周期中断子程序和下溢中断子程序执行流程图,在每一个周期中分别发生一次周期中断和下溢出中断,每进入中断一次分别更新两个比较寄存器的值,相应的输出PWM波的移相也每一个周期都更新。在解决了具有移相角度差的PWM信号的产生问题后,需要解决的另一个问题是怎样应用采集到的电压信号和电流信号来实时动态控制移相角的大小,形成闭环反馈从而得到我们所需的满足动态性能的高精度电流电压信号。PID闭环反馈系统的设计一直是补偿电源**关键的部分,补偿系统设计的好坏直接关系到补偿电源稳恒。电压传感器可以确定、监测和测量电压的供应。重庆内阻测试仪电压传感器定制
储能电容的计算:1)根据工程经验估算:根据工程实践经验,装置的功率与前端储能电容有对应的关系。整个装置的功率P=UI=2060=1.2Kw,每瓦对应储能电容容量1μF,则可选用电容至少1200μF。2)根据能量关系式计算:储能电容为后续的DC/DC变换提供直流电压,其本身的电压波动反应在电容上可以认为是电容器电能的补充和释放过程。要保持电容器端电压不变,每个周期中储能电容器对电路提供的能量和其本身充电所得的能量相等。储能电容在整流桥输出端,同时也须承担滤波的任务。为了保证对整个装置提供足够的能量,我们所选用的储能电容最小值为1200UF。重庆内阻测试仪电压传感器定制方向相反,从而在磁芯中保持磁通为零。
图3-3所示一次为开关管1(**超前桥臂)的驱动波形和电压波形,图中横纵坐标分别为时间和电压值。开通过程:由图可见当开关驱动波形由低电平变为高低前,开关管两端的电压已经为0,故而开关管的开通是零电压开通。关断过程:由于开关并联有谐振电容,在关断开关管时,开关管端电压不会突变,而是随着谐振电容缓慢上升,故而开关管的关断是软关断。图3-4所示为开关管4(**滞后桥臂)的驱动波形和电压波形,图中横纵坐标分别为时间和电压值。同超前桥臂上开关管一样,滞后桥臂上开关管实现了零开通和软关断。在参数调试过程中,滞后桥臂的软开关对参数更加敏感。谐振电容值过大或者谐振电感值过小可能就无法满足滞后桥臂上开关管的零开通。
前段整流电路直流输出端并联了大容量储能电容,在上电前,电容器初始电压为零,上电瞬间整流输出端直流电压直接加在储能电容上,电容瞬间相当于短路,形成的瞬时冲击电流可能达到100A以上对电网带来冲击。为了限制上电瞬间大电流的冲击,在整流输出端放置一个固态开关。固态开关由晶闸管和限流电阻并联,其中晶闸管的通断受DSP的控制,在上电瞬间,晶闸管未被驱动导通,充电电流流过限流电阻,给予电容一定的充电时间,当电容两端电压上升后开通晶闸管,相当于将限流电阻短路,由整流电路直接对储能电容充电[29]。这样就限制了上电瞬间充电电流的大小,避免了大电流对电网的冲击。其原理与变压器类似,实现了对原边电压的隔离测量。
随着集成化和高频化的发展,开关器件本身的功耗和发热问题成为限制集成化和高频化进一步发展的瓶颈,减小开关器件自身开关损耗促使了软开关技术的推进。传统的谐振式、多谐振技术可以实现部分开关器件的ZVC或ZCS,但是这类谐振存在器件应力高、变频控制等缺点。脉冲宽度调制(PWM)效率高、动态性能好、线性度高,但是为了实现开关管的软开关,须在电路中引进辅助的器件,这增加了主电路和控制电路的复杂性。在这样的背景下,移相全桥技术应运而生。相较于其他的全桥电路,移相全桥充分的利用了电路自身的寄生参数,在合理的控制方案下实现开关管的软开关。相较于传统谐振软开关技术,移相全桥变换器又具有频率恒定、开关管应力小、无需辅助的谐振电路。基于以上对比分析,移相全桥变换器作为我们磁体电源系统中的补偿电源。我们知道一个电容器由两个导体(或两个板)组成。重庆内阻测试仪电压传感器定制
电压传感器可以确定交流电压或直流电压电平。重庆内阻测试仪电压传感器定制
随着现代实验研究不断的深入和科学的不断发展,科学家对强磁场环境的要求也越来越高,从而对脉冲强磁场的建设也提出了更高的要求。在欧美以及日本等发达国家已经较早建立了强磁场实验室,主要有美国国家强磁场国家实验室、法国国家强磁场实验室、德国德累斯顿强磁场实验室、荷兰莱米根强磁场实验室以及日本东京大学强磁场实验室。我国强磁场领域起步较晚,近年来,华中科技大学脉冲强磁场中心开展了大量 关于脉冲强磁场的研究工作。重庆内阻测试仪电压传感器定制