光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，较后生成聚合物；光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。在半导体集成电路光刻技术开始使用深紫外（DUV）光源以后，化学放大（CAR）技术逐渐成为行业应用的主流。在化学放大光刻胶技术中，树脂是具有化学基团保护因而难以溶解的聚乙烯。化学放大光刻胶使用光致酸剂（PAG）作为光引发剂。MIT已经采用的电子束光刻技术分辨率将推进到9nm。中山曝光光刻
一般下游企业都有自己稳固的合作伙伴，对于他们来说，如果更换供应商，又会是一个相当长的验证周期，费时费力。综上所述，光刻胶产业的特殊属性，导致目前日本在这方面称霸全球，而鲜有挑战者。事实上，日本的光刻胶并非一出场就是领头，而是从青铜一步步爬上去的。光刻胶的雏形较早出现在200年前的法国，成长于美国，却在日本的手上得到了发扬，这其中有日本自身的努力，也和时代环境密不可分。由于当时80年代半导体工艺还主要处于微米级别，这种工艺用i线就足够，KrF光刻胶虽然先进，但是价格昂贵，并未得到普遍应用。河北真空镀膜价格电子束光刻技术在实现10nm级光刻中起重要的作用。
EUV(极紫外光)光刻技术是20年来光刻领域的较新进展。由于目前可供利用的光学材料无法很好支持波长13nm以下的辐射的反射和透射，因此 EUV 光刻技术使用波长为13.5nm的紫外光作为光刻光源。EUV（极紫外光）光刻技术将半导体制程技术在10nm以下的区域继续推进。在 EUV 光刻工艺的 13.5nm 波长尺度上，量子的不确定性效应开始显现，为相应光源，光罩和光刻胶的设计和使用带来了前所未有的挑战。目前 EUV 光刻机只有荷兰 有能力制造，许多相应的技术细节尚不为外界所知。在即将到来的 EUV 光刻时代，业界预期已经流行长达 20 年之久的 KrF、ArF 光刻胶技术或将迎来各方面技术变革。
ArF浸没式两次曝光技术已被业界认为是32nm节点较具竞争力的技术；在更低的22nm节点甚至16nm节点技术中，浸没式光刻技术也具有相当大的优势。浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以及有效数值孔径NA值的拓展等问题。针对这些难题挑战，国内外学者以及公司已经做了相关研究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关。
一般而言，KrF（248nm）光刻胶使用聚对羟基苯乙烯及其衍生物作为成膜树脂，使用磺酸碘鎓盐和硫鎓盐作为光致酸剂；而ArF（193nm）光刻胶则多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物，环烯烃-马来酸酐共聚物，环形聚合物等作为成膜树脂；由于化学结构上的原因，Arf(193nm)光刻胶需要比KrF（248nm）光刻胶更加敏感的光致酸剂。虽然在2007年之后，一些波长更短的准分子光刻光源技术陆续出现，但是这些波段的辐射都很容易被光刻镜头等光学材料吸收，使这些材料受热产生膨胀而无法正常工作。少数可以和这些波段的辐射正常工作的光学材料，比如氟化钙（萤石）等，成本长期居高不下。再加上浸没光刻和多重曝光等新技术的出现，193nm波长ArF光刻系统突破了此前 65nm 分辨率的瓶颈，所以在45nm 到10nm之间的半导体制程工艺中，ArF光刻技术仍然得到了较普遍的应用。电子束光刻可获得接近于原子尺寸的分辨率。东莞真空镀膜多少钱
在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。中山曝光光刻
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