珠海霍尼韦尔电流传感器

VRS1 为采样电阻 RS1 上电压信号，V’RS2 为采样电阻 RS2 上电压信号 经高通滤波器 HPF 处理后的电压信号，当 HPF 时间常数设置合理， 可有效滤除采样电 阻 RS2 上电压信号中无用低频分量，因此在 V’RS2 保留反向的无用高频分量 VH2 。若参 数设置合理，而高频无用交流分量 VH1 和无用高频分量 VH2 恰好幅值大小相同，则理论 上通过高通滤波器 HPF  即完成了无用高频分量的滤除，从而获得更为纯净的有用低频 信号。然而实际电路无法保证环形铁芯 C1 与 C2 及其附加电路一致性，因此无法完成无 用高频分量完全消除。设计中，新型交直流电流传感器增加低通滤波器 LPF  进一步对 VR12 中高频分量进行滤除，从而完成了对信号解调电路的改进。新型储能技术多元化发展初具规模，钠离子电池、液流电池、压缩空气储能等领域技术水准处于先进水平。珠海霍尼韦尔电流传感器

根据自激振荡磁通门传感器起振过程分析可知，铁芯工作在周期性正负交替饱和状态是磁调制过程的必要条件。倘若一次电流过大则导致铁芯只是工作在正向磁饱和区或只是工作在负向磁饱和区，此时铁芯单向饱和严重，磁化曲线严重畸变，无法完成电流准确测量。因此，按照一次电流磁势与自激振荡磁通门电路稳态充电电流IC所对应磁势的合成磁势大于铁芯C1饱和阈值电流Ith所对应磁势的原则，当一次电流为正向时，一次电流磁势大小满足：一NpIp+N1Ic之N1Ith化简式（2－43），可得一次电流Ip满足：Ip<N1(IC一Ith)Np同理在当一次电流为负向时，一次电流Ip满足：一N1(IC一Ith)Np（2－43）（2－44）（2－45）综合式（2－44），（2－45）可得自激振荡磁通门传感器测量一次电流Ip的范围为：一N1(IC一Ith)NpN1(IC一Ith)Np（2－46）式（2－46）中Ip表示一次电流峰值。珠海霍尼韦尔电流传感器磁通门电流传感器，具有很强的抗干扰能力和稳定性，可以在各种复杂的环境下准确地测量电流。

红色曲线为 0.05 级交流电流互感器比差和角差误差限值曲线， 黄色曲线为 50A 直流下交流比差和角差误差曲线，黑色曲线为 20A 直流下交流比差和 角差误差曲线。 由 5－7 ，5－8 可知，在 20A 及 50A 直流分量下， 新型交直流电流传感 器比差角差无明显变化， 仍满足 0.05 级交流误差限值，所设计的新型交直流电流传感器 可完成不同直流分量下交流电流高精度测量。无锡纳吉伏研制的新型交直流电流传感器单独测量 0~600 A  交流分量、测量 0~300A 直流分量时，电流测量误差均小于 0.05 级电流互感器误差限值；在交直流同时 作用的情况下，交流分量对直流计量性能无明显影响， 直流分量对交流计量性能也无明 显影响， 交流和直流测量精度均未发生变化。

电流精密测量研究一直以来都是计量领域的重点研究方向之一。传统电能计量领域对于电流的精密测量或电流传感器校验往往通过电流比较仪的方式实现，然而传统的带铁芯交流比较仪在直流分量下会出现磁饱和问题，励磁电流补偿模块无法完成直流励磁的补偿，因此传统的交流比较仪方法无法完成交直流同时测量。中国计量科学研究院的张钟华院士，提出了基于自激振荡磁通门原理结合磁积分器原理的交直流电流检测方法，其方案设计了三铁芯四绕组的零磁通闭环测量结构[。 其中利用磁积分器进行交流谐波信号的检测，利用双铁芯自激振荡磁通门传感器进行直流信号检测，并设计了感应纹波抑制电路，从而对自激振荡磁通门传感器进行了线性度精度的优化。磁滞是铁磁性材料的一种固有特性，它使得这些材料在磁化过程中表现出滞后现象。

磁通门探头的磁通变化由激励电流以及初级被测电流的共同变化得出，引入了闭环结构，由于被测初级电流上的存在引起电感值变化，应用闭环原理进行检测以及补偿，补偿电流Zs输入到传感器的次级线圈中，使得开口处场强为0,电感返回至一个参考值。初级电流和次级电流的关系就会由匝数比很明确的给出来。无锡纳吉伏提出了一种紧凑式结构的磁通门传感器，该结构减少了一个磁芯， 应用套环式双磁芯，内部环形磁芯及缠绕在其上的反馈以及激励线圈与初级线圈应用积分反馈式磁通门电流传感器测量方式。外部环绕着反馈线圈的环形磁芯与初级线圈构成电流互感器用以测量高频交流电。这一结构的提出进一步减小了测量探头的体积及功耗。但是却是以付出精确度为代价的，因为套环式结构外部磁芯通过的磁场要远远小于通过内部磁环的，这样会影响电流互感器的测量精度；另外，单磁环无法解决磁通门原理中的变压器效应带来的影响。功率分析仪还可以测量和分析其他与功率相关的参数，例如电压和电流的有效值、峰值、频率等。珠海霍尔电流传感器联系方式

消防介质的革新与PACK级精细化设计。珠海霍尼韦尔电流传感器

（b）根据式（2－33）选取低磁饱和强度BS，降低铁芯C1截面面积或增大激磁绕组匝数N1，可有效降低铁芯C1激磁饱和电流阈值Ith，以便于满足假设1、3中Ith<<IC。（c）可增大激磁电压峰值Vout或降低采样电阻Rs的阻值，以提高铁芯回路稳态充电电流IC，便于满足假设1、3中Ith<<IC。（4）稳定性由式（2－34），（2－39）可知，激磁电流iex平均值与一次电流Ip之间的线性关系，且这种线性关系只是与一次绕组匝数Np及激磁绕组匝数N1有关。但是激磁电流信号较小，因此实际电路中取采样电阻RS上的电压信号作为终检测信号。采样电阻RS上一个周波内平均电压Vav满足：珠海霍尼韦尔电流传感器