对于被刻蚀材料和掩蔽层材料（例如光刻胶）的选择比SR可通过下式计算：SR=Ef/Er；其中，Ef为被刻蚀材料的刻蚀速率，Er为掩蔽层材料的刻蚀速率（如光刻胶）；根据这个公式，选择比通常表示为一个比值，一个选择比差的工艺这一比值可能是1:1，意味着被刻蚀的材料与光刻胶掩蔽层被去除地一样快，而一个选择比高的工艺这一比值可能是100:1，说明被刻蚀材料的刻蚀速率为不要被刻蚀材料的（如光刻胶）刻蚀速率的100倍。广东省科学院半导体研究所。无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩模的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩模层。珠海GaN材料刻蚀加工
等离子体刻蚀机要求相同的元素：化学刻蚀剂和能量源。物理上，等离子体刻蚀剂由反应室、真空系统、气体供应、终点检测和电源组成。晶圆被送入反应室，并由真空系统把内部压力降低。在真空建立起来后，将反应室内充入反应气体。对于二氧化硅刻蚀，气体一般使用CF4和氧的混合剂。电源通过在反应室中的电极创造了一个射频电场。能量场将混合气体激发或等离子体状态。在激发状态，氟刻蚀二氧化硅，并将其转化为挥发性成分由真空系统排出。广东省科学院半导体研究所。江西硅材料刻蚀平台刻蚀是用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。
光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。包括几方面刻蚀参数：刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差、选择比、均匀性、残留物、聚合物、等离子体诱导损伤、颗粒玷污和缺陷等。刻蚀是用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受腐蚀源明显的侵蚀。
铝膜湿法刻蚀：对于铝和铝合金层有选择性的刻蚀溶液是居于磷酸的。遗憾的是，铝和磷酸反应的副产物是微小的氢气泡。这些气泡附着在晶圆表面，并阻碍刻蚀反应。结果既可能产生导致相邻引线短路的铝桥连，又可能在表面形成不希望出现的雪球的铝点。特殊配方铝刻蚀溶液的使用缓解了这个问题。典型的活性溶液成分配比是：16：1：1：2。除了特殊配方外，典型的铝刻蚀工艺还会包含以搅拌或上下移动晶圆舟的搅动。有时超声波或兆频超声波也用来去除气泡。等离子体刻蚀机要求相同的元素：化学刻蚀剂和能量源。
同样的刻蚀条件，针对不同的刻蚀暴露面积，刻蚀的速率会有所不一样。通常来说，刻蚀面积越大，刻蚀的速率越慢，暴露面积越小，刻蚀的速率越快。所以在速率调试的过程中，需要使用尺寸相当的样品进来调试，这样调试的刻蚀速率参考意义比较大。氮化硅湿法刻蚀：对于钝化层，另外一种受青睐的化合物是氮化硅。可以用液体化学的方法来刻蚀，但是不想其他层那样容易。使用的化学品是热磷酸。因酸液在此温度下会迅速蒸发，所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对于氮化硅使用干法刻蚀技术。刻蚀工艺：把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。甘肃GaN材料刻蚀加工厂
干法刻蚀也可以根据被刻蚀的材料类型来分类，如刻蚀氮化镓、氧化硅、氮化硅、铝镓氮等材料。珠海GaN材料刻蚀加工
“刻蚀”指用化学和物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料，是晶圆制造中不可或缺的关键步骤。刻蚀技术按工艺可以分为湿法刻蚀与干法刻蚀，其中干法刻蚀是目前8英寸、12英寸先进制程中的主要刻蚀手段，干法刻蚀又多以“等离子体刻蚀”为主导。在刻蚀环节中，硅电极产生高电压，令刻蚀气体形成电离状态，其与芯片同时处于刻蚀设备的同一腔体中，并随着刻蚀进程而逐步被消耗，因此刻蚀电极也需要达到与晶圆一样的半导体级的纯度（11个9）。珠海GaN材料刻蚀加工
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