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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

相信大家对于可控硅模块并不陌生了,现代在电气行业的不断发展,可控硅模块的使用范围越来越广,但是你对可控硅模块的了解有多少呢,它的主要参数有哪些你知道吗?下面为大家讲解。


可控硅模块的主要参数有:


(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。


(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。


(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。 淄博正高电气有限公司是多层次的组织与管理模式。烟台可控硅模块

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双向可控硅晶闸管使用中,应特别注意以下事项:


1.灵敏度

双向可控硅是一个三端元件,但我们不再称其两极为阴阳极,而是称作T1和T2极,G为控制极,其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通,但是触发灵敏度互不相同,即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门极电流IGT是有区别的。

2.可控硅过载的保护

可控硅元件优点很多,但是它过载能力差,短时间的过流,过压都会造成元件损坏,因此为保证元件正常工作,需有条件:

(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用;

(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取;

(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些,一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以。


天津小功率可控硅模块品牌淄博正高电气有限公司拥有先进的产品生产设备,雄厚的技术力量。

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单向可控硅模块有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有一阳极A1(T1),二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。

断一个可控硅元件是否完好,工程师需要从四个方面进行检查,首先是判断该元件的三个PN结应完好,其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通,第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通,第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件,才是符合设计使用要求的。

  想要看一个可控硅元件是否符合以上要求,其实非常简单,只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。 淄博正高电气有限公司以发展求壮大,就一定会赢得更好的明天。

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选择可控硅模块的主要参数可控硅模块的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。


  所选可控硅模块应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的较大工作电压和较大工作电流1.5~2倍。


  可控硅模块的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各顶要求,不能偏高或偏低,否则会影响可控硅模块的正常工作。

上就是可控硅模块在不同设备中的种类选择,希望对您有所帮助。 淄博正高电气有限公司不断从事技术革新,改进生产工艺,提高技术水平。烟台可控硅模块

淄博正高电气有限公司凭借多年的经验,依托雄厚的科研实力。烟台可控硅模块

可控硅模块的分类:

1、以关断、导通及控制方式来分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

2、以引脚和极性来分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

3、以封装形式来分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

4、以电流容量来分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

5、以关断速度来分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。

6、过零触发,一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅参数介绍

7、非过零触发,无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发。

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