沉积工艺也可分为化学气相沉积和物理的气相沉积。CVD的优点是速率快，且由于在晶圆表面发生化学反应，拥有台阶覆盖率。但从上述化学方程式中不难看出，其缺点就是产生副产物废气。在半导体制程中，很难将这些废气完全排出，难免会参杂些不纯物质。因此，CVD多用于不需要精确把控材料特性的沉积涂层，如沉积各种消耗性的膜层（硬掩模）或各种厚绝缘薄膜等。PVD则向晶圆表面直接轰击要沉积的材料。也就是说，如果想在晶圆表面沉积A物质，则需将A物质气化后，使其沉积到晶圆表面。常用的PVD方法有溅射，这在刻蚀工艺中也曾涉及过。在这种方法中，我们先向A物质靶材轰击离子束（主要采用惰性气体），使A物质粒子溅射出来，再将脱落的粒子转移至硅片表面，并形成薄膜。PVD的优点是无副产物，沉积薄膜的纯度高，且还可以沉积钨（W）、钴（Co）等无反应能力的纯净物材料。因此，多用于纯净物的金属布线。真空镀膜技术一般分为两大类，即物理的气相沉积技术和化学气相沉积技术。淮南真空镀膜涂料
LPCVD设备中的工艺参数之间是相互影响和相互制约的，不能单独考虑或调节。例如，反应温度、压力、流量、种类和比例都会影响反应速率和沉积速率，而沉积速率又会影响薄膜的厚度和时间。因此，为了得到理想的薄膜材料，需要综合考虑各个工艺参数之间的关系和平衡，通过实验或模拟来确定比较好的工艺参数组合。一般来说，LPCVD设备中有以下几种常用的工艺参数优化方法：（1）正交试验法，是指通过设计正交表来安排实验次数和水平，通过分析实验结果来确定各个工艺参数对薄膜性能的影响程度和比较好水平；（2）响应面法，是指通过建立数学模型来描述各个工艺参数与薄膜性能之间的关系，通过求解模型来确定比较好的工艺参数组合；（3）遗传算法法，是指通过模拟自然选择和遗传变异等过程来搜索比较好的工艺参数组合。驻马店PVD真空镀膜热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化。
LPCVD设备的设备构造可以根据不同的反应室形状和衬底放置方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）水平式LPCVD设备，是指反应室呈水平圆筒形，衬底水平放置在反应室内部或外部的托盘上，气体从一端进入，从另一端排出；（2）垂直式LPCVD设备，是指反应室呈垂直圆筒形，衬底垂直放置在反应室内部或外部的架子上，气体从下方进入，从上方排出；（3）旋转式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出；（4）行星式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转并围绕中心轴转动的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出。
介质薄膜是重要的半导体薄膜之一。它可用作电路间的绝缘层，掩蔽半导体主要元件的相互扩散和漏电现象，从而进一步改善半导体操作性能的可靠性；它还可用作保护膜，在半导体制程的环节生成保护膜，保护芯片不受外部冲击；或用作隔离膜，在堆叠一层层元件后进行刻蚀时，防止无需移除的部分被刻蚀。浅槽隔离（STI，ShallowTrenchIsolation）和金属层间电介质层（就是典型的例子。沉积材料主要有二氧化硅（SiO2），碳化硅（SiC）和氮化硅（SiN）等。镀膜技术可用于提升产品的抗老化性能。
LPCVD设备中较新的是垂直式LPCVD设备，因为其具有结构紧凑、气体分布均匀、薄膜厚度一致、颗粒污染少等优点。垂直式LPCVD设备可以根据不同的气体流动方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）层流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向平行流动，从反应室上方排出；（2）湍流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向紊乱流动，从反应室上方排出；（3）对流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向循环流动，从反应室下方排出。薄膜应力的起源是薄膜生长过程中的某种结构不完整性(杂质、空位、晶粒边界、错位等)、表面能态的存在等。上海真空镀膜价钱
真空镀膜可明显提高产品的使用寿命。淮南真空镀膜涂料
影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒。淮南真空镀膜涂料
