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E.5.1无恒温恒湿要求的温湿度检测应符合下列要求：1室内空气温度和相对湿度测定之前，空调净化系统应已连续运行至少8h。2温度的检测可采用玻璃温度计、数字式温湿度计；湿度的检测可采用通风式干湿球温度计、数字式温湿度计、电容式湿度检测仪或露点传感器等。根据温湿度的波动范围，应选择足够精度的测试仪表。温度检测仪表的极小刻度不宜高于0.4℃，湿度检测仪表的极小刻度不宜高于2%。测点为房间中间一点，应在温湿度读数稳定后记录。测完室内温湿度后，还应同时测出室外温湿度。指洁净室(区)在净化空气调节系统已安装完毕且功能完备的情况下,洁净室(区)内没有生产人员的状态。北京半导体净化车间无尘室检测公司

11.2.1有风机的净化设备当其风机底座与箱体软连接时，搬运时应将底座架起固定，就位后放下。11.2.2净化设备安装应在建筑内部装饰和净化空调系统施工安装完成，并进行***清扫、擦拭干净之后进行，但与围护结构相连的设备或其排风、排水管道必须与围护结构同时施工时，与围护结构应圆弧过渡，曲率半径不应小于 30mm，连接缝应采用密封措施，做到严密清洁。11.2.1有风机的净化设备当其风机底座与箱体软连接时，搬运时应将底座架起固定，就位后放下。11.2.2净化设备安装应在建筑内部装饰和净化空调系统施工安装完成，并进行***清扫、擦拭干净之后进行，但与围护结构相连的设备或其排风、排水管道必须与围护结构同时施工时，与围护结构应圆弧过渡，曲率半径不应小于 30mm，连接缝应采用密封措施，做到严密清洁。照度无尘室检测服务无尘室极主要之作用在于控制产品（如硅芯片等）所接触之大气的洁净度日及温湿度。

6.1.1洁净厂房的建筑平面和空间布局，应根据电子产品发展以及生产工艺改造和扩大生产规模的要求确定。6.1.2洁净厂房的主体结构宜采用大空间及大跨度柱网，不应采用内墙承重体系。6.1.3洁净厂房的立面设计应简洁、明快，并应适应洁净室(区)的布置要求。洁净厂房围护结构的材料选型应满足保温、隔热、防火、防潮、少产尘、易清洁等要求。6.1.4洁净厂房主体结构的耐久性应与电子产品生产线设备、生产环境控制设施协调，并应具有防火、控制温度变形和不均匀沉陷性能。厂房变形缝不宜穿越洁净区。6.1.5设有上技术夹层、下技术夹层的洁净厂房的建筑平面、空间布局和构造，应满足产品生产工艺、自动化运输和公用动力设施安装和维修的要求。

4洁净生产区、走道和技术夹层(不包括不通行的技术夹层)应设置手动报警按钮和声光报警装置。12.3.5洁净厂房应设置火灾自动报警及消防联动控制。控制设备的控制及显示功能应符合现行国家标准《火灾自动报警系统设计规范》GB50116的有关规定，洁净室（区）火灾报警应进行核实，当确认火灾后，在消防控制室应对下列各项进行手动控制：1关闭有关部位的电动防火阀，停止相应的净化空调系统的送风机、排风机和新风机，并接收其反馈信号；2启动排烟风机，并接收其反馈信号；3.在消防控制室或低压配电室，手动切断有关部位的非消防电源。由HEPA或ULPA与风机组合在一起,构成自身可提供动力的末端空气净化的装置。

1一级防静电工作区的地面、墙面和柱面应采用导静电型。导静电型地面、墙面、柱面的表面电阻、对地电阻应为2.5X10↵~1X10°2,摩擦起电电压不应大于100V,静电半衰期不应大于0.1s;2二级防静电工作区的地面、墙面、柱面、顶棚、门和软帘应采用静电耗散型。静电耗散型地面、墙面、柱面和顶棚、门的表面电阻、对地电阻应为1X10°~1X109Ω,摩擦起电电压不应大于200V,静电半衰期不应大于1s,但软帘的摩擦起电电压不应大于300V;3三级防静电工作区的地面、墙面和柱面宜根据生产工艺要求采用静电耗散型材料或低起电材料,顶棚、门等宜采用低起电材料。选用静电耗散型材料的地面、墙面和柱面,应符合本条第2 款的要求;选用低起电材料的地面、墙面、柱面、顶棚、门等的摩擦起电电压不应大于1000V。洁净室则是一种控制空气中的污染物质。上海半导体净化车间无尘室检测服务商

将产品生产过程与操作人员、污染物进行严格分隔的隔离空间。北京半导体净化车间无尘室检测公司

6.2.3洁净厂房内防火分区的划分，应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB50016的有关规定。丙类生产的电子工业洁净厂房的洁净室（区)，在关键生产设备设有火灾报警和灭火装置以及回风气流中设有灵敏度严于0.01%obs/m的高灵敏度早期火灾报警探测系统后，其每个防火分区的最大允许建筑面积可按生产工艺要求确定。6.2.4洁净室的上技术夹层、下技术夹层和洁净生产层，当按其构造特点和用途作为同一防火分区时，上下技术夹层的面积可不计人防火分区的建筑面积，但应分别采取相应的消防措施。6.2.5洁净室的顶棚和墙板、技术竖井井壁的材质选择，应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB50073的有关规定。北京半导体净化车间无尘室检测公司