新型交直流传感器的误差影响因素包括: 误差控制电路比例环 节比例系数 KPI 、积分环节的积分时间常数 τ1 、反馈绕组 WF 的复阻抗 ZF 、激磁绕组匝 数 N1、反馈绕组匝数 NF、终端测量电阻 RM 及采样电阻 RS1。通过减小终端测量电阻 RM 阻值, 降低激磁绕组匝数 N1 ,增大采样电阻 RS1 阻值, 及增大各个放大电路开环增益均 可降低新型交直流电流传感器的稳态误差。传统铁磁元件分析过程中常见的影响因素, 系统的磁性误差, 如外界电磁干扰、绕组绕线的不均匀性导致的漏磁通及铁磁元件本身 漏磁通的影响, 以及一次绕组偏心导致的一次绕组磁势不对称所带来的误差, 在系统建模中未以考虑。 另外, 系统的容性误差, 如绕组匝与匝之间的匝间电容, 不同绕组之间 的寄生电容, 在一定程度上对系统的误差也有影响。交流比较仪和直流比较仪在电流检测方法、电磁理论分析与结构设计上对于交直流电流测量具有宝贵的借鉴意义。湖州高稳定性电流传感器价格
传统电能计量领域对于电流的精密测量或电流传感器校验往往通过电流比较仪的方式实现。传统的交流比较仪通过增加励磁电流补偿模块,降低互感器正常工作下励磁电流的大小,使得主铁芯工作在微磁通或零磁通状态从而降低电流测量的比例误差和相位误差,然而传统的带铁芯交流比较仪在直流分量下会出现磁饱和问题,励磁电流补偿模块无法完成直流励磁的补偿,因此传统的交流比较仪方法无法完成交直流同时测量。传统的直流比较仪基于磁调制器原理,铁芯采用双铁芯差动式结构,通过外接激磁电源,调整合适的激磁电流及频率大小,在检测绕组端,通过检测二次谐波电压的大湖州高稳定性电流传感器价格通过持续振荡的激励磁场,磁通门传感器有效地降低了被测导体中的磁滞效应。
Ve为合成电压信号VR12经低通滤波后的误差电压信号。设计电路参数R1=R2,R4=R5。Q1为NPN型功率放大三极管,型号为TIP110,Q2为PNP型功率放大三极管,型号为TIP117。AB类功率放大输出端串接反馈绕组WF及终端测量电阻RM形成反馈闭环。反馈绕组匝数NF直接影响新型交直流传感器的比例系数,NF越大,交直流电流传感器灵敏度越低,线性区量程也越大,另外PA功率放大电路的输出电流能力也制约了反馈绕组匝数NF不能设计过小,但反馈绕组匝数NF过大,其漏感也越大,分布电容参数越大,系统磁性及容性误差将会增大。因此需要综合考虑灵敏度、功放带载能力及量程等要求,所设计反馈绕组匝数NF=1000。
特别地,在t3时刻为自激振荡正半周期的结束时刻,此时电路正向充电过程结束,电路输出激磁电压即将发生跃变,激磁电流达到大正向充电电流值I+m,即iex(t3)满足:iex(t3)=I+m=Im(2-15)根据初始条件iex(t2)及终止条件iex(t3)可以求得时间间隔t3-t2为:t3-t2=τ1ln(2-16)同理,根据一阶线性微分方程的初始条件及终止条件可以得到负半周波内激磁电流方程,通过终止条件可反向计算出相应的时间间隔表达式,如图2-4中所示,在t3~t4期间,激磁电流iex表示为:t-t3t-t3iex(t)=-IC(1-eτ1)+Imeτ1时间间隔t4-t3为:t4-t3=τ1ln在t4≤t≤t5期间,激磁电流iex表示为:-t-t4-t-t4iex(t)=-IC(1-eτ2)+(Ith+βIp1)eτ2时间间隔t5-t4为:t5-t4=τ2ln在t5≤t≤t6期间,激磁电流iex表示为:iex(t)=-IC(1-eτ1)+(-Ith+βIp1)eτ1时间间隔t6-t5为:t6-t5=τ1ln||(IC-Im)结合自激振荡磁通门技术和电流比较仪结构,研制出三铁芯三绕组的闭环零磁通交直流电流传感器。
标准磁通门电流传感器实际与闭环霍尔电流传感器结构相似,由相同带缝隙的磁 路和用来得到零磁通的次级线圈构成。霍尔电流传感器与磁通门电流传感器主要的区别在于气隙磁场检测方式的不同:前者是通过一个霍尔元件获得电压信息进而得到被测电流;后者则是通过一个所谓的饱和电感来测量电流的。饱和电感的电感数值依赖于磁芯的磁导率,磁通密度高的时候磁芯饱和,电感值较低。低磁通密度时,电感值则较高。外部磁场的变化影响磁芯的饱和水平,进而改变磁芯导磁系数,然后影响电感值。因此,当存在外界磁场时将会改变场测量的电感值。如果饱和电感设计充分,这种改变非常明显。当电流传感器工作时,激励线圈中加载一固定频率、固定波形的交变电流进行激励使磁芯往复磁化达到饱和。合肥闭环电流传感器价格大全
近年来,又出现一种新的巨磁阻抗效应传感器。湖州高稳定性电流传感器价格
磁通门技术原理:磁通门技术利用磁铁的磁场来控制电路中的电流,从而实现对信号的通断和幅度进行控制。 磁通门组成:磁通门由一块磁铁和一个电路组成。当磁铁被激励时,磁铁产生的磁场会与电路中的电流相互作用,使电流流动,信号通过;当磁铁不被激励时,磁场消失,电路中没有电流,信号被阻断。 磁通门功能:磁通门不仅能够控制信号的通断,还能够控制电路中的电流大小,从而实现对信号的幅度进行控制。 磁通门应用:磁通门是一种磁场测量元件,被广泛应用于电流测量中,具有较高的测量精度。 磁通门技术发展历史:磁通门技术起始于1928年。在1936年,Aschenbrenner和Goubau实现了0.3nT的分辨率。在第二次世界大战中,磁通门传感器得到了较大的发展,并被用于探潜。用电流传感器作为电气设备绝缘在线检测系统的采样单元,已得到实际应用。 综上所述,磁通门技术是一种利用磁场来控制电流和信号的测量技术,具有较高的测量精度和控制能力。它在多个领域都有广泛的应用,如电流测量、磁场测量、探潜等。湖州高稳定性电流传感器价格