企业商机
电压传感器基本参数
  • 品牌
  • 纳吉伏
  • 型号
  • VTD系列电压传感器/VTC系列电压传感器
  • 输出信号
  • 模拟型,开关型,膺数字型
  • 制作工艺
  • 集成,薄膜
  • 材质
  • 金属,聚合物,陶瓷
  • 材料物理性质
  • 导体,磁性材料
  • 材料晶体结构
  • 单晶,多晶
  • 加工定制
  • 精确度
  • 0.05
  • 额定电压
  • ±15
  • 线性度
  • 0.02
  • 产地
  • 无锡
  • 厂家
  • 无锡纳吉伏科技有限公司
  • 温度稳定性
  • 10ppm/K
  • 测量带宽
  • 2.2MHz
  • 时间稳定性
  • 0.02%/year
  • 输入输出变比
  • 可定制
电压传感器企业商机

本项目逆变桥臂上有4个开关管,对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种,以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动,因为相对于分立元件构成的驱动电路,集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块,并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962,如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路,可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT, 采用快速型光耦合器实现电气隔离,输入输出隔离电压高达 2500V。霍尔电压传感器体积小、线性度好、响应时间短,但测试带宽窄,测量精度不高。重庆新能源电压传感器价格大全

PWM波可以由DSP芯片内部的事件管理器EVA或EVB产生,在DSP内部,事件管理器EVA和EVB是完全相同的两个模块。它们都有3个比较单元,每一个比较单元都可以产生一对互补的PWM波,一共可以提供6路PWM波。在此选用其中的4路来驱动逆变桥上的开关管。4路PWM波中选用一路作为基准,将比较寄存器设置为增减模式,在下溢中断和周期中断的时候分别重置比较寄存器的值,并且所重置的这两个数值之和为比较寄存器的周期值。设置好PWM波输出的其他必须配置就可以产生一对互补的PWM波作为超前桥臂上的驱动。下面主要问题是如何产生另一对具有相位差的互补的PWM波。基于对DSP的研究,在此采用全比较单元的直接移相脉冲生产方法。武汉循环测试电压传感器厂家直销电压传感器相对于传统测量技术的优势。

随着集成化和高频化的发展,开关器件本身的功耗和发热问题成为限制集成化和高频化进一步发展的瓶颈,减小开关器件自身开关损耗促使了软开关技术的推进。传统的谐振式、多谐振技术可以实现部分开关器件的ZVC或ZCS,但是这类谐振存在器件应力高、变频控制等缺点。脉冲宽度调制(PWM)效率高、动态性能好、线性度高,但是为了实现开关管的软开关,须在电路中引进辅助的器件,这增加了主电路和控制电路的复杂性。在这样的背景下,移相全桥技术应运而生。相较于其他的全桥电路,移相全桥充分的利用了电路自身的寄生参数,在合理的控制方案下实现开关管的软开关。相较于传统谐振软开关技术,移相全桥变换器又具有频率恒定、开关管应力小、无需辅助的谐振电路。基于以上对比分析,移相全桥变换器作为我们磁体电源系统中的补偿电源。

从持续时间的角度上分类,强磁场可以分为脉冲强磁场和稳态强磁场。脉冲强磁场可以产生很高的磁场,能为一些科学实验提供所需要的磁场环境。但磁场持续的时间短,且磁场的强度在短时刻内是脉冲尖峰状态。稳态强磁场是持续时间相对较长的磁场,并且磁场的强度时保持相对稳定的状态,但目前的技术条件场强无法做到很高,稳态磁场强度的建设投资大、需求的电源容量大、冷却系统大并且维护成本高。为了一些同时对磁场强度和稳定度都有很高要求的科学实验,我们就需要提供**度、高稳定度的磁场环境,于是结合到上述两种磁场产生的特点,科学家们提出了脉冲平顶磁场。这种磁场在满足磁场强度高的条件下兼顾磁场的稳定性。另外,脉冲平顶磁场可以降低测量的干扰,减小样品产生的涡流。总之,脉冲平顶磁场间距脉冲磁场和稳恒磁场的优点,为一些特殊要求的实验提供了研究的环境。因此,整个电压将通过检测电压的传感电路发展。

除了滤波电容的容量要选择适当,我们还需要考虑滤波电容的耐压值,电容耐压值不够会发生危险。为了降低成本,一般电容耐压值比输出电压高一些即可,比如可以选择1.2倍的裕度。并且考虑到一般的电解电容有等效电阻,因此选用电解电容时可以选择实际值比理论计算值大的电容,并且可以是多个并联使用。为了减小开关管的电流,减小输出端整流桥上的电压,从而降低损耗,高频变压的原副边变比应尽可能大一些。为了满足输出电压值的要求,则需要根据实际输入的电压值和输出电压值要求来考虑。以输入电压最小值为基准来进行计算,变压器变比:K=。其中vin(min)是输入电压最小值,vo是输出电压,vd是整流二极管导通压降,Dsec是副边占空比,在此取值0.8。将各个参数代入计算可得变比K为7.44,在这里可以取值为7.5。电压传感器可以确定交流电压或直流电压电平。重庆新能源电压传感器价格大全

板之间的磁场将创建一个完整的交流电路没有任何硬件连接。重庆新能源电压传感器价格大全

随着现代实验研究不断的深入和科学的不断发展,科学家对强磁场环境的要求也越来越高,从而对脉冲强磁场的建设也提出了更高的要求。在欧美以及日本等发达国家已经较早建立了强磁场实验室,主要有美国国家强磁场国家实验室、法国国家强磁场实验室、德国德累斯顿强磁场实验室、荷兰莱米根强磁场实验室以及日本东京大学强磁场实验室。我国强磁场领域起步较晚,近年来,华中科技大学脉冲强磁场中心开展了大量  关于脉冲强磁场的研究工作。重庆新能源电压传感器价格大全

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