可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极----阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。其结构示意图和符号。从图表-26中可以看到,可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先,我们可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。这样就可画出图表-27(C)的等效电路图来分析。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea,又在控制极G和阴极C之间(相当BG1的基一射间)输入一个正的触发信号,BG1将产生基极电流Ib1,经放大。BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。淄博正高电气以质量为生命”保障产品品质。云南大功率晶闸管移相调压模块

常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。五、在桥式整流电路中,把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?在桥式整流电路中,只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5),就能看明白了。六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?晶闸管触发电路的形式很多,常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。大家制作的调压器,采用的是单结晶体管触发电路。七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?单结晶体管又叫双基极二极管,是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端,制作两个电极,分别叫做基极B1和第二基极B2;硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结。济宁双向晶闸管移相调压模块功能淄博正高电气以诚信为根本,以质量服务求生存。

可控硅模块的作用主要体验在电路中,在电路中经常会见到可控硅模块的身影,由此可见它的应用是多么的强大,可控硅模块的其中一个作用就是触发电路,但是触发电路时需要满足三个必定条件,下面正高电气带您来看看这三个条件是什么?一、可控硅模块触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度为了使全部的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发,可控硅模块触发电路所送出的触发电压和电流,必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的较大值,并且留有足够的余量。另外,由于可控硅的触发是有一个过程的,也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间,不是一触即通,只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时,管子才能导通,所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。例如:一般可控硅的导通时间在6μs左右,故触发脉冲的宽度至少在6μs以上,一般取20~50μs,对于大电感负载,由于电流上升较慢,触发脉冲宽度还应加大,否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上,则可控硅又重新关断,所以脉冲宽度下应小于300μs,通常取1ms,相当广50Hz正弦波的18°电角度。
好在其回路中分别串入一个300Ω的限流电阻。(3)调整时,改变R1、R2或C1、C2的大小,则可直接控制彩灯相互变化的快慢节奏。(4)如双向晶闸管VS1、VS2用3A/400V,好负载功率在300W以下,切忌不可超过高限额500W。如想增大功率,可选用电流大于3A的晶闸管,但C1的容量还需增加。如原用μ/400V可换成~1μ/400V即可。(5)本装置采用塑料作外壳,以避免市电源对人的触电,这样更为安全。11:可控硅交流调压器交流调压器采用可控硅调压器。电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器,这可用作家用电器的调压装置,进行照明灯调光,电风扇调速、电熨斗调温等控制。本活动调压器的输出功率达100W,一般家用电器都能使用。1:电路原理:电路图如下可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成,从图中可知,二极管D1—D4组成桥式整流电路,双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压,该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时,整流电压通过R4、W1对电容C充电。当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时。淄博正高电气我们将用稳定的质量,合理的价格,良好的信誉。

可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类;从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等。优点/可控硅模块编辑体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。淄博正高电气从国内外引进了一大批先进的设备,实现了工程设备的现代化。内蒙古小功率晶闸管移相调压模块型号
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可控硅又称晶闸管(晶体闸流管),是一种常用的功率型半导体器件,其主要的功能是功率控制。可控硅可分为单向可控硅、双向可控硅、可关断可控硅等。可控硅的特点是具有可控的单向导电性,以小电流控制大电流,以低电压控制高电压。可控硅可以用万用表进行检测。一、检测单向可控硅单向可控硅是PNPN四层结构,形成3个PN结,具有3个外电极:阳极A、阴极K、控制极G。单向可控硅的引脚如下图所示。检测时,万用表置于“Rx10Ω”档,黑表笔(表内电池正极)接单向可控硅的控制极G,红表笔(表内电池负极)接单向可控硅的阴极K,这时测量的是单向可控硅PN结的正向电阻,应有较小的阻值。如下图所示。对调两表笔后,测其反向电阻,应比正向电阻明显大一些。万用表黑表笔仍接单向可控硅控制极G,红表笔改接单向可控硅的阳极A,阻值应为无穷大,如下图所示。对调两表笔后,再测,阻值仍应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联,正常情况下其正、反向阻值均为无穷大。二、检测单向晶闸管导通特性万用表置于Rx1Ω档,黑表笔接单向可控硅阳极A,红表笔接单向可控硅阴极K,表针应指示为无穷大。这是用金属导体将控制极G与阳极A短接一下(短接后马上断开)。云南大功率晶闸管移相调压模块
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