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⑶间距相邻导线之间的距离应满足电气安全的要求，串扰和电压击穿是影响布线间距的主要电气特性。为了便于操作和生产，间距应尽量宽些，选择小间距至少应该适合所施加的电压。这个电压包括工作电压、附加的波动电压、过电压和因其它原因产生的峰值电压。当电路中存在有市电电压时，出于安全的需要间距应该更宽些。⑷路径信号路径的宽度，从驱动到负载应该是常数。改变路径宽度对路径阻抗(电阻、电感、和电容)产生改变，会产生反射和造成线路阻抗不平衡。所以，保持路径的宽度不变。在布线中，避免使用直角和锐角，一般拐角应该大于90°。直角的路径内部的边缘能产生集中的电场，该电场产生耦合到相邻路径的噪声，45°路径优于直角和锐角路径。当两条导线以锐角相遇连接时，应将锐角改成圆形。避免在PCB边缘安排重要的信号线，如时钟和复位信号等。武汉高速PCB培训销售

Gerber输出Gerber输出前重新导入网表，保证终原理图与PCB网表一致，确保Gerber输出前“替代”封装已更新，根据《PCBLayout检查表》进行自检后，进行Gerber输出。PCBLayout在输出Gerber阶段的所有设置、操作、检查子流程步骤如下：Gerber参数设置→生成Gerber文件→IPC网表自检。（1）光绘格式RS274X，原点位置设置合理，光绘单位设置为英制，精度5:5（AD精度2:5）。（2）光绘各层种类齐全、每层内容选择正确，钻孔表放置合理。（3）层名命名正确，前缀统一为布线层ART,电源层PWR，地层GND，与《PCB加工工艺要求说明书》保持一致。（4）检查Drill层：（5）孔符层左上角添加CAD编号，每层光绘左下角添加各层层标。武汉高速PCB培训销售模拟电压输入线、参考电压端要尽量远离数字电路信号线，特别是时钟。

泪滴的作用主要有如下几点：1、增大焊盘机械强度，避免电路板受到巨大外力的冲撞时，导线与焊盘或者导线与导孔的接触点断开，也可使PCB电路板显得更加美观；2、焊接上，可以保护焊盘，避免多次焊接时焊盘的脱落，生产时可以避免蚀刻不均，或者钻孔偏向导线时，避免出现连接处的裂缝而开路，且易于清洗蚀刻药水，不留清洗死角；3、信号传输时平滑阻抗，减少阻抗的急剧跳变，避免高频信号传输时由于线宽突然变小而造成反射，可使走线与元件焊盘之间的连接趋于平稳过渡化；

如果要将两块PCB相互连结，一般我们都会用到俗称「金手指」的边接头（edgeconnector）。金手指上包含了许多裸露的铜垫，这些铜垫事实上也是PCB布线的一部份。通常连接时，我们将其中一片PCB上的金手指插另一片PCB上合适的插槽上（一般叫做扩充槽Slot）。在计算机中，像是显示卡，声卡或是其它类似的界面卡，都是借着金手指来与主机板连接的。PCB上的绿色或是棕色，是阻焊漆（soldermask）的颜色。这层是绝缘的防护层，可以保护铜线，也可以防止零件被焊到不正确的地方。在阻焊层上另外会印刷上一层丝网印刷面（silkscreen）。通常在这上面会印上文字与符号（大多是白色的），以标示出各零件在板子上的位置。丝网印刷面也被称作图标面（legend）。培训机构还会邀请一些行业内的企业，与学员分享他们的经验和实践。

在PCB培训过程中，实际案例的讲解也是非常关键的一部分。通常，培训机构会根据市场上的热点和需求，选取一些好的PCB设计案例进行解析。通过分析这些案例，学员可以学习到各种PCB设计的技巧和方法，深入理解设计背后的原理和思维方式。除了理论知识和实践技能的培养，综合素质的提升也是PCB培训的重要目标之一。培训机构通常会加强学员的团队协作能力和创新意识，组织各种形式的团队项目和竞赛，让学员在合作中相互学习和提高。同时，培训机构还会关注学员的终身学习能力，在正式培训结束后，提供持续的学习资源和支持，帮助学员不断更新知识和技能，适应行业的快速变化。培训机构通常会加强学员的团队协作能力和创新意识。定制PCB培训加工

·机内可调元件要靠PCB 的边沿布局,以便于调节;机外可调元件、接插件和开关件要和外壳一起设计布局。武汉高速PCB培训销售

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。武汉高速PCB培训销售