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丝印调整，子流程：设置字符格式→调整器件字符→添加特殊字符→添加特殊丝印。设置字符格式，字符的宽度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基铜）：4/23Mil(推荐设计成4/25Mil)；1盎司（基铜）：5/30Mil；2盎司(基铜)：6/45Mil；字高与字符线宽之比≥6:1。调整器件字符（1）字符与阻焊的间距≥6Mil。字符之间的距离≥6Mil，距离板边≥10Mil；任何字符不能重叠且不能被元器件覆盖。（2）丝印字符阴字线宽≥8mil；（3）字符只能有两个方向，排列应遵循正视时位号的字母数字排序为从左到右，从下到上。（4）字符的位号要与器件一一对应，不能颠倒、变换顺序，每个元器件上必须标出位号不可缺失，对于高密度板，可将位号标在PCB其他有空间的位置,用箭头加图框表示或者字符加图框表示，如下图所示。字符摆放完成后，逐个高亮器件，确认位号高亮顺序和器件高亮顺序一致。组织各种形式的团队项目和竞赛，让学员在合作中相互学习和提高。武汉正规PCB培训销售电话

单面板（Single-SidedBoards）我们刚刚提到过，在基本的PCB上，零件集中在其中一面，导线则集中在另一面上。因为导线只出现在其中一面，所以我们就称这种PCB叫作单面板（Single-sided）。因为单面板在设计线路上有许多严格的限制（因为只有一面，布线间不能交叉而必须绕独自的路径），所以只有早期的电路才使用这类的板子。双面板（Double-SidedBoards）这种电路板的两面都有布线。不过要用上两面的导线，必须要在两面间有适当的电路连接才行。这种电路间的「桥梁」叫做导孔（via）。导孔是在PCB上，充满或涂上金属的小洞，它可以与两面的导线相连接。因为双面板的面积比单面板大了一倍，而且因为布线可以互相交错（可以绕到另一面），它更适合用在比单面板更复杂的电路上。深圳正规PCB培训原理·电位差较大的元器件要远离,防止意外放电。

元件排列原则（1）在通常条件下，所有的元件均应布置在PCB的同一面上，只有在顶层元件过密时，才能将一些高度有限并且发热量小的元件（如贴片电阻、贴片电容、贴片IC等）放在底层。（2）在保证电气性能的前提下，元件应放置在栅格上且相互平行或垂直排列，以求整齐、美观。一般情况下不允许元件重叠，元件排列要紧凑，输入元件和输出元件尽量分开远离，不要出现交叉。（3）某些元件或导线之间可能存在较高的电压，应加大它们的距离，以免因放电、击穿而引起意外短路，布局时尽可能地注意这些信号的布局空间。（4）带高电压的元件应尽量布置在调试时手不易触及的地方。（5）位于板边缘的元件，应该尽量做到离板边缘有两个板厚的距离。（6）元件在整个板面上应分布均匀，不要这一块区域密，另一块区域疏松，提高产品的可靠性。

7、晶振离芯片尽量近，且晶振下尽量不走线，铺地网络铜皮。多处使用的时钟使用树形时钟树方式布线。8、连接器上信号的排布对布线的难易程度影响较大，因此要边布线边调整原理图上的信号(但千万不能重新对元器件编号)。9、多板接插件的设计：(1)使用排线连接：上下接口一致；(2)直插座：上下接口镜像对称，如下图：10、模块连接信号的设计：(1)若2个模块放置在PCB同一面，则管教序号大接小小接大(镜像连接信号)；(2)若2个模块放在PCB不同面，则管教序号小接小大接**面积敷铜设计时敷铜上应有开窗口，加散热孔，并将开窗口设计成网状。

DDR的PCB布局、布线要求1、DDR数据信号线的拓扑结构，在布局时保证紧凑的布局，即控制器与DDR芯片紧凑布局，需要注意DDR数据信号是双向的，串联端接电阻放在中间可以同时兼顾数据读/写时良好的信号完整性。2、对于DDR信号数据信号DQ是参考选通信号DQS的，数据信号与选通信号是分组的；如8位数据DQ信号+1位数据掩码DM信号+1位数据选通DQS信号组成一组，如是32位数据信号将分成4组，如是64位数据信号将分成8组，每组里面的所有信号在布局布线时要保持拓扑结构的一致性和长度上匹配，这样才能保证良好的信号完整性和时序匹配关系，要保证过孔数目相同。数据线同组（DQS、DM、DQ[7:0]）组内等长为20Mil，不同组的等长范围为200Mil，时钟线和数据线的等长范围≤1000Mil。弱信号电路，低频电路周围不要形成电流环路。湖北什么是PCB培训布线

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存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。武汉正规PCB培训销售电话