XB5352A电源管理IC拓微电子

CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片，输入电压范围，能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管，不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置，恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路，可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时，CN3125自动进入低功耗的睡眠模式，此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。其他功能包括芯片使能输入端，电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。芯纳科技的锂电池充电管理 IC 可降低充电纹波，减少电路干扰影响设备。XB5352A电源管理IC拓微电子

DS5136B-1S-22.5W方案：单串22.5-27W双向移动电源。DS5136B是点思针对单节移动电源市场推出的一颗移动电源SOC。DS5136B-1S-22.5W方案：单串电池，支持22.5-27W功率选择，支持CCAA、CC线L线A、CLinAA等输出方式，单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入小电流模式。支持CC-CV切换，支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/VOOC/BC1.2DCP、APPLE2.4A等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。3e1De芯纳科技的锂电池充电管理 IC 结构紧凑，适合小型化电子产品装配使用。

DS6036B 电源管理芯片的工作原理：以开关稳压器中的降压型（Buck）芯片为例，其工作原理基于电感和电容的储能特性。当开关管导通时，输入电源给电感充电，电流逐渐上升，同时向电容和负载供电。当开关管关断时，电感中的电流通过二极管续流，继续向负载供电，同时电容维持输出电压的稳定。通过控制开关管的导通时间和关断时间的比例（即占空比），可以调节输出电压的大小。这种方式能够实现高效率的电压转换，尤其在处理大电流和高功率的应用中表现出色。

1保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。芯纳科技的电源管理芯片适用于储能电源，实现大容量电能管控作业。

主要参数：针对磷酸铁锂电芯，充电电压3.6V，充电电流可达900mA，耐压30V，OVP=6.8V，采用ESOP8封装。 概述 XC3098VYP是一款完整的恒流恒压线性充电芯片。 r f 或单节锂离子电池。其 ESOP 8 封装和低外部元件数量使 XC3098VYP 非常适合便携式应用。此外，XC3098VYP 专门设计用于在 USB 电源规格范围内工作。需要一个外部检测电阻，并且由于内部 MOSFET 架构而无需阻塞二极管。充电电压固定为 3.6V，充电电流可通过单个电阻器进行外部编程。当达到浮动电压后充电电流降至编程值的 1/10 时，XC3098VYP 自动终止充电周期。当输入电源（墙上适配器或 USB 电源）被移除时，XC3098VYP 系列自动进入低电流状态，将电池漏电流降至 2uA 以下。芯纳科技的电源管理芯片适配车载充电器，满足车用供电转换控制需求。XB5128A电源管理IC赛芯微xysemi

芯纳科技的锂电池充电管理 IC 可优化充电曲线，减缓电芯容量衰减速度。XB5352A电源管理IC拓微电子

芯纳科技： ESD（ElectrostaticDischarge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-bodyModel）、机器放电模式（MM：MachineModel）、元件充电模式（CDM：Charge-DeviceModel）、电场感应模式（FIM：Field-InducedModel），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD；芯片级ESD：HBM大于2KV，较高的是8KV。系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB5352A电源管理IC拓微电子