珠海化成分容电压传感器设计标准

为了加强装置的安全性，大都采用具有变压器隔离的隔离型方案。从功率角度考虑，当选用的功率开关管的额定电压和额定电流相同时，装置的总功率通常和开关管的个数呈正比例关系，故全桥变换器的功率是半桥变换器的2倍，适用于中大功率的场合。基于以上考虑，本方案中补偿装置选用带有变压器隔离的全桥型直流变换器。借助于效率高、动态性能好、线性度高等优点，PWM（脉宽调制）技术在全桥变换器领域得到了广发的关注和应用，已经成为了主流的控制技术。传统的PWM直流变换器开关管工作在硬开关状态。在硬开关的缺陷是很明显的具体表现在：1）开关管的开关损耗随着频率的提高而增加；2）开关管硬关断时电流的突变会产生加在开关管两端的尖峰电压，容易造成开关管被击穿；3）开关管硬开通时其自身结电容放电会产生冲击电流造成开关管的发热。通常，在串联电路中，高阻抗的元件上会产生高电压。珠海化成分容电压传感器设计标准

在产生移相脉波时，计时器的计时都有一个固定的时基，计时器以时基为参考点开始计数，当比较寄存器中的值和设定值相等就会产生一个比较中断。由此机理，移相角的改变有两种方法：1）不断改变时基；2）不断更新比较值。DSP比较寄存器处于增减计数模式，一般时基是固定的。由于增减计数模式中每一个周期都会产生一个周期中断和下溢中断，于是我们可以利用这两个中断将设定值重置来实现另外一对PWM波的移相。超前桥臂上一对互补PWM波由比较单元1产生，对应的比较寄存器为T1CMPR，即为比较寄存器1的设定值，计数寄存器为T1CNT。滞后桥臂上一对互补的PWM波由比较单元2产生，对应的比较寄存器为T2CMPR，即为比较寄存器2的设定值，为了保证参考坐标的一致性，比较单元2和比较单元1共用同一个计数寄存器。佛山磁通门电压传感器联系方式通过鉴相器检测光波相位差来实现对外电压的测量。

整个控制板由五个模块构成：电源模块、采样及A/D转换模块、DSP控制模块、PWM输出模块、驱动电路模块。数字控制电路中任何一个芯片的工作都离不开电源，其中DSP芯片和A/D芯片对电源的要求很高，电源发生过电压、欠电压、功率不够或电压波动等都可能导致芯片不能正常工作甚至损坏。对于任何一个PCB板，电源模块设计的好坏都直接影响着整个控制板工作的稳定。在设计电源模块的时候，不仅要为整个控制板提供其所需要的所有幅值的电压，还要保证每一个幅值的电压值稳定、纹波小，必要时须电气隔离，并且电源模块须功率足够。

根据实际工作过程分析，超前桥臂上开关管开通过程中，原边电路保持向负载端输送能量，则负载端滤波电感等效于和原边谐振电感串联，这样对超前桥臂上两个谐振电容充放电的能量由原边谐振电感和负载端滤波电感共同提供，这样能量关系式很容易满足[6]。时间关系式只需要适当增大死区时间即可，超前桥臂上开关管的零电压开通很容易实现。滞后桥臂上开关管开通过程中，桥臂上谐振电容的充放电能量**来自于谐振电感，并且在此过程中电源相当于是负载吸收谐振电感中的储能，电流处于减小的状态，从而滞后桥臂上开关管的零电压开通实现难度增大。而折射两光波之间的相位差与外施电压成正比。

随着现代实验研究不断的深入和科学的不断发展，科学家对强磁场环境的要求也越来越高，从而对脉冲强磁场的建设也提出了更高的要求。在欧美以及日本等发达国家已经较早建立了强磁场实验室，主要有美国国家强磁场国家实验室、法国国家强磁场实验室、德国德累斯顿强磁场实验室、荷兰莱米根强磁场实验室以及日本东京大学强磁场实验室。我国强磁场领域起步较晚，近年来，华中科技大学脉冲强磁场中心开展了大量  关于脉冲强磁场的研究工作。分压式电压传感器测量简单，测量精度较高，但对分压电阻要求具有稳定的温度特性。天津大量程电压传感器价钱

我们知道一个电容器由两个导体(或两个板)组成。珠海化成分容电压传感器设计标准

本项目逆变桥臂上有4个开关管，对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种，以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动，因为相对于分立元件构成的驱动电路，集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块，并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962，如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路，可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器实现电气隔离，输入输出隔离电压高达 2500V。珠海化成分容电压传感器设计标准