企业商机
电流传感器基本参数
  • 品牌
  • 纳吉伏,普乐锐思
  • 型号
  • 齐全
  • 输出信号
  • 模拟型,膺数字型
  • 制作工艺
  • 集成
  • 材质
  • 聚合物,混合物,金属
  • 材料物理性质
  • 半导体,绝缘体,磁性材料
  • 材料晶体结构
  • 多晶
  • 精确度
  • 10ppm
  • 灵敏度
  • 1ppm
  • 工作温度
  • -40-85
  • 额定电压
  • 12-15
  • 密封性
  • IP65
  • 线性度
  • 2ppm
  • 迟滞
  • 1us
  • 漂移
  • 5ua
  • 产地
  • 无锡
  • 厂家
  • 无锡纳吉伏科技有限公司
电流传感器企业商机

Ve为合成电压信号VR12经低通滤波后的误差电压信号。设计电路参数R1=R2,R4=R5。Q1为NPN型功率放大三极管,型号为TIP110,Q2为PNP型功率放大三极管,型号为TIP117。AB类功率放大输出端串接反馈绕组WF及终端测量电阻RM形成反馈闭环。反馈绕组匝数NF直接影响新型交直流传感器的比例系数,NF越大,交直流电流传感器灵敏度越低,线性区量程也越大,另外PA功率放大电路的输出电流能力也制约了反馈绕组匝数NF不能设计过小,但反馈绕组匝数NF过大,其漏感也越大,分布电容参数越大,系统磁性及容性误差将会增大。因此需要综合考虑灵敏度、功放带载能力及量程等要求,所设计反馈绕组匝数NF=1000。基于低频滤波的硬件解调方法,用以简化软件中数据处理复杂程度。无锡磁通门电流传感器

(b)根据式(2-33)选取低磁饱和强度BS,降低铁芯C1截面面积或增大激磁绕组匝数N1,可有效降低铁芯C1激磁饱和电流阈值Ith,以便于满足假设1、3中Ith<<IC。(c)可增大激磁电压峰值Vout或降低采样电阻Rs的阻值,以提高铁芯回路稳态充电电流IC,便于满足假设1、3中Ith<<IC。(4)稳定性由式(2-34),(2-39)可知,激磁电流iex平均值与一次电流Ip之间的线性关系,且这种线性关系只是与一次绕组匝数Np及激磁绕组匝数N1有关。但是激磁电流信号较小,因此实际电路中取采样电阻RS上的电压信号作为终检测信号。采样电阻RS上一个周波内平均电压Vav满足:株洲霍尔电流传感器在科学研究领域,电流测量对于探索物质的电子行为、研究化学反应和生物过程等方面具有重要意义。

通过对逆变器的输入输出端进行基础的电参数测试,可以获取逆变器的工作效率。这种测试可以包括以下方面: 输入电流和电压测试:这是逆变器效率测试的基本部分。准确的电流和电压测量可以提供关于逆变器工作状态的关键信息。 输出电流和电压测试:逆变器的输出电流和电压的稳定性直接影响到电力系统的整体性能。测量输出电流和电压可以帮助确保逆变器能够提供稳定、高质量的电力。 功率和功率因素测试:这些参数直接反映了逆变器的转换效率。高功率和接近完美的功率因数意味着逆变器在转换过程中的损失比较小。

无锡纳吉伏公司利用比例直流叠加法模拟一次交直流电流,设计了新型交直流电流传感器计量 性能测试方案。对所设计的新型交直流电流传感器进行了交流电流计量性能、直流电流 计量性能以及交直流同时测量时交直流计量性能试验, 试验结果表明, 所研制新型交直 流电流传感器交直流测量误差均小于 0.05  级电流互感器误差限值,说明新型交直流电 流传感器结构及理论正确。其成本低、 简单结构,与同类产品相比具有更高的性价比。 同时所研制的新型交直流电流传感器方案交流测量与直流测量互不干扰, 可应用于交流 测量领域, 直流测量领域, 交直流同时测量领域及抗直流互感器及较低精度交直流电流 传感器检定及校验领域。只要磁芯磁导率随激励磁场强度变化,感应电势中就会出现随环境磁场强度变化的偶次谐波增量。

可以观察到基于铁芯C1磁化曲线的对称性及激磁方波电压的对称性,激磁电流波形正向峰值与反向峰值电流满足I+m=-I-m=Im=ρVOH/RS,且铁芯C1工作点在线性区与饱和区之间周期性变化,因此当自激振荡磁通门传感器一次测量电流为0时,激磁电流iex在单个周期内正负半波波形中心对称,即在单个周期内激磁电流iex平均值为0,对于信号采样而言,即在RS上的采样电压信号满足采样电压VRS平均值为0。接下来对一次电流为正向及反向直流时的自激振荡磁通门传感器振荡过程进行分析。当IP>0时,激磁电压波形Vex及激磁电流iex波形如图2-4中蓝色曲线所示,图中红色曲线为IP=0时激磁电流波形。通过持续振荡的激励磁场,磁通门传感器有效地降低了被测导体中的磁滞效应。株洲霍尔电流传感器

磁通门电流传感器可以用于监测电池的电量和电流,提高电池的使用效率和安全性。无锡磁通门电流传感器

根据自激振荡磁通门传感器起振过程分析可知,铁芯工作在周期性正负交替饱和状态是磁调制过程的必要条件。倘若一次电流过大则导致铁芯只是工作在正向磁饱和区或只是工作在负向磁饱和区,此时铁芯单向饱和严重,磁化曲线严重畸变,无法完成电流准确测量。因此,按照一次电流磁势与自激振荡磁通门电路稳态充电电流IC所对应磁势的合成磁势大于铁芯C1饱和阈值电流Ith所对应磁势的原则,当一次电流为正向时,一次电流磁势大小满足:一NpIp+N1Ic之N1Ith化简式(2-43),可得一次电流Ip满足:Ip<N1(IC一Ith)Np同理在当一次电流为负向时,一次电流Ip满足:一N1(IC一Ith)Np(2-43)(2-44)(2-45)综合式(2-44),(2-45)可得自激振荡磁通门传感器测量一次电流Ip的范围为:一N1(IC一Ith)NpN1(IC一Ith)Np(2-46)式(2-46)中Ip表示一次电流峰值。无锡磁通门电流传感器

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