企业商机
电流传感器基本参数
  • 品牌
  • 纳吉伏,普乐锐思
  • 型号
  • 齐全
  • 输出信号
  • 模拟型,膺数字型
  • 制作工艺
  • 集成
  • 材质
  • 聚合物,混合物,金属
  • 材料物理性质
  • 半导体,绝缘体,磁性材料
  • 材料晶体结构
  • 多晶
  • 精确度
  • 10ppm
  • 灵敏度
  • 1ppm
  • 工作温度
  • -40-85
  • 额定电压
  • 12-15
  • 密封性
  • IP65
  • 线性度
  • 2ppm
  • 迟滞
  • 1us
  • 漂移
  • 5ua
  • 产地
  • 无锡
  • 厂家
  • 纳吉伏
电流传感器企业商机

当一次电流 IP>0,即为正向直流偏置,其在铁芯 C1  中产生恒定的增磁直流磁通, 铁芯 C1 磁化曲线将向左发生平移, 使铁芯 C1 进入正向饱和区的阈值电流变小。 且正向 饱和阈值电流满足 I+th1=I+th-βIp,其中 β=NP/N1 为一次绕组 WP 匝数 NP 与激磁绕组 W1 匝 数 N1 之间的比值。此时新的振荡过程将不同于原 IP=0 时自激振荡过程, 由于正向饱和 阈值电流 I+th1 小于原正向激磁阈值电流 I+th ,导致正半周波自激振荡过程将不会在原 t1 时刻进入饱和区, 而是略有提前, 即铁芯 C1 工作点将提前进入正向饱和区 B;同时由于 正向直流磁通作用,铁芯 C1  进入负向饱和区需要额外的激磁电流以抵消正向直流产生 的的增磁直流磁通,使得铁芯 C1 进入负向饱和区 C 的阈值电流变大,负向饱和阈值电 流满足 I-th1=I-th-βIp。新型储能产业基础好,覆盖了材料制备、电芯和电池封装、储能变流器、储能系统集成和电池回收利用全产业链。嘉兴板载式电流传感器联系方式

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值得注意的是,当激磁电压频率fex较小或与一次被测电流自身频率相近时,由于电磁感应原理在激磁绕组产生工频50Hz感应电流信号,此时在在单个激磁电流波形中,无法对有效区分频率相近的50Hz感应电流信号和与激磁电压频率一致的激磁电流信号。因此自激振荡磁通门方法对激磁电压频率的设置一般需按照香农采样定理原则,即激磁电压频率大于两倍被测电流频率fex≥2f。图2-6~2-8分别为通过Tek示波器(TDS2012B)所观察,当IP=1A直流,IP=-1A直流及IP=1A交流时,采样电阻RS1上激磁电流波形。长沙磁通门电流传感器价钱在政策支持和技术进步的推动下,新型储能产业正在逐步成为能源领域的重要支撑。

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自激振荡磁通门传感器其稳定性与采样电阻 RS 稳定性密切相关。 影响采样电阻 RS  稳定性的主要因素为阻值精度及温度系数。因此需要选择温度系数较 小, 阻值精度高的采样电阻。在满足同样额定功率情形下, 由于采样电阻越大, 功耗越 大, 因此选择阻值较小的采样电阻有利于解决温升导致的稳定性变差问题, 但传感器整 体功耗会有所增加,因此需要选择合适的采样电阻阻值。自激振荡磁通门传感器灵敏度 SD 主要取决于一次绕组匝数 Np 及激磁绕组匝数 N1 之比及采样电阻 RS 阻值大小。选择较大阻值的采样电阻可以提高 自激振荡磁通门传感器灵敏度 SD ,但为了提高自激振荡磁通门传感器的线性度及稳定 性,适宜选取较小阻值的采样电阻。而从信噪比角度考虑, 采样电阻不宜取值太小。因 此在设计自激振荡磁通门传感器及终新型交直流传感器时需要对这些关键性能进行 取舍后,综合考虑以选择合适的电路参数。

无锡纳吉伏公司总结了直流分量对交流测量影响的相关研究现状,说明了一二次融合背景下交直流电流测量的必要性;通过对电流比较仪的发展回顾,对现有磁调制原理的交直流电流测量方法进行总结,分析了交直流测量方法的关键技术及其制约瓶颈,为交直流电流传感器的优化设计提供思路。对自激振荡磁通门传感器技术进行深入研究,阐明其电流测量基本原理和交直流电流测量的适应性;探究自激振荡磁通门传感器磁参数和几何参数与传感器线性度7和灵敏度之间的定量关系,为自激振荡磁通门传感器的铁芯选择、绕组设计及硬件电路初步设计奠定理论基础。随着可再生能源的大规模开发和利用,电力系统对调节能力、安全稳定性的需求越来越高。

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特别地,在t3时刻为自激振荡正半周期的结束时刻,此时电路正向充电过程结束,电路输出激磁电压即将发生跃变,激磁电流达到正向充电电流值I+m,即iex(t3)满足:iex(t3)=I+m=Im(2-15)根据初始条件iex(t2)及终止条件iex(t3)可以求得时间间隔t3-t2为:t3-t2=τ1ln(2-16)同理,根据一阶线性微分方程的初始条件及终止条件可以得到负半周波内激磁电流方程,通过终止条件可反向计算出相应的时间间隔表达式,如图2-4中所示,在t3~t4期间,激磁电流iex表示为:t-t3t-t3iex(t)=-IC(1-eτ1)+Imeτ1时间间隔t4-t3为:t4-t3=τ1ln在t4≤t≤t5期间,激磁电流iex表示为:-t-t4-t-t4iex(t)=-IC(1-eτ2)+(Ith+βIp1)eτ2时间间隔t5-t4为:t5-t4=τ2ln在t5≤t≤t6期间,激磁电流iex表示为:iex(t)=-IC(1-eτ1)+(-Ith+βIp1)eτ1时间间隔t6-t5为:t6-t5=τ1ln||(IC-Im)新型储能成为资本市场新热点。2022年新型储能行全年融资交易249笔,融资规模为494亿元。南通高线性度电流传感器出厂价

储能系统多维度安全防护:本体电芯材料、工艺、结构多方优化。嘉兴板载式电流传感器联系方式

提出自激振荡磁通门传感器用于交直流电流检测, 其对直流检测的 误差在 0.2%以内。而传统基于磁通门法的直流大 电流检测装置可以达到 0.05 级及以上测量精度, 因此已有方案显然存在不足。(1)现有 自激振荡磁通门法的研究均未深入探讨自激振荡磁通门传感器作为交直流零磁通检测 器情况下的准确度影响因素及改进措施,未构建传感器一二次磁势平衡过程中的误差传 递函数模型。(2)现有的自激振荡磁通门传感器方案为多铁芯多绕组结构, 一次电流含 有交流信号时, 激磁电流在各个绕组上产生的感应纹波电流信号均影响整个系统一二次 磁势平衡及电流准确测量, 传感器在铁芯和绕组结构以及传感器解调电路等方面需要改 进以提高其交直流测量精度。嘉兴板载式电流传感器联系方式

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