湖北正规PCB培训规范

在现代科技发展快速的时代，电子产品已经成为我们生活中不可或缺的一部分。其中，PCB（PrintedCircuitBoard印刷电路板）作为电子产品中重要的组成部分之一，起到了承载和连接电子元器件的重要作用。由于其广泛应用于电脑、手机、家电等众多领域，对PCB的需求量也日益增长。因此，掌握PCB设计和制造技术成为了现代人不可或缺的一项技能。为了满足不同人群对PCB技术的需求，许多相关的培训机构相继涌现。这些培训机构致力于向学员传授PCB的相关知识和技能，帮助他们迅速掌握并应用于实际项目中。·过重元件应设计固定支架的位置,并注意各部分平衡。湖北正规PCB培训规范

射频、中频电路（2）屏蔽腔的设计1、应把不同模块的射频单元用腔体隔离，特别是敏感电路和强烈辐射源之间，在大功率多级放大器中，也应保证级与级之间隔开。2、印刷电路板的腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳。3、在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏，过孔应相互错开，同排过孔间距为150Mil。4、在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔，保证其固定屏蔽壳。5、腔体的周边为密封的，一般接口的线要引入腔体里采用带状线的结构；而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构，这样内部的屏蔽腔采用开槽处理，开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。武汉设计PCB培训销售电话石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。

7、晶振离芯片尽量近，且晶振下尽量不走线，铺地网络铜皮。多处使用的时钟使用树形时钟树方式布线。8、连接器上信号的排布对布线的难易程度影响较大，因此要边布线边调整原理图上的信号(但千万不能重新对元器件编号)。9、多板接插件的设计：(1)使用排线连接：上下接口一致；(2)直插座：上下接口镜像对称，如下图：10、模块连接信号的设计：(1)若2个模块放置在PCB同一面，则管教序号大接小小接大(镜像连接信号)；(2)若2个模块放在PCB不同面，则管教序号小接小大接大。

印制电路板(Printedcircuitboards)，又称印刷电路板，是电子元器件电气连接的提供者。印制电路板多用"PCB"来表示，而不能称其为"PCB板"。印制电路板的设计主要是版图设计;采用电路板的主要优点是减少布线和装配的差错，提高了自动化水平和生产劳动率。印制电路板按照线路板层数可分为单面板、双面板、四层板、六层板以及其他多层线路板。由于印刷电路板并非一般终端产品，因此在名称的定义上略为混乱，例如:个人电脑用的母板，称为主板，而不能直接称为电路板，虽然主机板中有电路板的存在，但是并不相同，因此评估产业时两者有关却不能说相同。再譬如:因为有集成电路零件装载在电路板上，因而新闻媒体称他为IC板，但实质上他也不等同于印刷电路板。我们通常说的印刷电路板是指裸板-即没有上元器件的电路板。相同结构电路部分，尽可能采用“对称式”标准布局；

（1）避免在PCB边缘安排重要的信号线，如时钟和复位信号等。（2）机壳地线与信号线间隔至少为4毫米；保持机壳地线的长宽比小于5:1以减少电感效应。（3）已确定位置的器件和线用LOCK功能将其锁定，使之以后不被误动。（4）导线的宽度小不宜小于0.2mm（8mil），在高密度高精度的印制线路中，导线宽度和间距一般可取12mil。（5）在DIP封装的IC脚间走线，可应用10－10与12－12原则，即当两脚间通过2根线时，焊盘直径可设为50mil、线宽与线距都为10mil，当两脚间只通过1根线时，焊盘直径可设为64mil、线宽与线距都为12mil。（6）当焊盘直径为1.5mm时，为了增加焊盘抗剥强度，可采用长不小于1.5mm，宽为1.5mm和长圆形焊盘。（7）设计遇到焊盘连接的走线较细时，要将焊盘与走线之间的连接设计成水滴状，这样焊盘不容易起皮，走线与焊盘不易断开。（8）大面积敷铜设计时敷铜上应有开窗口，加散热孔，并将开窗口设计成网状。（9）尽可能缩短高频元器件之间的连线，减少它们的分布参数和相互间的电磁干扰。易受干扰的元器件不能相互挨得太近，输入和输出元件应尽量远离。在多层板PCB中，整层都直接连接上地线与电源。所以我们将各层分类为信号层，电源层或是地线层。深圳PCB培训规范

·各功能单元电路的布局应以主要元件为中心,来围绕这个中心进行布局。湖北正规PCB培训规范

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。湖北正规PCB培训规范