企业商机
电流传感器基本参数
  • 品牌
  • 纳吉伏,普乐锐思
  • 型号
  • 齐全
  • 输出信号
  • 模拟型,膺数字型
  • 制作工艺
  • 集成
  • 材质
  • 聚合物,混合物,金属
  • 材料物理性质
  • 半导体,绝缘体,磁性材料
  • 材料晶体结构
  • 多晶
  • 精确度
  • 10ppm
  • 灵敏度
  • 1ppm
  • 工作温度
  • -40-85
  • 额定电压
  • 12-15
  • 密封性
  • IP65
  • 线性度
  • 2ppm
  • 迟滞
  • 1us
  • 漂移
  • 5ua
  • 产地
  • 无锡
  • 厂家
  • 无锡纳吉伏科技有限公司
电流传感器企业商机

磁通门电流传感器是一种基于磁调制原理的高精度电流传感器,具有以下优点: 高精度测量:磁通门电流传感器能够准确测量直流、交流和脉冲等复杂信号的电流值,测量范围宽,精度高,过载能力强。 快速响应:磁通门电流传感器具有快速的响应时间,能够及时响应并测量电流的变化。 宽电流测量范围:磁通门电流传感器的测量范围较宽,可以适应不同电流值的测量需求。 抗干扰能力强:磁通门电流传感器具有抗电磁干扰的能力,能够在复杂的环境中稳定工作。 线性好:磁通门电流传感器的输出信号与输入电流成线性关系,方便进行信号处理和计算。磁通门信号淹没在强大的变压器效应感应电势之中。温州新能源电流传感器现货

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加拿大学者 N.L.Kuster 、W.J.M.Moore 等,通过在交流比较仪结构基础上改进,将交流检测模块换为基于二次谐波磁调制器结构的直流检测器,设计相应的倍频电路及二次谐波解调电路,完成了直流比较仪研制,研制的变比为400:1 的直流比较仪比例精度在满量程时为1ppm。欧洲核子研究中心(CENR)的 K.Unser,将磁调制器技术与磁积分器技术结合,研制出用于质子同步器系统中粒子流检测的宽频电流互感器,该方法扩展了电流测量带宽,但交直流测量只能单独进行,交流通道与直流通道相互独立。近年来,国内在直流测量领域研究颇多的是华中科技大学和中国计量科学研究院,中国计量科学研究院的郭来祥对磁调制器理论研究颇深,通过应用图解法对三折线模型下的二次谐波式磁调制器进行了系统的研究,在多种激磁方法的比较中发现恒流方波激磁与恒压方波激磁效果比较好,磁调制器灵敏度比较好,并对磁调制器灵敏度进行定量计算,对磁调制器基础理论研究的完善做出巨大贡献。镇江大量程电流传感器厂家现货功率分析仪还可以测量和分析其他与功率相关的参数,例如电压和电流的有效值、峰值、频率等。

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红色曲线为 0.05 级交流电流互感器比差和角差误差限值曲线, 黄色曲线为 50A 直流下交流比差和角差误差曲线,黑色曲线为 20A 直流下交流比差和 角差误差曲线。 由 5-7 ,5-8 可知,在 20A 及 50A 直流分量下, 新型交直流电流传感 器比差角差无明显变化, 仍满足 0.05 级交流误差限值,所设计的新型交直流电流传感器 可完成不同直流分量下交流电流高精度测量。无锡纳吉伏研制的新型交直流电流传感器单独测量 0~600 A  交流分量、测量 0~300A 直流分量时,电流测量误差均小于 0.05 级电流互感器误差限值;在交直流同时 作用的情况下,交流分量对直流计量性能无明显影响, 直流分量对交流计量性能也无明 显影响, 交流和直流测量精度均未发生变化。

G1为基于双铁芯结构的交直流零磁通检测器的传递函数,G2为PI比例积分放大电路的传递函数,G3为PA功率放大电路的传递函数,G4为电流反馈模块的传递函数,G5为感应纹波噪声传递函数,NF为负反馈环节传递函数。根据图3-3,由自动控制系统相关理论,可得反馈绕组中反馈电流IF与一次绕组中一次电流IP之间的传递函数为:IS(s)IP(s)NPG1G2G3G4+NPG4G51+NFG1G2G3G4(3-12)交直流零磁通检测器输入信号为一次绕组WP与反馈绕组WF在铁芯C1及C2中的磁势之差,终输出信号为合成电压信号VR12。根据上述关系,可推导交直流直流零磁通检测器的传递函数G1为:G1=SD==-(3-13)式(3-13)与自激振荡磁通门传感器灵敏度SD公式(2-48)一致。G2的传递函数常通过比例环节及积分环节的特征参数表示:(1)G2=-KPI|1+|(3-14)(jwτ1)磁场稳定性:由于激励磁场是持续振荡的,它可以有效地抵消外部磁场的干扰,从而保证了测量的准确性。

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t5时刻起铁芯C1工作点进入负向饱和区C,此时激磁感抗ZL迅速变小,因此t5~t6期间,激磁电流iex迅速反向增大,当激磁电流iex达到反向充电电流-I-m=ρVOH/RS时,电路环路增益|ρAv|>>1满足振荡电路起振条件,方波激磁电压发生反转,输出电压由反向峰值电压VOL变为正向峰值电压VOH。即t6时刻,VO=VOH。t6时刻起铁芯C1工作点由负向饱和区C开始向线性区A移动,在t6~t7期间,铁芯C1仍工作于负向饱和区C,激磁感抗ZL变小,而输出方波电压变为正向此时加在非线性电感L上反向端电压V-=-ρVOH,产生的充电电流为正向,与激磁电流iex方向相反,12因此非线性电感L开始正向充电,激磁电流开始正向迅速增大,于t7时刻激磁电流iex增大至反向激磁电流阈值I-th。在诸多弱磁场测量方法中,目前应用比较多的是霍耳效应器件、磁阻传感器、磁 通门传感器和光泵磁力仪等。常州纳吉伏电流传感器定制

人们发现一些半导体的霍尔效应很明显。伴随着半导体的发展,霍尔效应在磁场测量中的应用也随之迅速发展。温州新能源电流传感器现货

时间差型磁通门(Residence Time Difference Fluxgate RTD)原理的获得来源于实验:磁通门调峰法。调峰法实验的具体过程如下:被测磁场通过磁通门轴向分量,这时磁通门信号的输出便会发生一定的偏移。记录下磁通门输出信号在这一时刻的偏移位置,然后再将被测磁场移除。将通电线圈放置在与被测磁场相同的磁通门轴向方向上,从零增大通电线圈电流幅值直到使磁通门信号的输出重新移动到刚才记录的位置。通过通电电流的大小以及磁芯上线圈匝数,被测磁场的大小便可以计算出来。但是由于当时的频率计值等数字化器件的发展程度不高,因此磁通门调峰法实验只是作为一个实验现象来研究而未做更深入的探讨。温州新能源电流传感器现货

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