光掩模用紫外光曝光。紫外接触式曝光机使用了较短波长的光（G线435nm，H线405nm，I线365nm）。接触光刻机属于这种光学光刻。掩膜版的制作则是通过无掩膜光刻技术得到。设计图案由于基本只用一次，一般使用激光直写技术或者电子束制作掩膜版，通过激光束在光刻胶上直接扫描曝光出需要的图形，在经过后续工艺，得到需要的掩膜版。激光直写系统包括光源，激光调制系统，变焦透镜，工件台控制系统，计算机控制系统等。速度和加速度是决定匀胶获得薄膜厚度的关键因素。曝光光刻
对于透明基片的双面光刻加工，其准标记可灵活设计。佛山光刻
基于掩模板图形传递的光刻工艺可制作宏观尺寸的微细结构，受光学衍射的极限，适用于微米以上尺度的微细结构制作，部分优化的光刻工艺可能具有亚微米的加工能力。例如，接触式光刻的分辨率可能到达0.5μm，采用深紫外曝光光源可能实现0.1μm。但利用这种光刻技术实现宏观面积的纳米/亚微米图形结构的制作是可欲而不可求的。近年来，国内外比较多学者相继提出了超衍射极限光刻技术、周期减小光刻技术等，力求通过曝光光刻技术实现大面积的亚微米结构制作，但这类新型的光刻技术尚处于实验室研究阶段。佛山光刻
