至盛半导体科技有限公司于 2021 年成立,专注于数字音频芯片自主研发。其主要团队成员源自 TI、ADI、美信、高通、华为海思等国际 IC 设计公司,具备 10 - 20 年数模混合信号设计及产品应用经验。在这样强大的技术班底支持下,至盛致力于攻克音频芯片技术难题,打造具有自主知识产权、高性...
ACM8636内置LDO稳压器,在输入电压波动±20%时仍能保持输出稳定。在车载应用中,当发动机启动导致电瓶电压从14V跌落至9V时,芯片可自动调整PWM占空比维持功率输出,避免音乐中断。实测显示,在9V输入时,30W输出功率下THD+N*上升0.05%,音质无明显劣化。多语言开发支持提供中英文双语版开发文档和调音软件,降低工程师学习成本。在印度市场,某厂商基于ACM8636开发的智能音箱,通过本地化调音软件将低音增强量从默认的+3dB调整至+6dB,更符合当地用户偏好。该特性使产品上市周期缩短40%,快速响应区域市场需求。至盛12S芯片集成动态人声增强算法,通过DRB技术提升中频清晰度,使人声表现更具穿透力。至盛ACM现货

ACM3221还广泛应用于工业控制、医疗设备等领域。在某款工业HMI(人机界面)中,芯片驱动0.5W扬声器实现按键提示音与报警功能,其低底噪特性避免干扰设备运行状态监测。在医疗听诊器中,ACM3221放大心音信号,通过12dB增益提升微弱声音的可听性,助力医生诊断。其宽电压输入(2.5V至5.5V)兼容不同设备的供电系统,简化设计流程。相较于至盛ACM上一代产品ACM3129(2×57W立体声功放),ACM3221在单声道功率密度、功耗控制与集成度上实现***提升。ACM3129虽具备更高输出功率,但静态功耗达5mA,且需外接滤波器,PCB面积增加30%。而ACM3221通过无滤波器设计与动态电源管理,将功耗降低75%,同时封装尺寸缩小60%,更适配微型化设备趋势。此外,ACM3221的THD+N指标从0.1%优化至0.03%,音频质量达到Hi-Fi入门级标准。江苏自主可控至盛ACM865现货至盛12S数字功放芯片小信号低音增强算法通过动态增益补偿,使微弱低频信号提升达12dB。

ACM8636通过THX认证,在1kHz、1W输出时THD+N*为0.02%,达到专业级音频标准。在AES17-2015动态范围测试中,实测值达112dB(A加权),超越ADI SSM2305等竞品10dB。在频率响应测试中,20Hz-20kHz范围内平坦度控制在±0.5dB以内,满足Hi-Fi设备要求。某音频实验室对比测试显示,采用ACM8636的音箱在《加州旅馆》现场版测试中,掌声定位精度比传统功放提升40%,观众欢呼声的层次感更清晰。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频方案。
ACM8815的DRC算法采用“分段压缩”策略,将输入信号动态范围划分为多个区间,每个区间应用不同的增益和压缩比。具体实现步骤如下:输入信号检测:通过峰值检测电路(时间常数1ms)实时监测输入信号幅度(Vin)。区间划分:将动态范围划分为4个区间(示例):区间1:Vin<-20dB,增益=+10dB,压缩比=1:1(线性放大)区间2:-20dB≤Vin<-10dB,增益=+5dB,压缩比=2:1区间3:-10dB≤Vin<0dB,增益=0dB,压缩比=4:1区间4:Vin≥0dB,增益=-∞dB(限幅)增益计算:根据Vin所在区间,通过查表法(LUT)获取对应增益值(G)。增益应用:将输入信号乘以G,得到输出信号(Vout=Vin×G)。平滑过渡:为避免增益突变导致失真,在区间边界处应用10ms攻击时间和100ms释放时间的平滑滤波。实测在输入信号峰值从-30dB跳变至0dB时,DRC算法在10ms内将增益从+10dB降至-∞dB,输出信号峰值被限制在0dB,THD+N*增加0.02%。ACM8623的供电电压范围在4.5V至15.5V之间,数字电源为3.3V,能够适应不同的电源环境。

ACM8636采用单芯片集成设计,在2.1声道模式下可实现60W(4Ω低音通道)+2×30W(8Ω左右声道)的连续功率输出,THD+N(总谐波失真加噪声)低于1%。其供电电压范围覆盖4.5V至26.4V,支持12V、19V、24V等常见电源规格,适用于便携设备到家庭影院的多样化场景。例如,在24V供电条件下驱动4Ω低音扬声器时,实测功率可达65W,满足户外派对或小型影院对低频冲击力的需求。该芯片通过QFP-48封装实现高效散热,背部集成散热片并支持外接散热器,确保在60W+30W×2的满载状态下仍能维持低温运行,避免因过热导致的功率衰减或音质劣化。至盛12S数字功放芯片集成无霍尔传感器正弦波驱动算法,电机控制振动噪声降低至30dB以下。重庆附近哪里有至盛ACM865现货
凭借先进技术,至盛 ACM 芯片让马达驱动器运转更高效、更稳定。至盛ACM现货
氮化镓作为宽禁带半导体材料,其禁带宽度(3.4eV)是硅(1.1eV)的3倍,这意味着在相同电压下,GaN器件的击穿场强更高,可设计更薄的漂移层,从而大幅降低导通电阻。ACM8815集成的GaN MOSFET在4Ω负载下,10% THD+N条件下可输出200W功率,而传统硅基D类功放需外接散热器才能实现同等功率,且效率通常低于85%。GaN的开关频率可达MHz级(ACM8815实测开关频率1.2MHz),远高于硅基器件的几百kHz,这使得输出滤波器体积缩小60%以上,同时降低EMI干扰。此外,GaN的零温度系数特性(导通电阻随温度变化极小)确保了ACM8815在-40℃至125℃宽温范围内功率稳定性,这是汽车音响等极端环境应用的关键。至盛ACM现货
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