反应溅射是在溅射镀膜中，引入某些活性反应气体与溅射成不同于靶材的化合物薄膜。反应气体有Ｏ2、Ｎ2、ＣＨ4等。反应溅射的靶材可以是纯金属，也可以是化合物，反应溅射也可采用磁控溅射。如氮化铝薄膜可以采用磁控溅射铝靶材，气体通入一比一的氩气和氮气，反应溅射的优点是比直接溅射氮化铝靶材时间更快。磁控溅射可改变工作气体与氩气比例从而进行反应溅射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氩气作为工作气体，而氮气作为反应气体，能得到SiNx薄膜。通入氧气与氮气从而获得各种材料的氧化物与氮化物薄膜，通过改变反应气体与工作气体的比例也能对溅射速率进行调整，薄膜内组分也能相应调整。但反应气体过量时可能会造成靶中毒。真空镀膜过程中需防止尘埃污染。黑龙江金属真空镀膜
电子束蒸发法是真空蒸发镀膜中一种常用的方法，是在高真空条件下利用电子束激发进行直接加热蒸发材料，是使蒸发材料由固体转变为气化并向衬底输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的材料放置于底部有循环水冷的坩埚当中，可避免电子束击穿坩埚导致仪器损坏，而且可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜。在微电子与光电子集成中，薄膜的形成方法主要有两大类，及沉积和外延生长。沉积技术分为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法；化学气相沉积是典型的化学方法；等离子体增强化学气相沉积是物理与化学方法相结合的混合方法。薄膜沉积过程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉积部位和晶态结构都是随机的，而没有固定的晶态结构。黑龙江金属真空镀膜真空镀膜在太阳能领域有普遍应用。
LPCVD技术是一种在低压下进行化学气相沉积的技术，它有以下几个优点高质量：LPCVD技术可以在低压下进行高温沉积，使得气相前驱体与衬底表面发生充分且均匀的化学反应，形成高纯度、低缺陷密度、低氢含量、低应力等特点的薄膜材料。高均匀性：LPCVD技术可以在低压下进行大面积沉积，使得气相前驱体在衬底表面上有较长的停留时间和较大的扩散距离，形成高均匀性和高一致性的薄膜材料。高精度：LPCVD技术可以通过调节压力、温度、气体流量和时间等参数来控制沉积速率和厚度，形成高精度和可重复性的薄膜材料。高效率：LPCVD技术可以采用批量装载和连续送气的方式来进行沉积。
LPCVD设备的工艺参数还需要考虑以下几个方面的因素：（1）气体前驱体的纯度和稳定性，影响了薄膜的杂质含量和沉积速率；（2）气体前驱体的分解和聚合特性，影响了薄膜的化学成分和结构形貌；（3）反应了室内的气体流动和分布特性，影响了薄膜的厚度均匀性和颗粒污染；（4）衬底材料的热膨胀和热应力特性，影响了衬底材料的形变和开裂；（5）衬底材料和气体前驱体之间的相容性和反应性，影响了衬底材料和薄膜之间的界面反应和相变。反应气体过量就会导致靶中毒。
真空镀膜的优点：1、镀覆材料广，可作为真空镀蒸发材料有几十种，包括金属、合金和非金属。真空镀膜加工还可以像多层电镀一样，加工出多层结构的复合膜，满足对涂层各种不同性能的需求；2、真空镀膜技术可以实现不能通过电沉积方法形成镀层的涂覆：如铝、钛、锆等镀层，甚至陶瓷和金刚石涂层，这是十分难能可贵的；3、真空镀膜性能优良：真空镀膜厚度远小于电镀层，但涂层的耐摩擦和耐腐蚀性能良好，孔隙率低，而且无氢脆现象，相对电镀加工而言可以节约大量金属材料；4、环境效益优异：真空镀膜加工设备简单、占地面积小、生产环境优雅洁净，无污水排放，不会对环境和操作者造成危害。在注重环境保护和大力推行清洁生产的形势下，真空镀膜技术在许多方面可以取代电镀加工。热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化。北京纳米涂层真空镀膜
聚酰亚胺PI也可作为层间介质应用，具有优异的电绝缘性、耐辐照性能、机械性能等特性。黑龙江金属真空镀膜
目前认为溅射现象是弹性碰撞的直接结果，溅射完全是动能的交换过程。当正离子轰击阴极靶，入射离子撞击靶表面上的原子时，产生弹性碰撞，它直接将其动能传递给靶表面上的某个原子或分子，该表面原子获得动能再向靶内部原子传递，经过一系列的级联碰撞过程，当其中某一个原子或分子获得指向靶表面外的动量，并且具有了克服表面势垒(结合能)的能量，它就可以脱离附近其它原子或分子的束缚，逸出靶面而成为溅射原子。ITO薄膜的磁控溅射靶主要分为InSn合金靶、In2O3-SnO2陶瓷靶两类。在用合金靶制备ITO薄膜时,由于溅射过程中作为反应气体的氧会和靶发生很强的电化学反应,靶面覆盖一层化合物,使溅射蚀损区域缩得很小(俗称“靶中毒”),以至很难用直流溅射的方法稳定地制备出高质的ITO膜。陶瓷靶因能抑制溅射过程中氧的选择性溅射,能稳定地将金属铟和锡与氧的反应物按所需的化学配比稳定地成膜,故无中毒现象,工艺窗口宽,稳定性好。黑龙江金属真空镀膜
