扬州磁调制电流传感器定制

新型交直流传感器的环节是零磁通交直流检测器，其线性度制约了整体闭环测量方案的精度。本文设计的零磁通交直流检测器如图3－1所示。其包括环形铁芯C1和C2，及激磁绕组W1，激磁绕组W2和分压电阻R1，R2。比较放大器U1，单位反向放大器U2，采样电阻RS1和RS2。首先确定磁芯尺寸及磁性材料选择，磁性材料各项参数直接影响到所设计零磁通交直流检测器的灵敏度，并对电路设计参数有所限制[57]。根据第2章分析可知，铁芯材料需要选择非线性程度高，即磁导率高，磁饱和强度高，矫顽力低的磁性材料。在高速电力电子变换器、电机控制、电磁兼容性测试等领域，需要测量和监控高频电流。扬州磁调制电流传感器定制

观察式（2－25）、（2－26），为了避免复杂运算，需要对ln运算进行化简。根据洛必达法则，假设Im<<IC，则有2Im/(IC-Im)→0，可对两式前半部分进行化简；假设Ith<<IC，βIp1<<IC，则有2Ith/(IC-Ith-βIp1)→0、2Ith/(IC-Ith+βIp1)→0，可对两式后半部分进行化简，化简结果如下：TP~τ12Im+(τ2-τ1)2IthIC-ImIC-Ith-βIp1TN~τ12Im+(τ2-τ1)2IthIC-ImIC-Ith+βIp1由化简后Tp、TN表达式可进一步计算得到：ΔT=T-T=4βIp1Ith(τ2-τ1)PN(IC-Ith-βIp1)(IC-Ith+βIp1)T=TP+TN=4Ith(IC-Ith)(τ2-τ1)+4Imτ1(IC-Ith-βIp1)(IC-Ith+βIp1)IC-Im温州化成分容电流传感器厂家当无被测电流时，激励磁场周期性作用于磁芯上，磁芯的状态将周期性地双稳态势能函数的这两个稳态点之间。

传统磁通门电流传感器常用偶次谐波检测法来检测被测电流值。具体的数学模型以及测量均通过在环形磁芯上环绕激磁绕组和感应绕组来实现。根据法拉第电磁感应定律可知，感应绕组产生的感应电动势。激励磁场的瞬时值方向呈周期性变化，磁芯的磁导率随激励磁场的改变而变化，但是没有正负之分。偶次谐波检测法是磁通门传感器检测方法中比较直白，比较简单也是比较原始的测量方法，这一方法原理简单，易于理解。但是由于在提取偶次谐波过程中需要进行选频放大、相敏整流以及积分环节，检测电路复杂，精度较低，温漂较大。对于工业应用来说，偶次谐波解调电路具有复杂性，同时受到磁材料的工业性能限制，使用这种传感器费用较高。

无锡纳吉伏研制的新型交直流测量传感器包括电流检测、信号解调、误差控制、电流反馈等多个模块，可建立基于各模块的系统误差模型和误差传递函数，为各个模块参数优化设计及进一步减小系统稳态测量误差提供理论依据。首先对各模块进行数学建模，其中电流检测模块包含两个非线性环形铁芯，环形铁芯C1与C2始终工作在完全相反的激磁状态，而环形铁芯C1与C2材料参数一致，电路参数也保持一致，若从系统的观点将两个铁芯看做一个整体，当系统稳定时虽然单个铁芯的工作状态相反，但整体上看两者均工作在零磁通状态下，也就是说当系统达到稳态，此时虽然铁芯C1和C2分别都是非线性磁性元件，而整体上激磁磁通为0，整体可以看作工作在线性区的合成磁性元件C12。合成磁性元件的铁芯参数与原单个铁芯的磁性参数一致，即有效磁导率，磁饱和强度等参数相同，而几何参数中，合成铁芯C12截面面积为单个铁芯截面面积的2倍，有效磁路长度与单个铁芯有效磁路长度相同。同时，忽略磁滞损耗及涡流损耗，仍选取三折线模型对合成铁芯C12进行建模。通过对两个非线性环形铁芯的激磁过程分析并整体建模，可将非线性问题近似简化为线性问题，从而可以从线性系统的角度对系统模型进行分析。在磁通门传感器的设计中，通常会采用一个激励磁场，这个磁场会持续振荡，从而可以等效为消磁磁场。

电流的精密测量一直是工业生产制造和计量科学理论的重要课题。近些年来，伴随着智能电网的快速建设及交直流混合配电网的不断发展，配网中交直流混合电网的建设规模及复杂度均有增加。由于交直流配网的发展以及整流型用电负荷的增多，例如电气化铁路、大型整流硅设备及炼钢、炼铝、塑料制品厂商的增多，使得交流电网中存在直流分量。直流分量的存在，使得配网中现有的交流检测设备产生了误差增大、计量失准、保护误动等多种问题，变压器等设备在直流分量下输出电压畸变。在电动汽车中，电流测量可以帮助驾驶员了解电池的充电状态和放电效率，以确保车辆的安全和高效运行；郑州车规级电流传感器供应商

抗电磁干扰：由于磁通门传感器是通过测量磁通量来间接测量电流的，因此它可以抵抗电磁干扰的影响。扬州磁调制电流传感器定制

根据自激振荡磁通门传感器起振过程分析可知，铁芯工作在周期性正负交替饱和状态是磁调制过程的必要条件。倘若一次电流过大则导致铁芯只是工作在正向磁饱和区或只是工作在负向磁饱和区，此时铁芯单向饱和严重，磁化曲线严重畸变，无法完成电流准确测量。因此，按照一次电流磁势与自激振荡磁通门电路稳态充电电流IC所对应磁势的合成磁势大于铁芯C1饱和阈值电流Ith所对应磁势的原则，当一次电流为正向时，一次电流磁势大小满足：一NpIp+N1Ic之N1Ith化简式（2－43），可得一次电流Ip满足：Ip<N1(IC一Ith)Np同理在当一次电流为负向时，一次电流Ip满足：一N1(IC一Ith)Np（2－43）（2－44）（2－45）综合式（2－44），（2－45）可得自激振荡磁通门传感器测量一次电流Ip的范围为：一N1(IC一Ith)NpN1(IC一Ith)Np（2－46）式（2－46）中Ip表示一次电流峰值。扬州磁调制电流传感器定制