企业商机
电流传感器基本参数
  • 品牌
  • 纳吉伏,普乐锐思
  • 型号
  • 齐全
  • 输出信号
  • 模拟型,膺数字型
  • 制作工艺
  • 集成
  • 材质
  • 聚合物,混合物,金属
  • 材料物理性质
  • 半导体,绝缘体,磁性材料
  • 材料晶体结构
  • 多晶
  • 精确度
  • 10ppm
  • 灵敏度
  • 1ppm
  • 工作温度
  • -40-85
  • 额定电压
  • 12-15
  • 密封性
  • IP65
  • 线性度
  • 2ppm
  • 迟滞
  • 1us
  • 漂移
  • 5ua
  • 产地
  • 无锡
  • 厂家
  • 纳吉伏
电流传感器企业商机

直流特性测试实验参考《测量用电流互感器检定规程》,依据图 5-1 所示实验方案 进行新型交直流传感器直流性能测试[62]。直流特性测试过程中,由于直流电流源输出直流电流为 10 A,因此采用等安匝方法施加直流电流。实验时, 升流器输出交流为 0 , 一次交流回路断开,且受传感器内径尺寸及直流绕组匝数限制, 直流电流测量上限只是为 300A ,在 0~300A 直流电流范围内。横坐标为等效一次标准直流值大小,纵坐标为 0~300A 范围内新型交直流 电流传感器直流比例误差。其中红色曲线为 0.05 级直流电流互感器比例误差限值曲线, 黑色曲线为正行程直流比例误差曲线, 蓝色曲线为反行程直流比例误差曲线。磁通门电流传感器利用磁通门原理来测量电流,具有精度高、稳定性好、线性度好等优点。泰州开环电流传感器设计标准

泰州开环电流传感器设计标准,电流传感器

t5时刻起铁芯C1工作点进入负向饱和区C,此时激磁感抗ZL迅速变小,因此t5~t6期间,激磁电流iex迅速反向增大,当激磁电流iex达到反向充电电流-I-m=ρVOH/RS时,电路环路增益|ρAv|>>1满足振荡电路起振条件,方波激磁电压发生反转,输出电压由反向峰值电压VOL变为正向峰值电压VOH。即t6时刻,VO=VOH。t6时刻起铁芯C1工作点由负向饱和区C开始向线性区A移动,在t6~t7期间,铁芯C1仍工作于负向饱和区C,激磁感抗ZL变小,而输出方波电压变为正向此时加在非线性电感L上反向端电压V-=-ρVOH,产生的充电电流为正向,与激磁电流iex方向相反,12因此非线性电感L开始正向充电,激磁电流开始正向迅速增大,于t7时刻激磁电流iex增大至反向激磁电流阈值I-th。泰州开环电流传感器设计标准将有助于提高能源利用效率、降低成本、增强能源安全等。

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导致正半周波自激振荡过程将不会在原 t5 时刻进入饱和区,而是略 有延后,即铁芯 C1 工作点将滞后进入负向饱和区 C;而在正向饱和区 A 及负向饱和区 C 中,激磁电流峰值仍然满足 I+m=-I-m=Im=ρVOH/RS,且非线性电感时间常数未发生变化, 因此铁芯 C1 饱和区自激振荡阶段, 激磁电流由 I+th1 正向增大至 I+m 的时间间隔增大, 而 激磁电流由 I-th1  负向增大至 I-m  的时间间隔减小。 由上述分析可知,测量正向直流时铁 芯工作点的特征为: 铁芯 C1 工作在正向饱和区 B 的时间大于工作在负向饱和区 C 的时 间,使激磁电流 iex 波形上出现了正负半周波波形上的不对称性。在一 次电流 IP 为正时,激磁电流 iex 在一个周波内,正半周波电流平均值小于负半周波电流 平均值, 采样电阻 RS 上采样电压 VRs 一个周波内平均值为负。

Ve为合成电压信号VR12经低通滤波后的误差电压信号。设计电路参数R1=R2,R4=R5。Q1为NPN型功率放大三极管,型号为TIP110,Q2为PNP型功率放大三极管,型号为TIP117。AB类功率放大输出端串接反馈绕组WF及终端测量电阻RM形成反馈闭环。反馈绕组匝数NF直接影响新型交直流传感器的比例系数,NF越大,交直流电流传感器灵敏度越低,线性区量程也越大,另外PA功率放大电路的输出电流能力也制约了反馈绕组匝数NF不能设计过小,但反馈绕组匝数NF过大,其漏感也越大,分布电容参数越大,系统磁性及容性误差将会增大。因此需要综合考虑灵敏度、功放带载能力及量程等要求,所设计反馈绕组匝数NF=1000。通过测量电流,可以了解电力系统的负载情况、传输效率以及是否存在短路或过载等问题。

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激磁电压信号Vex在一个周波内表达式为:(|Vout,0<t<TpVex=〈|l-Vout,Tp<t<Tp+TN其中TP=t3,在正向周波内,根据在线性区及各饱和区的时间间隔表达式(2-8)、(2-12)、(2-16)可以求得,正半波时间TP满足下式:TP=t1+(t2-t1)+(t3-t2)=τ1ln(1+2Im)+(τ2-τ1)ln(1+2Ith)(2-25)IC-ImIC-Ith-βIp1其中TN=t6-t3,在负向周波内,根据在线性区及各饱和区的时间间隔表达式(2-18)、(2-20)、(2-22)可以求得,负向周波时间TN满足下式:TN=t4-t3+(t5-t4)+(t6-t5)=τ1ln(1+2Im)+(τ2-τ1)ln(1+2Ith)(2-26)IC-ImIC-Ith+βIp1激磁电压信号Vex在一个周波内平均电压Vav表达式为:Vav=Vout=Vout产能快速释放以及技术迭代加速等多重因素影响下,我国储能电池系统和EPC中标价格持续下降。镇江粒子加速器电流传感器设计标准

磁通门电流传感器由于其宽频响特性,可以满足这些应用的需求。泰州开环电流传感器设计标准

磁通门电流传感器在MRI(磁共振成像)中有广泛的应用。MRI是一种非侵入性且无辐射的医学成像技术,通过使用强磁场和无线电波来生成身体内部的高分辨率影像。当磁芯被周期性变化的激励磁场作用时,磁芯的状态便会周期性地磁化至正负饱和状态,并在其间往返。周期性的往返于两个稳态点(势能函数的低点)的这一过程可以用双稳态势能函数来表示。磁通门电流传感器被用于监测梯度线圈的电流变化,以确保梯度线圈的准确控制和调节,从而获得高质量的图像。 射频线圈控制:MRI系统使用射频线圈来发送和接收无线电波信号,以图像化身体结构和组织。磁通门电流传感器被用于监测射频线圈的电流变化,以帮助调节射频线圈的功率和频率,确保信号的正确发送和接收。 总结来说,磁通门电流传感器在MRI中的应用主要是用于监测和控制主磁场、梯度线圈和射频线圈的电流变化,以确保MRI系统的稳定性和图像质量,从而为医学诊断提供高精度的影像数据。泰州开环电流传感器设计标准

电流传感器产品展示
  • 泰州开环电流传感器设计标准,电流传感器
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