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电力电子装置中很多元件，特别是半导体器件，对电压电流非常敏感，正确的设置保护电路对电源变换装置的安全运行至关重要。这里所讲的保护主要是针对电源变换装置里的器件，需要保护的状态主要包括过电压和过电流。具体产生过电压和过电流状态的原因有电路故障和电路工作原理所致。单臂直通保护：对于全桥变换器逆变电路本身来说，**容易出现也是危险比较大的故障便是单臂直通。因为当出现单臂直通时相当于输入侧直流电源正负极短路，直接损坏开关管。差和高的耐压值，另外，高压侧与低压侧没有隔离，存在安全隐患；天津电压传感器报价

对于前端储能电容还需要考虑的参数是其耐压值，直流母线上电压峰值为373v，留一定裕量，可以选择耐压值为500v的电解电容作为储能电容。在电力电子变换和控制电路中，都是以各种电力半导体器件为基础的。我们在设计电路时，也有很多可供选择的电力半导体器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每种元件都有其自身特点以及**适合应用场合。例如MOSFET开关频率高，动态响应速度快，但其电流容量相对小，耐压能力低，适用于低功率、高频的场合[13][14]。门级可关断晶闸管具有自关断能力、电流容量大、耐压能力好，适用于大功率逆变场合。IGBT的性能相对来说是介于两者之间，有较高的工作频率（20K以上），有较大的电流容量和较好的耐压能力。在本实验中，装置的功率在10kW以下，频率在20K以下可以满足要求，故而综合考虑选用全控、压控型器件IGBT作为开关管。常州高精度电压传感器厂家直销这就是电容器的工作原理。

本项目逆变桥臂上有4个开关管，对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种，以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动，因为相对于分立元件构成的驱动电路，集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块，并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962，如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路，可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器实现电气隔离，输入输出隔离电压高达 2500V。

磁体自身电阻较小，加在磁体两端的高电压在磁体中产生大电流，产生强磁场。但由于磁体电阻不可能为零，在通过瞬间的大电流时，磁体本身会瞬间发热产生高温，其自身的电阻也会随着温度的升高进一步增大，增大的电阻在大电流通过时更进一步发热。如此，为了真正让磁体通过脉冲式高稳定度大电流，并不能简单给磁体配置一个脉冲式高稳定度的电压源，而是需要一个脉冲式、纹波小、可控、快速反应的电源。强磁场磁体的电源不用于其它装置的供电电源，在需要产生磁场的时候，电能以很快的速度释放至磁体产生强磁场。由于瞬时功率很大，若从电网中取电必然会对电网造成冲击。故而需要电源系统在较长时间内储存大量的能量，然后以此储能电源系统作为缓冲来为实验提供大功率的瞬时电能。该补偿线圈产生的磁通与原边电流产生的磁通大小相等。

由移相全桥电路的拓扑结构图可以看到，四个桥臂上每个开关管都并联有谐振电容，谐振电容的存在可以实现开关管的零电压关断。所以我们只需要关心开关管的零电压开通，要实现开关管的零电压开通，必须在开关管触发开通前，有足够的能量中和掉谐振电容上的电荷，并且要完成该开关管同一桥臂上另一开关管谐振电容的充电，同时还要有能量去抽走变压器原边寄生电容中储存的能量。超前桥臂上两个开关管工作状态是相同的，**是开通关断时间的存在先后， 可以选取其中的T2 管分析。 T2 管触发开通的前一个状态，满足零电压 开通则须在触发开通时与T2 并联的续流二极管D2 已处于导通状态，这就要求此时谐 振电容C2 已经放电完成。方向相反，从而在磁芯中保持磁通为零。天津电压传感器报价

分为电阻分压式和电容分压式，将初级电压直接转化为测量仪表可用的低压信号。天津电压传感器报价

图3-3所示一次为开关管1（**超前桥臂）的驱动波形和电压波形，图中横纵坐标分别为时间和电压值。开通过程：由图可见当开关驱动波形由低电平变为高低前，开关管两端的电压已经为0，故而开关管的开通是零电压开通。关断过程：由于开关并联有谐振电容，在关断开关管时，开关管端电压不会突变，而是随着谐振电容缓慢上升，故而开关管的关断是软关断。图3-4所示为开关管4（**滞后桥臂）的驱动波形和电压波形，图中横纵坐标分别为时间和电压值。同超前桥臂上开关管一样，滞后桥臂上开关管实现了零开通和软关断。在参数调试过程中，滞后桥臂的软开关对参数更加敏感。谐振电容值过大或者谐振电感值过小可能就无法满足滞后桥臂上开关管的零开通。天津电压传感器报价