真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年代开始出现工业应用，工业化大规模生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得普遍的应用。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面(通常是非金属材料)，属于物理的气相沉积工艺。因为镀层常为金属薄膜，故也称真空金属化。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。在所有被镀材料中，以塑料较为常见，其次，为纸张镀膜。相对于金属、陶瓷、木材等材料，塑料具有来源充足、性能易于调控、加工方便等优势，因此种类繁多的塑料或其他高分子材料作为工程装饰性结构材料，大量应用于汽车、家电、日用包装、工艺装饰等工业领域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外观不够华丽、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸镀一层极薄的金属薄膜，即可赋予塑料程亮的金属外观，合适的金属源还可较大增加材料表面耐磨性能，较大拓宽了塑料的装饰性和应用范围。真空镀膜机镀铝层导电性能好，能消除静电效应。浙江光电器件真空镀膜实验室
真空镀膜机模具渗碳是为了提高模具的整体强韧性，即模具的工作表面具有高的强度和耐磨性。真空镀膜机硬化膜沉积技术目前较成熟的是cvd、pvd。模具自上个世纪80年代开始采用涂覆硬化膜技术。目前的技术条件下，真空镀膜设备硬化膜沉积技术（主要是设备）的成本较高，仍然只在一些精密、长寿命模具上应用，如果采用建立热处理中心的方式，则涂覆硬化膜的成本会较大降低，更多的模具如果采用这一技术，可以整体提高我国的模具制造水平。自上个世纪70年代开始，国际上就提出预硬化的想法，但由于加工机床刚度和切削刀具的制约，预硬化的硬度无法达到模具的使用硬度，所以预硬化技术的研发投入不大。随着加工机床和切削刀具性能的提高，模具材料的预硬化技术开发速度加快，到上个世纪80年代，国际上工业发达国家在塑料模用材上使用预硬化模块的比例已达到30%（目前在60%以上）。北京低压气相沉积真空镀膜加工厂化学气相沉积法主要有常压CVD、LPCVD、PECVD等方法。
真空镀膜机电阻式蒸发镀分为预热段、预溶段、线性蒸发段三个步骤。但是这三个步骤与时间长短、电流大小有着密切的关系，本人认为应做到短时间中电流，长时间小电流、蒸发电流呈线性上升的方式作为调整工艺的通常调法，比如同等电流时间长二分之一就会变黄，时间较长就会变黑。真空镀膜设备膜层厚度过厚也会带一点黑色，但是是金属本色黑色。膜层薄则呈现白银色。①、预热段的现象：预热段炉体内钨丝基本没什么变化，只是给钨丝一定安培的电流先加热，通常的工艺电流在600A-1000A之间，时间在10-30秒。②、预溶段的现象：这时炉体内的钨丝会有发亮现象，然后铝丝像爆一样的动作，紧接着将从固态慢慢的变成液态。通常的工艺电流在800A-1200A之间，时间在5-15秒。③、线性蒸发段：这个阶段较为重要，真空镀膜机膜层变黑变黄都是在这个阶段出现的，蒸发时炉体内的现象，所有的钨丝都达到了像60瓦灯泡那样亮（比喻），随着电流的加大会越来越亮，铝丝刚开始时像水滴一样倒挂在钨丝上，随着电流的加大慢慢的会被完全蒸发掉。
电子束蒸发法是真空蒸发镀膜中常用的一种方法，是在高真空条件下利用电子束进行直接加热蒸发材料，使蒸发材料气化并向衬底输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的材料放置于水冷的坩埚当中，可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜。LPCVD反应的能量源是热能，通常其温度在500℃-1000℃之间，压力在0.1Torr-2Torr以内，影响其沉积反应的主要参数是温度、压力和气体流量，它的主要特征是因为在低压环境下，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。目前采用LPCVD工艺制作的主要材料有：多晶硅、单晶硅、非晶硅、氮化硅等。利用PECVD生长的氮化硅薄膜薄膜成分和厚度容易控制。
热氧化与化学气相沉积不同，她是通过氧气或水蒸气扩散到硅表面并进行化学反应形成氧化硅。热氧化形成氧化硅时，会消耗相当于氧化硅膜厚的45%的硅。热氧化氧化过程主要分两个步骤：步骤一：氧气或者水蒸气等吸附到氧化硅表面，步骤二：氧气或者水蒸气等扩散到硅表面，步骤三：氧气或者水蒸气等与硅反应生成氧化硅。热蒸发主要是三个过程：1.蒸发材料从固态转化为气态的过程。2.气化原子或分子在蒸发源与基底之间的运输 3.蒸发原子或分子在衬底表面上淀积过程，即是蒸汽凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜的过程。磁控溅射还可用于不同金属合金的共溅射，同时使用多个靶qiang电源和不同靶材。河北反射溅射真空镀膜技术
真空镀膜机大功率脉冲磁控溅射技术的脉冲峰值功率是普通磁控溅射的100倍，在1000~3000W/cm2范围。浙江光电器件真空镀膜实验室
对于薄膜应力主要有以下原因：1.薄膜生长初始阶段，薄膜面和界面的表面张力的共同作用；2.沉积过程中膜面温度远高于衬底温度产生热应变；3.薄膜和衬底间点阵错配而产生界面应力；4.金属膜氧化后氧化物原子体积增大产生压应力；5.斜入射造成各向异性成核、生长；6.薄膜内产生相变或化学组分改变导致原子体积变化。热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧气，硅片与氧化反应生成氧化硅，氧化速率比较慢，氧化膜厚容易控制。湿法氧化在炉管当中通入氧气和氢气，两者反应生长水蒸气，水蒸气与硅片表面反应生长氧化硅，湿法氧化，速率比较快，可以生长比较厚的薄膜。浙江光电器件真空镀膜实验室
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