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更密集的PCB、更高的总线速度以及模拟RF电路等等对测试都提出了前所未有的挑战，这种环境下的功能测试需要认真的设计、深思熟虑的测试方法和适当的工具才能提供可信的测试结果。在同夹具供应商打交道时，要记住这些问题，同时还要想到产品将在何处制造，这是一个很多测试工程师会忽略的地方。例如我们假定测试工程师身在美国的加利福尼亚，而产品制造地却在泰国。测试工程师会认为产品需要昂贵的自动化夹具，因为在加州厂房价格高，要求测试仪尽量少，而且还要用自动化夹具以减少雇用高技术高工资的操作工。但在泰国，这两个问题都不存在，让人工来解决这些问题更加便宜，因为这里的劳动力成本很低，地价也很便宜，大厂房不是一个问题。因此有时候设备在有的国家可能不一定受欢迎。在保证电气性能的前提下，元件应放置在栅格上且相互平行或垂直排列，以求整齐、美观。湖北了解PCB培训教程

丝印调整，子流程：设置字符格式→调整器件字符→添加特殊字符→添加特殊丝印。设置字符格式，字符的宽度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基铜）：4/23Mil(推荐设计成4/25Mil)；1盎司（基铜）：5/30Mil；2盎司(基铜)：6/45Mil；字高与字符线宽之比≥6:1。调整器件字符（1）字符与阻焊的间距≥6Mil。字符之间的距离≥6Mil，距离板边≥10Mil；任何字符不能重叠且不能被元器件覆盖。（2）丝印字符阴字线宽≥8mil；（3）字符只能有两个方向，排列应遵循正视时位号的字母数字排序为从左到右，从下到上。（4）字符的位号要与器件一一对应，不能颠倒、变换顺序，每个元器件上必须标出位号不可缺失，对于高密度板，可将位号标在PCB其他有空间的位置,用箭头加图框表示或者字符加图框表示，如下图所示。字符摆放完成后，逐个高亮器件，确认位号高亮顺序和器件高亮顺序一致。深圳高速PCB培训销售在通常情况下，所有的元件均应布置在电路板的同一面上。

通过规范PCBLayout服务操作要求，提升PCBLayout服务质量和保证交期的目的。适用范围适用于我司PCBLayout业务。文件维护部门设计部。定义与缩略语（1）PCBLayout：利用EDA软件将逻辑原理图设计为印制电路板图的全过程。（2）PCB:印刷电路板。（3）理图：一般由原理图设计工具绘制，表达硬件电路中各种器件之间的连接关系的图。（4）网表：一般由原理图设计工具自动生成的，表达元器件电气连接关系的文本文件，一般包含元器件封装，网络列表和属性定义等部分。（5）布局：PCB设计过程中，按照设计要求、结构图和原理图，把元器件放置到板上的过程。（6）布线：PCB设计过程中，按照设计要求对信号进行走线和铜皮处理的过程。

(3)电源线、地线及印制导线在印制板上的排列要恰当，尽量做到短而直，以减小信号线与回线之间所形成的环路面积。(4)时钟发生器尽量*近到用该时钟的器件。(5)石英晶体振荡器外壳要接地。(6)用地线将时钟区圈起来，时钟线尽量短。(7)印制板尽量使用45°折线而不用90°折线布线以减小高频信号对外的发射与耦合。(8)单面板和双面板用单点接电源和单点接地；电源线、地线尽量粗。(9)I/O驱动电路尽量*近印刷板边的接插件，让其尽快离开印刷板。石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。

折叠功能区分元器件的位置应按电源电压、数字及模拟电路、速度快慢、电流大小等进行分组，以免相互干扰。电路板上同时安装数字电路和模拟电路时，两种电路的地线和供电系统完全分开，有条件时将数字电路和模拟电路安排在不同层内。电路板上需要布置快速、中速和低速逻辑电路时，应安放在紧靠连接器范围内;而低速逻辑和存储器，应安放在远离连接器范围内。这样，有利于减小共阻抗耦合、辐射和交扰的减小。时钟电路和高频电路是主要的干扰辐射源，一定要单独安排，远离敏感电路。折叠热磁兼顾发热元件与热敏元件尽可能远离，要考虑电磁兼容的影响。折叠工艺性⑴层面贴装元件尽可能在一面，简化组装工艺。⑵距离元器件之间距离的小限制根据元件外形和其他相关性能确定，目前元器件之间的距离一般不小于0.2mm~0.3mm，元器件距印制板边缘的距离应大于2mm。⑶方向元件排列的方向和疏密程度应有利于空气的对流。考虑组装工艺，元件方向尽可能一致。·过重元件应设计固定支架的位置,并注意各部分平衡。常规PCB培训销售

布局应尽量满足以下要求:总的连线尽可能短，关键信号线短；湖北了解PCB培训教程

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。湖北了解PCB培训教程