武汉设计PCB培训原理

设计随着电子技术的快速发展，印制电路板广泛应用于各个领域，几乎所有的电子设备中都包含相应的印制电路板。为保证电子设备正常工作，减少相互间的电磁干扰，降低电磁污染对人类及生态环境的不利影响，电磁兼容设计不容忽视。本文介绍了印制电路板的设计方法和技巧。在印制电路板的设计中，元器件布局和电路连接的布线是关键的两个环节。折叠布局布局，是把电路器件放在印制电路板布线区内。布局是否合理不仅影响后面的布线工作，而且对整个电路板的性能也有重要影响。在保证电路功能和性能指标后，要满足工艺性、检测和维修方面的要求，元件应均匀、整齐、紧凑布放在PCB上，尽量减少和缩短各元器件之间的引线和连接，以得到均匀的组装密度。按电路流程安排各个功能电路单元的位置，输入和输出信号、高电平和低电平部分尽可能不交叉，信号传输路线短。培训机构通常会加强学员的团队协作能力和创新意识。武汉设计PCB培训原理

设计规划设计规划子流程：梳理功能要求→确认设计要求→梳理设计要求。梳理功能要求（1）逐页浏览原理图，熟悉项目类型。项目类型可分为：数字板、模拟板、数模混合板、射频板、射频数模混合板、功率电源板、背板等，依据项目类型逐页查看原理图梳理五大功能模块：输入模块、输出模块、电源模块、信号处理模块、时钟及复位模块。（2）器件认定：在单板设计中，承担信号处理功能器件，或因体积较大，直接影响布局布线的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒温晶振，时钟芯片，大体积电源芯片。确认设计要求（1）客户按照《PCBLayout业务资料及要求》表格模板，规范填写，信息无遗漏；可以协助客户梳理《PCBLayout业务资料及要求》表格，经客户确认后，则直接采纳。（2）整理出正确、完整的信号功能框图。（3）按照《PCB Layout业务资料及要求》表格确认整版电源，及各路分支的电源功耗情况，根据电源流向和电流大小，列出电流树状图，经客户确认后，予以采纳。定制PCB培训销售电话发热元件要一般应均匀分布，以利于单板和整机的散热。

3、地线设计不合理的地线设计会使印制电路板产生干扰，达不到设计指标，甚至无法工作。地线是电路中电位的参考点，又是电流公共通道。地电位理论上是零电位，但实际上由于导线阻抗的存在，地线各处电位不都是零。因为地线只要有一定长度就不是一个处处为零的等电位点，地线不仅是必不可少的电路公共通道，又是产生干扰的一个渠道。一点接地是消除地线干扰的基本原则。所有电路、设备的地线都必须接到统一的接地点上，以该点作为电路、设备的零电位参考点(面)。一点接地分公用地线串联一点接地和单独地线并联一点接地。

PCB布线通用规则在设计印制线路板时，应注意以下几点：(1)从减小辐射干扰的角度出发，应尽量选用多层板，内层分别作电源层、地线层，用以降低供电线路阻抗，抑制公共阻抗噪声，对信号线形成均匀的接地面，加大信号线和接地面间的分布电容，抑制其向空间辐射的能力。(2)电源线、地线、印制板走线对高频信号应保持低阻抗。在频率很高的情况下，电源线、地线、或印制板走线都会成为接收与发射干扰的小天线。降低这种干扰的方法除了加滤波电容外，更值得重视的是减小电源线、地线及其他印制板走线本身的高频阻抗。因此，各种印制板走线要短而粗，线条要均匀。·各功能单元电路的布局应以主要元件为中心,来围绕这个中心进行布局。

添加特殊字符（1）靠近器件管脚摆放网络名，摆放要求同器件字符，（2）板名、版本丝印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位号丝印大（常规丝印字符宽度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名丝印，方便识别。添加特殊丝印（1）条码：条码位置应靠近PCB板名版本号，且长边必须与传送方向平行，区域内不能有焊盘直径大于0.5mm的导通孔，如有导通孔则必须用绿油覆盖。条码位置必须符合以下要求，否则无法喷码或贴标签。1、预留区域为涂满油墨的丝印区。2、尺寸为22.5mmX6.5mm。3、丝印区外20mm范围内不能有高度超过25mm的元器件。2）其他丝印：所有射频PCB建议添加标准“RF”的丝印字样。对于过波峰焊的过板方向有明确规定的PCB,如设计了偷锡焊盘、泪滴焊盘或器件焊接方向，需要用丝印标示出过板方向。如果有扣板散热器，要用丝印将扣板散热器的轮廓按真实大小标示出来。放静电标记的优先位置是PCB的元件面，采用标准的封装库。在板名旁留出生产序列号的空间，字体格式、大小由客户确认。同一种类型的有极性 分立元件也要力争在X或Y方向上保持一致，便于生产和检验。常规PCB培训

除了理论知识和实践技能的培养，综合素质的提升也是PCB培训的重要目标之一。武汉设计PCB培训原理

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。武汉设计PCB培训原理